發行概覽:公司主營業務為MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售,產品廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網、光伏新能源等領域。本次募集資金將用于“超低能耗高可靠性半導體功率器件研發升級及產業化項目”、“半導體功率器件封裝測試生產線建設項目”、“碳化硅寬禁帶半導體功率器件研發及產業化項目”、“研發中心建設項目”和“補充流動資金項目”共計五個募投項目。
基本面介紹:公司的主營業務為MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發設計及銷售,公司銷售的產品按照是否封裝可以分為芯片和功率器件。公司是專業化垂直分工廠商,芯片主要由公司設計方案后交由芯片代工企業進行生產,功率器件主要由公司委托外部封裝測試企業對芯片進行封測代工而成,公司已初步完成先進封裝測試生產線的建設,將少部分芯片自主封裝后對外銷售。
核心競爭力:公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品,是國內率先掌握超結理論技術,并量產屏蔽柵功率MOSFET及超結功率MOSFET的企業之一,是國內最早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET及IGBT四大產品平臺的本土企業之一。公司與科研院所在功率器件設計領域開展長期合作,針對重點項目成立了技術攻關小組。公司持續推進高端MOSFET、IGBT的研發和產業化,在已推出先進的超結功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET和超薄晶圓IGBT數款產品基礎上,進一步對上述產品升級換代。公司目前亦率先在國內研發基于12英寸晶圓片工藝平臺的MOSFET產品,部分產品已處于小批量風險試產環節。公司還進一步提前布局半導體功率器件最先進的技術領域,開展對SiC/GaN寬禁帶半導體功率器件的研究探索和產業化,緊跟最先進的技術梯隊,提升公司核心產品競爭力和國內外市場地位。
募投項目匹配性:本次募集資金投資的項目是為促進和提升公司生產和研發能力而設計的,募集資金項目建設符合公司的發展戰略。募集資金項目的實施,將提高公司現有產品的生產能力、豐富產品種類、改善研究開發平臺和科研條件,為公司可持續發展奠定相應基礎,全方位促使公司綜合競爭力得到大幅度提升,有利于提高公司產品的經營業績和市場份額,不會造成公司經營模式發生重大變化。
風險因素:市場風險、運營風險、技術風險、財務風險、募集資金投資項目風險、其他風險。
(數據截至9月11日)
