微波固態(tài)器件與單片微波集成電路技術(shù)的新發(fā)展*

周德金，黃 偉，寧仁霞

(1.復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院，上海 200443；2.清華大學(xué)無(wú)錫應(yīng)用技術(shù)研究院，江蘇無(wú)錫 214072；3.桂林電子科技大學(xué)廣西精密導(dǎo)航技術(shù)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，廣西桂林 541004；4.黃山學(xué)院信息工程學(xué)院智能微系統(tǒng)安徽省工程技術(shù)研究中心，安徽黃山 245021)

1 引言

二戰(zhàn)以來(lái)，隨著雷達(dá)、無(wú)線通信以及無(wú)線電導(dǎo)航技術(shù)需求的不斷增長(zhǎng)，發(fā)達(dá)國(guó)家越來(lái)越重視戰(zhàn)略地位高的微波理論與技術(shù)并投入大量的人力和物力，一批科學(xué)家和工程技術(shù)人員也開展了一系列卓有成效的工作，將微波領(lǐng)域由波導(dǎo)立體電路為主推進(jìn)到現(xiàn)在以單片微波集成電路（MMIC）為主，并不斷探索新的微波技術(shù)。

20 世紀(jì)60 年代，平面混合集成電路逐步發(fā)展起來(lái)，屬于微波混合集成電路（HMIC）。到20 世紀(jì)70 年代，砷化鎵（GaAs）材料和器件工藝日趨成熟，加快了微波集成電路（MIC）的發(fā)展。射頻電感和電容也得以采用半導(dǎo)體平面工藝加工而實(shí)現(xiàn)了片內(nèi)集成，微波電路從MIC 向體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高的MMIC 過(guò)渡，并逐漸成為微波技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)展的主流趨勢(shì)[1]，硅基互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Si CMOS）、鍺硅雙極-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(SiGe BiCMOS)、砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(GaAs HBT) 或贗配高電子遷移率晶體管(GaAs PHEMT)、磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP HBT)或磷化銦高遷移率晶體管(InP PHEMT)等MMIC 工藝呈現(xiàn)出共同發(fā)展的局面，較好地滿足了微波設(shè)備系統(tǒng)的多樣化應(yīng)用需求。

進(jìn)入21 世紀(jì)，隨著人類各方面需求的提高，射頻微系統(tǒng)的小型化、多功能化、功率密度進(jìn)一步提升，相繼誕生了氮化鎵高電子遷移率場(chǎng)效晶體管（GaN HEMT）技術(shù)、異構(gòu)集成技術(shù)和異質(zhì)集成技術(shù)，并正成為未來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)和熱點(diǎn)。本文緊密結(jié)合軍用相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)、現(xiàn)代通信系統(tǒng)在波束賦形、多進(jìn)多出（MIMO）的共性應(yīng)用趨勢(shì)，對(duì)微波毫米波器件與電路、射頻微系統(tǒng)進(jìn)行了梳理與歸納。

2 MMIC 器件工藝及發(fā)展?fàn)顩r

MMIC 是在半導(dǎo)體襯底上用半導(dǎo)體平面工藝法制造出有源器件和無(wú)源元器件，用金屬微帶線連接起來(lái)構(gòu)成應(yīng)用于微波頻段的功能電路。在芯片材料和器件工藝方面，目前比較成熟的工藝技術(shù)有Si RF CMOS、SiGe BiCMOS、GaAs HBT、GaAs PHEMT、InP HBT、InP PHEMT 等，GaN HEMT 技術(shù)處于快速發(fā)展階段。基于Si、SiGe、GaAs、InP 的MMIC 工藝已較成熟，主要的器件和工藝研究集中于應(yīng)用拓展和性能提升、完善成品率、降低制造成本和提高晶圓產(chǎn)能。

2.1 Si

以Si 基金屬氧化物絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管為主的CMOS 技術(shù)，按摩爾定律發(fā)展，其特征尺寸在2011 年達(dá)到22 nm,隨后以FinFET 技術(shù)為主的新器件、新工藝持續(xù)發(fā)展，F(xiàn)inFET 量產(chǎn)特征尺寸在2017 年也達(dá)到了10 nm，并在朝著7 nm、5 nm、3 nm 邁進(jìn)。

