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電刷鍍Ni-石墨烯復合鍍層的組織結構及性能

2018-11-19 06:52:34丁小龍胡振峰汪笑鶴
材料工程 2018年11期
關鍵詞:結構

丁小龍,胡振峰,金 國,呂 鏢,汪笑鶴

(1哈爾濱工程大學 材料科學與化學工程學院,哈爾濱150001;2陸軍裝甲兵學院 機械產品再制造國家工程研究中心,北京100072;3中國華陰兵器試驗中心,陜西 華陰 714200)

自2004年,Novoselov等[1]剝離出單層石墨烯(graphene,GE)后,GE因其優異的力學、熱學和光學等性能[2],迅速成為又一個輕質碳材料研究的前沿。隨著科技的發展,對材料性能的要求不斷提高,研發性能優良的復合材料已成必然趨勢,將GE作為增強體引入金屬基質,制備GE增強金屬基復合材料,從而提升金屬材料的性能,成為當前GE的研究熱點之一[3]。然而,由于GE密度小、分散性差,熔態下與熔融金屬界面張力不同及界面反應等問題[4],采用常用的粉末冶金法、水熱合成法和溶膠-凝膠法[5]很難制備出性能理想的復合材料,化學沉積法[6]雖然能夠較好解決上述問題,但因其制備周期長、制備出的復合鍍層較薄不能滿足實際需求而未被廣泛應用。電刷鍍技術以其設備輕便、工藝簡單、鍍覆速度快、鍍層質量高等一系列優點[7],而被廣泛應用于實際生產中。在過去的十幾年間,大批國內外研究者將金剛石[8-9]、碳納米管[10-13]、石墨[14-15]等輕質碳材料加入到金屬基電刷鍍液中,制備出了性能較優的復合鍍層。本工作將同屬輕質碳材料的GE加入到應用廣泛的快速Ni鍍液中,以適量分散劑與活性劑解決其在溶液中的團聚問題,先制得Ni-GE復合鍍液,再采用電刷鍍技術在45鋼表面制備出Ni-GE復合鍍層,重點探討加入Ni基礎鍍液中的最佳GE含量和GE在復合鍍層中的存在形式,并對Ni-GE復合鍍層的硬度進行研究,以期得到綜合性能優良的Ni-GE復合鍍層。

1 實驗材料與方法

1.1 電刷鍍設備與流程

電刷鍍電源使用裝甲兵工程學院自主研發的DSD-75型電刷鍍專用電源。電刷鍍工藝流程及參數如表1所示。

表1 電刷鍍工藝流程及參數Table 1 Process flow and parameter of electro-brush plating

1.2 基礎鍍液成分及電刷鍍試樣

鍍液主要成分如表2所示。將Ni-GE鍍液水浴超聲90min,再磁力攪拌30min。實驗中使用的GE(北京碳世紀科技有限公司提供)為氧化還原法制備,單片層結構占比95%以上。實驗時以0.1g/L為1個梯度添加進基礎鍍液,制備出不同GE含量的Ni-GE復合鍍液。圖1為GE片層的TEM形貌。觀察到GE呈透明狀(圖1(a)),其上有較多褶皺。圖1(b)的HRTEM片層邊緣,未發現分層現象,可以確定其為單層的GE。圖2為GE的AFM表征圖。片層厚度為1~2nm,進一步證明該GE為單層結構。

基體材料為45鋼,尺寸為150mm×150mm×100mm。實驗前表面均用400#~800#的砂紙進行打磨,然后在無水乙醇中超聲清洗,最后烘干備用。

表2 鍍液主要成分(g·L-1)Table 2 Major components of plating solution(g·L-1)

1.3 分析方法

采用JEM-2100F型透射電鏡(TEM)和Dimension Icon型原子力顯微鏡(AFM)對GE片層的形貌和厚度進行表征;采用能譜儀(EDS)和Rivia型Raman光譜儀(測試范圍0~4000cm-1,測試激光波長514nm)表征復合鍍層內部的GE,表征之前將復合鍍層用質量分數為30%的稀硝酸腐蝕5min,以減少Ni基質對Raman信號的干擾;采用X Pert-Pro MPD型X射線衍射儀測定復合鍍層的結構,靶材為CuKα,管壓40kV,管流40mA;采用Nova Nano SEM50型高分辨率掃描電子顯微鏡(SEM)觀察復合鍍層和其內部GE的微觀形貌;采用HVS-1000數顯硬度計測定復合鍍層的顯微硬度,載荷0.49N,加載時間15s。

圖1 GE的TEM形貌(a)低倍形貌;(b)高分辨率HRTEM形貌Fig.1 TEM morphologies of GE(a)low magnification;(b)high magnification HRTEM

