蘇州維特萊恩公司高品質6英寸電阻法碳化硅單晶研制成功

碳化硅(SiC)具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高化學穩定性和抗輻射等突出的特性與優勢，決定了其在高功率器件、高頻器件、高光效發光器件等領域的應用極為廣泛。碳化硅單晶在低壓/高頻、中電壓和高壓/高頻多個領域具有完全替代硅材料的優勢。受各種因素影響，國內碳化硅單晶品質和產能遠不能滿足產業需求。

碳化硅電阻法4英寸導電型晶體

蘇州維特萊恩集團公司是專業從事智能制造裝備設計與生產、光電新材料研發及其裝備制造的企業，于2014年9月與俄羅斯LETI法創始人Tairov及其團隊開展技術合作，經過5年合作研究，掌握了4英寸和6英寸電阻法碳化硅單晶生長技術。晶體最大直徑160 mm、等徑厚度達25～35 mm、微管密度≤2 cm2/個、基面位錯密度≤1200 cm2/個、電阻率0.01～0.035 Ω·cm，晶體利用率高達85%。經過中外團隊的通力合作，掌握了長晶過程和工藝參數的自動化控制技術、生長爐溫場和生長區流場調控技術和對缺陷和多型抑制的工藝技術。蘇州維特萊恩集團公司能在短時間內實現6英寸碳化硅單晶生長技術的突破，得益于采用了有別于感應法的電阻法加熱方式。電阻法能夠實現徑向溫度可調和軸向溫度可控，能有效地避免晶體生長過程中多型、層錯缺陷增殖的出現，因而更適合生長6英寸以上的碳化硅單晶。

碳化硅電阻法4英寸導電型晶體

碳化硅電阻法6英寸導電型晶體