RF CMOS 是基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS 改進(jìn)的，適合射頻電路應(yīng)用的器件技術(shù)，最早研究于20 世紀(jì)90 年代中期。該技術(shù)的最大優(yōu)勢(shì)在于可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模集成，實(shí)現(xiàn)模擬與數(shù)字電路結(jié)合，最終實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成芯片。但是，隨著特征尺寸的縮小，晶體管的工作截止頻率并未趨于更高，且密集布線所產(chǎn)生的寄生效應(yīng)給射頻電路設(shè)計(jì)引入了不利因素。因此，目前微波毫米波電路所采用的RF CMOS 工藝主要仍是90 nm、65 nm、40 nm、32 nm、28 nm 等制程。65 nm 的SOI CMOS 最高振蕩頻率(fMAX)已達(dá)到450 GHz，完全可用于毫米波和太赫茲芯片設(shè)計(jì)[2]。此外，由于RF CMOS 具有與標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝兼容、低成本、高集成度、產(chǎn)能高等其他化合物所不具備的先天優(yōu)勢(shì)，目前成熟的應(yīng)用包括涉及無(wú)線通信芯片行業(yè)的GPS 接收機(jī)芯片、2.4 GHz 藍(lán)牙收發(fā)機(jī)SoC、GSM 手機(jī)收發(fā)SoC。RF CMOS 工藝的應(yīng)用研究集中在微波毫米波功率放大器、多通道低成本相控陣系統(tǒng)集成SOC 以及數(shù)字PA、通信基帶模塊等方向。

5G 通信催生了各種材料工藝的射頻芯片。2017年（ISSCC）SHAKIB 等[3]報(bào)道了一款26～33 GHz 寬帶毫米波5G 通信用的功率放大器，采用40 nm 工藝制程，在1V 工作電壓下，27～33GHz 輸出功率大于15dBm，帶寬800 MHz，峰值效率（PAE）大于33%，EVM 小于-25 dBc；2013 年（MTT）SHIN 等[3]報(bào)道了一款采用0.13 μm CMOS X 波段4 通道的相控陣發(fā)射機(jī)，每個(gè)通道集成了幅相控制電路和功率放大電路，在3 V 工作電壓下，每個(gè)通道輸出功率超過(guò)135 dBm；2017 年（CICC）QIAN 等[5]報(bào)道了一款3～7 GHz 4 通道數(shù)字調(diào)制相控陣發(fā)射機(jī)SOC，該芯片采用40 nm 工藝，相位控制精度小于0.35°，幅度誤差小于0.2 dB，在1.1 V/1.2 V 電源電壓下的輸出功率大于21 dBm，整體PAE高達(dá)38%。

另一方面，曾側(cè)重于數(shù)字電路設(shè)計(jì)的FinFET 技術(shù)也正在被用于面向基帶應(yīng)用的模擬電路開發(fā)，并能與數(shù)字電路較好地集成。例如，目前Intel 22 nm 制程之后的CPU、高通最新發(fā)布的驍龍系列SOC 等，都是基于FinFET。然而，因?yàn)镕inFET 的晶體管尺寸非常小，布線非常密集，晶體管的布局布線在射頻頻段會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的寄生效應(yīng)，射頻電路設(shè)計(jì)難度很大。即便如此，在技術(shù)與需求的推動(dòng)下，F(xiàn)inFET 工藝射頻電路還是取得了一定的成果。2017 年（ISSCC）PAOLO 等[6]報(bào)道了一款2.4 GHz 的數(shù)字極化發(fā)射機(jī)SOC，該發(fā)射機(jī)采用Intel 14 nm Trigate/FinFET 制程，在1 V 電源電壓下，單通道輸出峰值功率超過(guò)19 dBm，PAE 超過(guò)32%，在輸出功率為12 dBm 時(shí)，EVM 小于-31 dBc。