圖2 GE的AFM表征圖(a)片層線掃描;(b)厚度分析Fig.2 AFM images of GE(a)line scanning of GE nanosheets;(b)analysis of thickness

2 結果與分析

2.1 Ni-GE復合鍍層中GE的表征

2.1.1 SEM表征

經多次重復實驗,發現GE在鍍層中以3種形式存在(以GE添加量為0.5g/L為例),如圖3所示。圖3(a-1)為存在于“菜花頭”內部的極小尺寸(Ⅰ型)GE,其透明程度極高,未見分層現象,可看作依舊是單層GE。由1,2兩個部位EDS分析結果(圖3(a-2))可以看出,部位2的C元素原子分數遠高于部位1,確定部位2的片層結構為GE;圖3(b-1)為存在于“菜花頭”之間的中等尺寸(Ⅱ型)GE,其透明程度降低,同時邊緣有明顯分層現象,可看作是2~3層的GE。由圖(b-2)中1,2兩個部位的EDS分析結果可以確定片層結構為GE;圖3(c-1)為黏著在若干“菜花頭”結構上的較大尺寸(Ⅲ型)GE,幾乎不透明,可看作是層數大于3層的GE。由圖3(c-2)的EDS結果可確定片層結構為GE。可以看出,隨著GE尺寸的減小,其顏色逐漸變淺,透明程度逐漸增加,同時發現3種GE表面均含有一定雜質。

由于物理和化學方法的共同作用,Ni-GE復合鍍液中的GE均為未發生團聚的單層結構,但是在電沉積過程中,因鍍筆的擠壓、摩擦作用和試樣表面的溫度升高,GE會發生不同程度的團聚疊層,導致存在于鍍層中的GE形狀各異,各型GE將分布于復合鍍層的不同部位,有包裹于“菜花頭”結構內部的未發生團聚疊層的Ⅰ型,有夾雜于“菜花頭”結構間的發生輕微團聚疊層的Ⅱ型,還有黏著涂覆于若干“菜花頭”結構上的發生嚴重團聚疊層的Ⅲ型。因為GE的吸附能力極強,所以觀察到的GE表面均會吸附有一定雜質,片層越多,吸附的雜質越多,透明程度越低。

2.1.2 Raman表征

使用波長為514nm的激光對GE區域進行Raman表征,均出現GE的特征峰,如圖4所示,分別為D峰1356cm-1和G峰1597cm-1。相比機械剝離法制備的GE,氧化還原法制備的GE上會有較多的缺陷[16],這些缺陷和GE上黏附的雜質會扭轉GE的2D峰的峰位、峰強,半峰寬也會發生變化[17]。由于本研究中采用的GE是氧化還原法制備,其本身會因含氧官能團的去除而產生晶格畸變,使得2D峰半峰寬變大;同時GE上黏附的金屬Ni相當于是p型摻雜,導致2D峰藍移(右移),Raman信號穿過GE片層上的褶皺時,相當于穿過多層GE,導致2D峰的半峰寬增大且發生藍移。刷鍍過程中,鍍筆施加的壓力會增加石墨烯上的壓應力,使得2D峰發生裂分且藍移。因此不會出現標準的2D特征峰,只在2500~3000cm-1范圍出現嚴重寬化、變形的2D峰。

通過SEM與Raman表征證實,GE確實已經進入復合鍍層,同時復合鍍層中的GE以Ⅰ型、Ⅱ型、Ⅲ型3種形式存在于復合鍍層的不同部位。

2.2 復合鍍層的XRD分析

圖5為不同GE添加量的復合鍍層的XRD譜圖。可知,所有鍍層均出現Ni的衍射峰,其中44.46°,51.74°,76.42°處的衍射峰分別對應于Ni的(111),(200)和(220)晶面。由于鍍層中的GE包裹于Ni金屬內部,所以所有鍍層均未出現C的衍射峰。采用Scherrer公式[18],可以由衍射峰確定鍍層的晶粒尺寸d。

d=Kλ/(βcosθ)

(1)

式中:λ是X射線的波長,λ=0.15406nm;β是衍射峰的對應半高寬;θ為衍射角,(°);K為常數,K=0.89。根據式(1)計算出不同GE添加量的復合鍍層的晶粒尺寸,如表3所示。可以看出,隨著GE添加量的增加,復合鍍層的晶粒尺寸先減小后增大。當GE添加量為0.5g/L時,復合鍍層的晶粒最小,為10.6nm。這主要是由于GE增加了Ni金屬電結晶的形核率,進而細化了Ni晶粒。

圖3 復合鍍層中GE形貌(1)及EDS分析(2)(a)Ⅰ型;(b)Ⅱ型;(c)Ⅲ型Fig.3 Morphologies(1) and EDS analysis(2) of GE in the composite coatings (a)type Ⅰ;(b)type Ⅱ;(c)type Ⅲ

