何光旭,馬文超,王彬
(中國電子科技集團公司第五十八研究所,江蘇無錫214072)
輸出電容對LDO穩定性影響分析
何光旭,馬文超,王彬
(中國電子科技集團公司第五十八研究所,江蘇無錫214072)
由于線性調節器內部沒有開關管產生的交流開關損耗,同時比開關電源具有較低的RFI干擾,因此在現代電源系統中,仍然有它的一席之地。低壓降集成線性穩壓器即LDO是線性調節器的一種,一般采用P-FET或者PNP作為調整管,導通壓降可以小于100 mV,效率得到大大提升,在射頻、無線、電池供電等領域得到廣泛應用,但必須對其做環路補償,才能穩定工作。首先討論了內部補償、前饋電容補償和輸出電容補償之間的關系,然后給出如何選擇輸出電容,最后以某輸出可調LDO為例做仿真,說明輸出電容對LDO穩定性的影響。
LDO;前饋補償;輸出電容補償
低壓降集成線性穩壓器相對于常規線性穩壓器來說,由于壓降小、效率高等特點,在電子設備中得到廣泛使用。調整管采用PMOSFET或者PNP晶體管,導通壓降甚至可以做到小于100 mV,功耗大大降低,效率得到明顯提升,在低電壓大電流的場合更為明顯。但LDO組成的電源環路中,由LDO內部誤差放大器形成的低頻主極點Pdom、輸出端旁路電容Cout和負載RL構成負載極點Pload以及由PFET或者PNP晶體管的輸入電容和驅動門級或基級的輸出阻抗形成電源極點Ppwr。因此,需要對LDO環路進行補償,才能穩定工作。目前常用的補償方法有內部密勒補償[1],前饋電容補償[2]和輸出端旁路電容補償[3],這三種補償方法不是孤立存在的,而是相輔相成的,然而在目前的文獻資料中都是將它們分別討論,文章對三種補償方法進行統一分析,給出LDO環路中輸出電容選擇的思路。……