趙治國(guó),申向偉,吳中超,王大貴,王曉新,王智林,何曉亮
(1.中國(guó)電子科技網(wǎng)絡(luò)信息安全有限公司,四川 成都610041;2.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所, 重慶 400060)
光纖激光器具有體積及質(zhì)量小,光束質(zhì)量好,泵浦轉(zhuǎn)化效率高,維護(hù)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),在國(guó)防、醫(yī)療、通信、工業(yè)加工等相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,成為激光器產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)力量[1-5]。隨著光纖激光應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,人們對(duì)激光器單脈沖能量、峰值功率的要求越來(lái)越高。但高單脈沖能量和峰值功率的激光輸出會(huì)導(dǎo)致纖芯的功率密度過(guò)高,易引起受激布里淵散射(SBS)、受激拉曼散射(SRS)等非線性效應(yīng),產(chǎn)生峰值功率過(guò)高的窄脈沖,燒毀光纖。傳統(tǒng)方式是采用增大光纖的有效模場(chǎng)面積來(lái)降低纖芯的功率密度,但此方法一方面會(huì)激發(fā)光纖的高階模,惡化激光器輸出的光束質(zhì)量,另一方面會(huì)提高光纖激光器的成本,降低其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。Sakai J、Limpert J等[6-7]通過(guò)降低光纖纖芯的數(shù)值孔徑,結(jié)合增大模場(chǎng)面積來(lái)抑制非線性效應(yīng),實(shí)現(xiàn)單模高能量輸出。但此方法受普通光纖材料的限制,數(shù)值孔徑只能降低到0.05左右,而數(shù)值孔徑過(guò)低會(huì)使彎曲損耗過(guò)高。
本文利用增益/泵浦一體化光纖(GTWave)側(cè)面泵浦耦合技術(shù),增加了泵浦光和增益光纖的耦合長(zhǎng)度,降低了單纖傳輸?shù)墓β拭芏龋诓辉黾訌澢鷵p耗和降低光束質(zhì)量的基礎(chǔ)上,提高了承受的單脈沖能量和峰值功率,最后實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)1 064 nm、單脈沖能量2.459 mJ、峰值功率10 kW、光束質(zhì)量1.15的脈沖激光器。其在工業(yè)加工、醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
雙包層光纖激光器的泵浦耦合技術(shù)是將高亮度的半導(dǎo)體激光耦合到雙包層光纖的內(nèi)包層中。主要有端面泵浦耦合技術(shù)和側(cè)面泵浦耦合技術(shù)。端面泵浦耦合主要采用透鏡耦合和直接熔融耦合兩種方式,如圖1所示。

圖1 端面泵浦耦合技術(shù)
透鏡耦合效率為60%~70%,但操作復(fù)雜,穩(wěn)定性差。直接熔融耦合效率可達(dá)90%,但耦合數(shù)量和耦合結(jié)構(gòu)受限,且當(dāng)注入泵浦功率過(guò)高時(shí),光纖端面易被燒壞。
側(cè)面泵浦耦合技術(shù)主要有嵌入透鏡式[8]、V型槽式[9]、側(cè)面熔接式[10]、反射光柵式[11]和GTWave式[12]。
圖2為嵌入透鏡式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)。該方式在雙包層光纖內(nèi)包層上刻一個(gè)小槽,然后嵌入反射鏡,最大耦合效率可達(dá)80%。但由于使用了光學(xué)膠,因而耦合功率受限。

圖2 嵌入透鏡式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)
圖3為V型槽式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)。在雙包層光纖側(cè)面加工一個(gè)V型槽,耦合效率可達(dá)80%,但該方式對(duì)光纖加工工藝要求高,承受光功率和系統(tǒng)穩(wěn)定性受限。

圖3 V型槽式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)
圖4為側(cè)面熔接式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)。將信號(hào)光纖和泵浦光纖去掉涂覆層,然后熔融拉錐,將泵浦耦合進(jìn)信號(hào)光,耦合效率可達(dá)90%,是目前高功率光纖激光器主流方式,但該方式耦合效率與拉錐長(zhǎng)度、角度、深度等多種因素有關(guān),且泵浦注入位置單一,所以光纖纖芯傳輸和包層瞬間傳輸?shù)墓β拭芏群艽蟆9饫w傳輸?shù)膯蚊}沖能量受限。