全耗盡絕緣硅（FD-SOI）是另一種先進(jìn)硅材料體系的硅芯片制造工藝。它是在絕緣氧化硅埋層/單晶Si 襯底材料體系上生長(zhǎng)一層超薄的單晶硅層后再研制平面晶體管結(jié)構(gòu)的技術(shù)。FD-SOI 技術(shù)集成了兩個(gè)創(chuàng)新工藝：一是超薄的硅層制造晶體管溝道；二是底部硅層上生長(zhǎng)超薄的氧化絕緣層，故其仍能沿襲現(xiàn)有的CMOS 工藝制程，實(shí)現(xiàn)摩爾定律的芯片面積微縮、性能提升和能耗降低。相比FinFET 新工藝，F(xiàn)D-SOI 更容易實(shí)現(xiàn)，加工成本更低。例如，相對(duì)統(tǒng)一特征尺寸的標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝，28 nm 的FD-SOI 較前者具有50%射頻性能提升的優(yōu)勢(shì)和更明顯的低功耗特性。FD-SOI 工藝主要面向低功耗和低成本應(yīng)用，在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，其相對(duì)于FinFET 工藝更具潛力。由于高溫下的高效存儲(chǔ)和功耗泄露管理，F(xiàn)D-SOI 能為汽車應(yīng)用帶來(lái)絕佳的可靠性。目前，F(xiàn)D-SOI 生態(tài)系統(tǒng)正在壯大，多家Foundry 宣布了量產(chǎn)計(jì)劃，EDA 公司正在積極研發(fā)IP，F(xiàn)abless 公司也正在嘗試應(yīng)用設(shè)計(jì)。例如，Global Foundaries 推出了面向下一代無(wú)線和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK（22FDX-rfa）解決方案，以及面向5G、汽車?yán)走_(dá)、WiGig、衛(wèi)星通信、無(wú)線回傳等新興高容量晶圓的毫米波PDK（22FDX-mmWave）解決方案[7]。

2.2 SiGe

SiGe 合金材料的禁帶寬度小于Si 的禁帶寬度，以傳統(tǒng)的Si 基晶體管技術(shù)為基礎(chǔ)，已實(shí)現(xiàn)了SiGe 異質(zhì)結(jié)晶體管以及集成電路的制造。SiGe 外延技術(shù)主要有3 種：分子束外延、超高真空化學(xué)氣相淀積、常壓化學(xué)氣相淀積。第一只SiGe HBT 由IBM 公司于1987年采用MBE 方式制造，隨后進(jìn)行不斷完善，直到1989年，制作出理想異質(zhì)結(jié)特性的HBT[8-9]。隨后，IBM、Jazz、Phillip、TEMIC 以及Global Foundries 等公司持續(xù)對(duì)集成HBT 和CMOS 技術(shù)的BiCMOS 進(jìn)行不斷研究以提升SiGe 器件的性能。1998 年，IBM 公司首先推出了商業(yè)化應(yīng)用的SiGe BiCMOS 5HP 工藝技術(shù)，目前更新到9HP 節(jié)點(diǎn)，器件截止頻率超過(guò)200 GHz。德國(guó)的IHP 和NXP 等公司也推出了各自的工藝技術(shù)。NXP 公司推出的QUBIC14 工藝器件的增益和噪聲特性可以和GaAs 相媲美。2006 年，IBM 與喬治亞理工學(xué)院合作，SiGe HBT 在液氮-268 ℃條件下特征頻率(fT)達(dá)到500 GHz[8]。