圖4 復合鍍層中GE的Raman光譜Fig.4 Raman spectrum of GE in composite coatings

圖5 不同GE添加量復合鍍層的XRD譜圖Fig.5 XRD spectra of the composite coatings with different contents of GE

表3 不同GE添加量的復合鍍層的晶粒尺寸Table 3 Grain size of the composite coatings with different contents of GE

2.3 Ni-GE復合鍍層的微觀形貌

2.3.1 表面形貌

圖6為不同GE添加量的復合鍍層表面形貌。可以看出,所有鍍層均由若干尺寸不一的“菜花頭”結構組成。由圖6(a)可見,Ni鍍層表面是由含“菜花頭”結構的龜裂塊組成,龜裂塊間分布著大量縫隙,使得鍍層表面不夠致密;由圖6(b)~(e)可見,與Ni鍍層相比,Ni-GE復合鍍層“菜花頭”結構間的縫隙消失,鍍層最外層生成大尺寸的“菜花頭”結構,并未像XRD分析結果(鍍層組織明顯細化)一樣,反而是鍍層表面粗糙度增加,但不難看出,內層組織逐漸發生細化,隨著GE濃度的增加,最外層的大尺寸“菜花頭”結構逐漸減小,內層細化的組織逐漸顯現出來;當GE濃度增加至0.5g/L時(圖6(f)),大尺寸“菜花頭”結構減至最小,復合鍍層幾乎全部為細化的組織,表面致密度極高;但GE含量繼續增加時(圖6(g)),“菜花頭”結構又開始增多,鍍層質量下降。

圖6 不同GE添加量的復合鍍層表面形貌(a)0.0g/L;(b)0.1g/L;(c)0.2g/L;(d)0.3g/L;(e)0.4g/L;(f)0.5g/L;(g)0.6g/LFig.6 Surface morphologies of the composite coatings with different contents of GE (a)0.0g/L;(b)0.1g/L;(c)0.2g/L;(d)0.3g/L;(e)0.4g/L;(f)0.5g/L;(g)0.6g/L

2.3.2 截面形貌

圖7為不同GE添加量的復合鍍層的截面形貌。如圖7(a)所示,Ni鍍層內存在貫穿鍍層的裂紋。由圖7(b)~(e)及圖7(g)可見,各鍍層內部在靠近基體一側均具有較好的致密性,但在靠近鍍層表面的一側存在大量孔隙,這使得復合鍍層的整體質量嚴重下降。由圖7(f)可見,復合鍍層組織致密度極高,未出現任何裂紋,鍍層質量優于其他6種鍍層。由于每種鍍層的刷鍍時間均相同,因此通過鍍層厚度可以計算出各個鍍層的沉積速率,Ni鍍層沉積速率約為10.4μm/min,各Ni-GE復合鍍層(0.1~0.6g/L)沉積速率分別為18.8,18.4,14.4,13.4,8.4,26.4μm/min。

之所以出現上述實驗現象,是因為:第一,隨著復合鍍液中GE含量的變化,電沉積過程中,復合鍍液中的各型GE的含量也發生變化,但由于電沉積過程是一個時間較短的動態過程,所以無法對各型GE的含量進行精確測定,只能對其含量的變化趨勢進行分析。隨著復合鍍液中GE含量的升高,復合鍍液內Ⅰ型和Ⅲ型GE逐漸增加,Ⅱ型逐漸減少。當GE含量為0.6g/L時,雖然Ⅱ型GE也呈現出減少的趨勢,但是由于復合鍍液中GE片層數量增加的幅度很大,相對前幾種復合鍍液,該復合鍍液在電沉積過程中Ⅲ型GE的含量均是增加的。同時,GE之所以發生團聚疊層,是因為刷鍍過程中鍍筆的擠壓、摩擦作用以及試樣表面的溫度升高所致。

第二,Ⅰ型GE有細化組織的作用,但其會產生尖端放電效應,使該部位的沉積速率明顯高于其他部位[19],致使鍍層致密度降低,對鍍層產生粗化作用。但由于其尺寸較小,這種粗化作用不足以抵消細化作用,同時當Ni不斷在其上沉積時,會將其包裹于Ni金屬內,粗化鍍層的趨勢逐漸減弱,直至消失,宏觀上鍍層被細化。對于Ⅱ型GE,它的尖端放電效應急劇增強,這使得它細化組織的作用不足以抵消粗化鍍層的作用,最終使鍍層粗化。對于Ⅲ型GE,它的尖端放電效應極強,幾乎完全表現為對鍍層的粗化作用。因此,即使通過XRD譜圖測算出所有復合鍍層的晶粒尺寸均是變小的,但是由于GE的尖端放電效應,使得部分復合鍍層的組織并未出現細化。

