“GaN 電子器件與先進集成”專題前言

GaN 半導體技術(shù)是具有戰(zhàn)略性、先導性等顯著特性的新一代半導體芯片技術(shù)。因GaN 材料具有寬禁帶寬度、高功率密度、強擊穿電場等優(yōu)勢，GaN 電子器件，尤其是GaN 微波固態(tài)器件，已被公認為變革軍事電子系統(tǒng)與架構(gòu)的顛覆性元器件之一，上述器件在我國目前推進的嫦娥、天宮等航天工程以及空間站建設(shè)任務(wù)中的應(yīng)用正得到國家的大力支持。

隨著能源高效轉(zhuǎn)換、5G 通信的創(chuàng)新應(yīng)用，GaN 半導體技術(shù)在民用領(lǐng)域也呈現(xiàn)出一番光明的前景。GaN 半導體技術(shù)沿襲拓展摩爾定律的技術(shù)路線，采取以非尺寸依賴的特色工藝，它有望成為我國在裝備-材料-芯片全鏈條上擺脫西方封鎖、實現(xiàn)獨立發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)。以GaN 半導體技術(shù)為代表的寬禁帶半導體技術(shù)也因此被正式寫入國家的“十四五”規(guī)劃中，這極大地促進了該領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈和投資鏈的相互滲透。

目前，GaN 功率與射頻半導體技術(shù)是學術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界共同關(guān)注的熱點領(lǐng)域，對前者的應(yīng)用研究、產(chǎn)品研制和集成應(yīng)用均需得到主流半導體技術(shù)的支撐和符合系統(tǒng)架構(gòu)的應(yīng)用與標準。為此，我們推出了“GaN 電子器件與先進集成”專題，圍繞GaN 功率半導體、微波固態(tài)器件與MMIC 兩個方向，分別形成四篇、一篇特邀報告，基本覆蓋GaN 微波、功率半導體與集成應(yīng)用的關(guān)鍵要素點，較全面地反映了GaN 功率器件先進封裝、GaN 電力電子器件、GaN 單片集成芯片、GaN HEMT 柵驅(qū)動技術(shù)以及GaN 微波固態(tài)器件、MMIC 毫米波芯片的最新研究成果和研究進展。

衷心感謝為專題提供特邀論文的專家學者們的大力支持，感謝審稿專家們的嚴格把關(guān)。相信本專題將有利于推動我國GaN 電子器件與先進集成的半導體技術(shù)研究與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。