SiGe HBT 擁有較好的線性度和更高的速度，以及更好的工作電壓范圍，因此兼顧C(jī)MOS 和HBT 兩者優(yōu)點(diǎn)的SiGe BiCOMS 是一個(gè)MMIC 芯片設(shè)計(jì)有競(jìng)爭(zhēng)力的工藝選項(xiàng)，在射微系統(tǒng)SOC 方面也具有較大優(yōu)勢(shì)，SiGe HBT 能廣泛用于放大器和混頻電路，而SiGe CMOS 能用于數(shù)字以及幅相控制電路。盡管在面對(duì)Si CMOS 競(jìng)爭(zhēng)時(shí)，它也存在工藝成熟度相對(duì)較低和產(chǎn)能不足、工藝復(fù)雜以及與數(shù)字Si CMOS 電路工藝不兼容等現(xiàn)實(shí)問(wèn)題，但SiGe BiCOMS 相對(duì)于GaAs MMIC 來(lái)說(shuō)，在大批量應(yīng)用時(shí)（數(shù)量超過(guò)100000 只），晶圓尺寸（SiGe 目前晶圓達(dá)到203 mm，GaAs 晶圓最大為152 mm）和集成度均體現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。它目前最主要的研究熱點(diǎn)是用于相控陣T/R 組件的小信號(hào)電路，目標(biāo)是代替GaAs MMIC 在T/R 組件中的地位，實(shí)現(xiàn)T/R 組件低成本化。

目前基于SiGe BiCMOS 技術(shù)的主要射頻或微波毫米波芯片有低噪聲放大器、微波毫米波功率放大器、混頻器、壓控振蕩器、相控陣多通道T/R 集成SOC等，其中相控陣多通道SOC 是研究的熱點(diǎn)。2014 年（MTT）KU 等[9]報(bào)道了一款77～81 GHz 的多通道相控陣接收SOC，SOC 采用IBM 8HP SiGe BiCMOS 制程，集成了16 個(gè)接收通道，每通道具備幅相控制功能，且集成了本振頻率源，直接輸出為中頻信號(hào)。2016 年（MTT）ZIHIR 等[11]報(bào)道了一款工作于60 GHz 的相控陣發(fā)射SOC，該SOC 集成了16 個(gè)通道，每一個(gè)通道具備幅相控制功能，并集成了SPI、ESD、聯(lián)網(wǎng)等模塊功能，由16 個(gè)SOC 通過(guò)全網(wǎng)連接技術(shù)和芯片拼接技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了256 個(gè)通道的片上系統(tǒng)級(jí)集成，故這在多通道系統(tǒng)級(jí)集成技術(shù)應(yīng)用上具有里程碑意義。2017 年（ISSCC）HU 等[12]報(bào)道了一款多頻段多爾蒂結(jié)構(gòu)的5G通信線性毫米波功率放大器，該芯片采用Global Foundries 0.13 μm SiGe BiCMOS 工藝，可工作在28 GHz、37 GHz、39 GHz 3 個(gè)頻道，輸出峰值功率分別為16.8 dBm、17.1 dBm、17 dBm，峰值增益分別為18.2 dB、17.1 dB、16.6 dB，對(duì)應(yīng)的峰值效率分別為20.3%、22.6%、21.4%，用于5G 通信時(shí)可實(shí)現(xiàn)3 Gbit/s（64-QAM）的數(shù)據(jù)傳輸。

從最近幾年報(bào)道的成果能看出，SiGe BiCMOS 越來(lái)越受到人們的關(guān)注。隨著信息產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，以及SiGe BiCMOS 技術(shù)的持續(xù)完善和推廣，SiGe BiCMOS 將在未來(lái)的RFIC 和MMIC 應(yīng)用領(lǐng)域中占據(jù)重要的地位。