第三,鍍層可以看作是由大小不一的“菜花頭”結構層層堆疊的結構。電刷鍍過程中,當鍍液中GE含量較低時,沉積過程中GE發生嚴重團聚、疊層的概率較小,此時的GE由少量Ⅰ型、Ⅲ型和大量Ⅱ型組成。Ⅲ型因其上不斷沉積Ni金屬導致自重加大,在鍍筆的摩擦拖拽下從鍍層上脫落,少量Ⅰ型細化的“菜花頭”結構一部分用來填補鍍層上的縫隙,另一部分被大量Ⅱ型粗化的“菜花頭”結構遮擋,鍍層最終變得粗糙。隨著鍍液中GE含量的升高,發生嚴重團聚、疊層的概率急劇增大,當Ⅲ型GE大量脫落后,鍍液中存在的主要是未來得及團聚、疊層的Ⅰ型GE以及輕微團聚、疊層的Ⅱ型GE,由于鍍筆的拖拽作用,使Ⅱ型GE向鍍層表層運動,鍍層表面依舊粗糙(0.1~0.3g/L);隨石墨烯含量的繼續增加,大量Ⅱ型GE團聚成Ⅲ型,導致運動到鍍層表面的Ⅱ型GE減少,粗化的“菜花頭”結構不足以完全遮擋內層被細化的結構(0.4g/L),表面將全部是被細化的組織(0.5g/L);GE含量再增加時,即使大量的Ⅱ型團聚為Ⅲ型,鍍液中也依舊有較多的Ⅱ型,這就使得粗化的“菜花頭”結構再次遮蓋細化的“菜花頭”結構(0.6g/L)。

第四,雖然Ni在Ⅲ型上的沉積速率較快,但由于其脫落時會帶走已經沉積于其上的Ni金屬,這使得鍍層厚度與沉積速率減小。隨著鍍液中GE含量的增加,Ⅲ型逐漸增多,被帶走的Ni金屬也逐漸增加,導致鍍層的厚度與沉積速率下降。當GE含量為0.5g/L時,由于Ⅲ型在沉積過程中幾乎全部脫落,使得鍍層厚度最小。當GE含量再繼續增加時,嚴重團聚的Ⅲ型尺寸會變得更大,其在沉積少量Ni金屬、甚至還未開始沉積Ni金屬時,就因為自重從鍍層上脫落,這種脫落幾乎不會減小鍍層的沉積速率。當Ⅲ型脫落后,鍍層中將會沉積大量輕微團聚、疊層的Ⅱ型,導致鍍層沉積速率明顯增加。

2.4 顯微硬度

鍍層顯微硬度與GE含量的關系如圖8所示。可以看出,隨著GE含量的增加,鍍層的硬度先增加后降低。當GE添加量為0.5g/L時,復合鍍層的硬度達到最大值570HV,相對于純Ni鍍層提高了15.2%,而當GE含量增至0.6g/L時,硬度下降至與純Ni鍍層相當。

圖8 不同GE添加量的鍍層顯微硬度Fig.8 Microhardness of coatings with different contents of GE

究其原因:第一,GE片層自身具有極高的硬度,當壓頭壓碎復合鍍層表層的Ni基質后,存在于鍍層內部的單片層GE就會阻礙壓頭的繼續深入,從而提高鍍層宏觀硬度。第二,進入鍍層的Ⅰ型GE會細化Ni晶粒,使Ni基質的晶界增多,復合鍍層發生細晶強化,從而提高硬度。第三,GE含量升至0.6g/L時,復合鍍層內部的孔隙、裂紋急劇增多,鍍層“菜花頭”結構粗大,導致鍍層整體疏松,從而硬度顯著下降。

3 結論

(1)Ni-GE復合鍍層中的GE均包裹于Ni基質內部。Ni-GE復合鍍層中的石墨烯以Ⅰ型、Ⅱ型、Ⅲ型3種形式存在。

(2)Ni-GE復合鍍層中的GE增加Ni電結晶的形核率,減小復合鍍層的晶粒尺寸,因此相比于Ni鍍層,各Ni-GE復合鍍層的晶粒尺寸均減小。當GE添加量為0.5g/L時,晶粒尺寸最小,為10.6nm。

(3)隨著GE添加量的增加,Ni-GE復合鍍層組織逐漸細化。當GE添加量為0.5g/L時,鍍層表面幾乎全部為細化組織,內部無孔隙、裂紋,鍍層致密度極高,整體質量最優。

(4)由于GE自身的高硬度以及Ⅰ型GE的細晶強化作用,使得Ni-GE復合鍍層的硬度均高于純Ni鍍層。當GE添加量為0.5g/L時,Ni-GE復合鍍層的硬度最高,可達570HV,相比純Ni鍍層,其硬度提高了15.2%。

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