圖4 側(cè)面熔接式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)
圖5為反射光柵式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)。該方式剝離掉信號(hào)光纖的涂覆層,不用破壞光纖的包層,但耦合效率和入射光的偏振性有關(guān),且該方式采用了光學(xué)膠,耦合泵浦光功率受限。

圖5 反射光柵式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)
圖6為GTWave側(cè)面泵浦耦合技術(shù)。該方式采用無(wú)包層泵浦光纖和單包層的信號(hào)光纖平行排列。兩根光纖在光學(xué)上相連,在物理上分量。由于泵浦光纖中的泵浦光光場(chǎng)可作用到信號(hào)光纖中,從而實(shí)現(xiàn)了泵浦光的耦合,且這種耦合的耦合長(zhǎng)度長(zhǎng),是緩慢和漸進(jìn)式的耦合,一方面可將泵浦產(chǎn)生的熱量分散,提高光纖穩(wěn)定性,另一方面降低了瞬間泵浦注入功率密度,提高光纖承受的單脈沖能量和峰值功率。耦合效率可達(dá)90%,是制作高功率激光器的理想選擇。

圖6 GTWave式側(cè)面泵浦耦合技術(shù)
本文采用中國(guó)電科天之星激光技術(shù)有限公司拉制的25/250 GTWave光纖,其光纖端面如圖7所示。由圖可看出,該光纖泵浦纖纖芯直徑為?253.56 μm,無(wú)包層光纖。信號(hào)光纖纖芯直徑為?25.56 μm,包層直徑為?257.12 μm。實(shí)驗(yàn)中,泵浦光纖為105 μm /125 μm光纖,信號(hào)輸出光纖為10 μm /125 μm雙包層光纖。在信號(hào)光纖及泵浦光纖輸入/輸出處采用模場(chǎng)匹配,系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖8所示。

圖7 GTWave光纖端面圖

圖8 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖
通過(guò)控制輸入泵浦光功率和種子源信號(hào)光的脈沖寬度及功率,在重復(fù)頻率10 kHz的情況下得到了單脈沖能量2.459 mJ的脈沖激光輸出,測(cè)試結(jié)果如圖9所示。

圖9 測(cè)試結(jié)果圖
由圖9(a)可看出,輸出平均功率隨著泵浦功率增加而逐漸增加,GTWave增益光纖的增益未達(dá)到飽和,轉(zhuǎn)化效率為41%,最后得到了24.59 W的功率輸出。由圖9(b)可看出,激光器輸出的單脈沖能量也隨著泵浦功率的增加而增加,趨勢(shì)和圖9(a)一致,單脈沖能量最高為2.459 mJ,比傳統(tǒng)的30/250/400雙包層光纖采用側(cè)面熔接式側(cè)面泵浦耦合的方式高2.4倍。由圖9(c)可看出,隨著泵浦功率的增加,激光器輸出的峰值功率先增加,再飽和。飽和峰值功率約為10 kW。這是由于隨著泵浦功率的增加,激光器的脈沖寬度不斷展寬。比較圖9(a)~(c)可知,該光纖的輸出功率和單脈沖能量還有提升空間,而峰值功率最大穩(wěn)定約為10 kW,可通過(guò)提高種子源脈沖寬度及增加注入泵浦的方式來(lái)得到高單脈沖能量和高平均功率的脈沖輸出。
本文采用中國(guó)電科天之星激光技術(shù)有限公司拉制的25/250 GTWave光纖,制作了輸出脈沖單脈沖能量2.459 mJ、峰值功率10 kW的脈沖光纖激光器。分析了峰值功率恒定時(shí)提高該激光器平均功率和單脈沖能量的方式。對(duì)高單脈沖能量脈沖激光器的研制提供了一定的理論和實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。