2.3 GaAs

GaAs 材料相對(duì)于Si 具有高電子遷移速率、高漂移速率、高禁帶寬度和低襯底損耗，是制造微波毫米波最理想的二代半導(dǎo)體材料。GaAs 直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)，工作溫度范圍寬，不易受到電磁輻射損傷，比較適合在宇航和核輻射的環(huán)境下工作。GaAs、InP 兩者組成的三元化合物半導(dǎo)體可以產(chǎn)生不同于GaAs 單一化合物材料的電學(xué)性能，這源于材料體系的能帶工程調(diào)控技術(shù)不斷進(jìn)步。20 世紀(jì)60 年代末提出的超晶格理論和20 世紀(jì)80 年代分子外延層技術(shù)的成熟，促進(jìn)了半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)的發(fā)展。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的一大優(yōu)點(diǎn)是能夠采用晶格常數(shù)相近的不同半導(dǎo)體形成異質(zhì)結(jié)，將Si 半導(dǎo)體的“摻雜工程”轉(zhuǎn)變?yōu)椤澳軒Чこ獭保纱苏Q生了一系列新型異質(zhì)結(jié)器件，例如異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管（HFET）、異質(zhì)結(jié)雙級(jí)晶體管（HBT）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、膺配高電子遷移率晶體管（PHEMT）等。

超晶格理論以及半導(dǎo)體薄層的量子效應(yīng)是近30年來(lái)半導(dǎo)體物理研究中取得的重大突破。科學(xué)家基于這兩大理論掌握了振蕩頻率為400 GHz、開關(guān)速度為2 ps 的臺(tái)面Al-GaAs 諧振隧道器件（RTD）整套技術(shù)，隨后研制出一種諧振隧道雙極晶體管，并沿襲一維量子化產(chǎn)生量子阱的思路深入開展包含二維量子化產(chǎn)生量子線、三維量子化產(chǎn)生量子點(diǎn)在內(nèi)的低維半導(dǎo)體體系研究。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電子波封閉在一個(gè)量子線中時(shí)，會(huì)形成電子波導(dǎo)，而電子波導(dǎo)中電子的傳播與光在波導(dǎo)中的傳播類似。在這些器件的激發(fā)下，一些新的器件構(gòu)想不斷誕生，并得到各國(guó)科技機(jī)構(gòu)的關(guān)注[13]。

最為典型的就是1983 年美國(guó)投資監(jiān)理GaAs 研究中心和GaAs 門陣列生產(chǎn)線。1986 年由美國(guó)國(guó)防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局DARPA 主導(dǎo)，總投資約10 億美元的微波毫米波單片集成電路計(jì)劃大大推動(dòng)了GaAs 的研究和應(yīng)用。20 世紀(jì)90 年代，微波單片集成電路和數(shù)字砷化鎵門電路這兩個(gè)研究熱點(diǎn)方向都取得了不錯(cuò)的研究成果。例如，1991 年微波單片集成電路計(jì)劃第一階段研發(fā)出79 種MMIC 芯片，頻率覆蓋1～100 GHz。數(shù)字GaAs 芯片在1992 年進(jìn)行第一次演示驗(yàn)證，結(jié)果表明數(shù)字GaAs 芯片不僅可以滿足軍方需要，還能將系統(tǒng)的成本降低50%，系統(tǒng)重量和體積也能降低70%。軍方一致認(rèn)為，數(shù)字GaAs 器件表現(xiàn)出更強(qiáng)的抗干擾性能。美國(guó)和歐洲在這方面給予了重點(diǎn)支持[13]。

GaAs HBT 于 1984 年研制成功，采用AlGaAs/GaAs 異質(zhì)結(jié)替代Si 雙極器件中的p-n 結(jié)，取得了比Si BJT 更優(yōu)異的性能[13]。HBT 是一種改進(jìn)的雙極晶體管，其發(fā)射區(qū)和基區(qū)是由不同帶隙的半導(dǎo)體構(gòu)成，發(fā)射區(qū)具有寬帶隙材料，這種發(fā)射極結(jié)構(gòu)提供勢(shì)壘，阻擋空穴注入基區(qū)，而有利于電子的注入，電流從發(fā)射極到集電極垂直流過(guò)HBT，而不像MESFET 橫向流動(dòng)，縱向電流流動(dòng)能維持高的功率密度，因此HBT 是比MESFET 更為有效的功率放大器件[14]。HBT在發(fā)射極采用寬帶隙材料,HBT 基區(qū)層摻雜濃度可以非常高，從而維持高的電源增益。在GaAs HBT 中基區(qū)薄層方塊電阻僅200 Ω，比典型的Si BJT 低近一個(gè)數(shù)量級(jí)，有助于圖形的大尺寸設(shè)計(jì)。此外，GaAs 半絕緣襯底消除了對(duì)延遲時(shí)間常數(shù)和增益帶寬產(chǎn)生嚴(yán)重影響的集電極-襯底電容，也有助于器件的頻率特性提升。GaAs HBT 作為一種超負(fù)載雙極晶體管，GaAs電子遷移率8500 cm2/(V·s)比Si 的1500 cm2/(V·s)高，GaAs HBT 可在低Vce(小于1 V)下達(dá)到高的fT，在低電壓、小功率電路中體現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。因HBT 是雙極工藝，器件可以在單一正電源電壓下工作，不像MESFET 和PHEMT 器件需要雙電源工作，故能為設(shè)計(jì)與應(yīng)用帶來(lái)較大的方便。

GaAs HBT 主要應(yīng)用在無(wú)線高頻通訊產(chǎn)品，主要體現(xiàn)形式是RF PA。傳統(tǒng)2G 手機(jī)中，一般是2 個(gè)功率放大器，一般只有一個(gè)頻段。3G 時(shí)代，一部手機(jī)平均使用4 顆PA。3.5G 時(shí)代平均使用6 顆PA。在4G 時(shí)代，基于調(diào)制方式的改進(jìn)，單部手機(jī)至少需要5 顆GaAs HBT PA。若還涉及WIFI、GPS 等應(yīng)用，則需要更多HBT PA。在5G 時(shí)代，數(shù)據(jù)傳輸速度將是4G LTE 的100 倍，只有高性能的GaAs HBT PA 才能滿足要求。4G 和5G 的推進(jìn)是GaAs HBT 應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽躘15]。2013 年上半年高通推出CMOS 功率放大器解決方案，開始打入低端智能手機(jī)供應(yīng)鏈，但是由于Si材料物理性能限制，無(wú)法應(yīng)用于高頻領(lǐng)域。因此，雖然Si 材料較GaAs 有成本優(yōu)勢(shì)，但高頻PA 在5G 通信時(shí)代應(yīng)用具有較高的技術(shù)門檻，市場(chǎng)并不會(huì)受到影響，GaAs 材料在手機(jī)功率放大器領(lǐng)域具有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)[15]。

GaAs HEMT 器件生長(zhǎng)在半絕緣襯底上，是基于AlGaAs/GaAs 異質(zhì)結(jié)材料體系的器件，主要包括外延材料成型和器件制造。一般制造過(guò)程如下：首先采用MBE 等技術(shù)在純GaAs 上面連續(xù)生長(zhǎng)高純窄帶隙GaAs 材料緩沖層、重n 型寬帶隙AlGaAs 固溶體材料摻雜層和重n 型GaAs 歐姆接觸層；接下來(lái)采用臺(tái)面腐蝕工藝，隔離器件的有源區(qū)，在重n 型GaAs 上淀積Au/Ge/Au 作為器件的源漏歐姆接觸電極，通過(guò)干法選擇腐蝕去除柵極區(qū)上面的n+-GaAs 層。在裸露的n+-AlGaAs 摻雜層表面上淀積Ti/Pt/Au 柵電極，以與AlGaAs 層面形成肖特基勢(shì)壘。因此HEMT 器件的能帶結(jié)構(gòu)是在半絕緣襯底上形成兩個(gè)背靠背的勢(shì)壘，即柵電極與AlGaAs 層形成的肖特基勢(shì)壘以及AlGaAs與GaAs 形成的突變異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘。當(dāng)器件柵偏壓處于平衡狀態(tài)時(shí)，異質(zhì)結(jié)界面處在受到導(dǎo)帶偏移的作用力影響下，已摻雜寬禁帶AlGaAs 半導(dǎo)體的電子會(huì)翻越導(dǎo)帶差進(jìn)入到窄禁帶為摻雜的GaAs 中，上述電子和相應(yīng)的施主雜質(zhì)在物理空間上是分離的，并在異質(zhì)結(jié)中形成一個(gè)由AlGaAs 層中的雜質(zhì)正離子指向GaAs層電子的內(nèi)建電場(chǎng)，且在窄禁帶GaAs 層一側(cè)會(huì)形成一個(gè)近似三角形的勢(shì)阱。流向GaAs 一側(cè)的電子被限制在三角形勢(shì)阱中（二維電子勢(shì)阱），被約束在平行于異質(zhì)結(jié)界面的兩維自由度方向，因此被稱為二維電子氣，即2DEG。二維電子氣中的電子具有很高的遷移率，常溫下高達(dá)8000 cm2/(V·s)，因而HEMT 器件具有高速和高增益特性。HEMT 器件是電壓控制器件，控制柵極電壓可控制異質(zhì)結(jié)三角形勢(shì)阱的深度和寬度，自然能改變溝道內(nèi)二維電子的面密度，進(jìn)而控制器件的工作電流。PHEMT 器件是HEMT 器件的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，即采用非摻雜的InGaAs 代替非摻雜的GaAs 作為二維電子氣的溝道材料制作而成的。InGaAs 材料具有比GaAs 材料更窄的能帶帶隙，增加了異質(zhì)結(jié)導(dǎo)帶不連續(xù)性，提高了溝道電子濃度。另外，InGaAs 材料具有更小的電子有效質(zhì)量，其電子遷移率高達(dá)15000cm2/(V·s)，器件的高頻特性更優(yōu)[16]。

GaAs PHMET 器件的工作頻率、工作電壓與特征尺寸有關(guān)，特征尺寸已接近50 nm，可工作在毫米波和太赫茲頻段。PHMET 器件根據(jù)特性和應(yīng)用，能制作面向特定應(yīng)用的功能器件，例如開關(guān)器件、功率器件和低噪聲器件。目前主流的商用工藝線為4 英寸（102 mm）和6 英寸（152 mm）。GaAs PHEMT 可用于低噪聲放大器（LNA）、單刀雙擲開關(guān)（SPDT）、數(shù)控移相器（PS）、數(shù)控衰減器（AT）、功率放大器（PA）等，這些是相控陣T/R 組件的核心MMIC。2008 年有報(bào)道利用6 英寸（152 mm）0.15 μm 柵長(zhǎng)的GaAs PHEMT 加工Ka 波段功放，35 GHz 輸出功率可達(dá)6 W，增益大于23 dB,PAE 為26%，末級(jí)功率密度約675 mW/mm（每毫米柵長(zhǎng)的器件輸出功率值）[17]。2010 年報(bào)道了輸出功率密度超過(guò)1 W 的Ka 波段GaAs PHEMT[18]。GaAs PHEMT 提供的器件種類也具有多樣性，例如E/D 型PHEMT 工藝，集成了E 型器件和D 型器件，可以制作復(fù)雜的T/R 一體化微波前端多功能MMIC（MFC）[19]。GaAs PHEMT 技術(shù)因工藝成熟度和低噪聲的優(yōu)勢(shì)，長(zhǎng)期在傳統(tǒng)的MMIC 領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，并將隨著射頻微系統(tǒng)的小型化發(fā)展而持續(xù)進(jìn)步。

隨著能帶工程的繼續(xù)發(fā)展，InGaAs 溝道和GaAs襯底在晶格上不匹配的問(wèn)題，可通過(guò)超晶格方法生長(zhǎng)緩變的緩沖層來(lái)解決，這種HEMT 稱為變構(gòu)HEMT，即MHEMT，而GaAs、Si 和Ge 均可作為MHEMT 的襯底。GaAs 基的MHEMT 與InP HEMT 相比，具有成本低、晶格質(zhì)量高、機(jī)械強(qiáng)度好和襯底尺寸較大等特點(diǎn)，其工作頻率已進(jìn)入亞毫米波。2011 年報(bào)道的20 nm柵長(zhǎng)的MHEMT，其fT達(dá)到660 GHz，是HEMT 器件的最高值[2]。MHEMT 能工作到H 波段，成為研究亞毫米波應(yīng)用的重要器件。

GaAs 半導(dǎo)體的制造流程與Si 相似，市場(chǎng)上的主要廠商多為國(guó)際IDM 廠商。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的穩(wěn)懋半導(dǎo)體是世界上GaAs 領(lǐng)域最大的代工廠，代工市場(chǎng)占有率超過(guò)60%。全球GaAs 半導(dǎo)體市場(chǎng)份額最大是Qorvo，次之是Skyworks。GaAs HBT 和PHEMT 器件是MMIC 領(lǐng)域最主要的器件，也是目前MMIC 器件中最成熟、性能最優(yōu)的（在GaN 器件工藝成熟之前）。在移動(dòng)設(shè)備和國(guó)防應(yīng)用中，GaAs 材料的器件是主流，是MMIC 中的典型代表。

2.4 InP

InP 的器件工藝技術(shù)源于GaAs，但是與GaAs 相比，InP 的襯底材料擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速度都要高，因此InP 器件具有明顯的高頻優(yōu)勢(shì)。然而InP的不足在于材料較脆弱，晶圓技術(shù)目前不如GaAs 成熟。

InP 的技術(shù)發(fā)展晚于GaAs。第一只InP HEMT 由AKSUN 等報(bào)道于1986 年，被制作在InP 襯底上，其中異質(zhì)結(jié)的InGaAs 溝道的In 含量為53%。經(jīng)過(guò)改進(jìn)，InP 短?hào)砰L(zhǎng)HEMT 于1988 年問(wèn)世，它表現(xiàn)出在毫米波頻段具有卓越的噪聲性能[20]。近些年，InP HEMT 器件研究取得重大進(jìn)展。2017 年CHA 等[21]研制出0.1 μm InP 低噪聲HEMT，其gm可達(dá)1500 mS/mm，而GaAs低噪聲PHEMT 的gm約為600 mS/mm。在超高頻InP HEMT 器件研制上，MEI 等的研究具有代表性。2015年他們報(bào)道了柵長(zhǎng)25 nm 的InP HEMT 在1 THz 處增益為3.5 dB，fMAX達(dá)到1.5 THz，這是近期報(bào)道最短?hào)砰L(zhǎng)的HEMT 器件，具有里程碑的意義[22]。目前，InP PHEMT 器件技術(shù)仍然在持續(xù)發(fā)展，主要用于毫米波低噪聲放大器和毫米波高效率高功率功率放大器。與此同時(shí)，增強(qiáng)性InP HEMT 器件也在研究中，已有相關(guān)的成果報(bào)道[20]。增強(qiáng)性InP HEMT 器件結(jié)合耗盡性InP HEMT 器件，將來(lái)可能被用于制作超高速的數(shù)字邏輯電路。

2015 年MEI 等[23]制作了一款TMIC 放大器，該放大器在1 THz 處增益為9 dB，是目前工作頻率最高的放大器。2017 年LEONG 等[24]采用25 nm 的InP HEMT 技術(shù)，研制出工作于850 GHz 的太赫茲收發(fā)組件，其中一款低噪聲放大器在790～820 GHz 頻帶內(nèi)增益大于10 dB。可見，InP HEMT 技術(shù)在太赫茲單片電路領(lǐng)域具有比較大的高頻優(yōu)勢(shì)，在太赫茲研究中是一種重要的器件。

21 世紀(jì)初，國(guó)際上開始采用GaAsSb 材料替代InGaAs 制作 InP/GaAsSb/InP DHBT。 2011 年URTEAGA 等[25]提出130 nm 的InP DHBT，是目前報(bào)道的最小的特征尺寸，該器件的截止頻率超過(guò)520GHz，最大振蕩頻率超過(guò)1.1 THz。

InP DHBT 在毫米波PA 和太赫茲PA 應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，已獲得各方肯定。GRIFFITH 等[26]研制了2 款毫米波功率放大器，PA1 工作于71～95 GHz,PA2 工作于96～120 GHz。PA1 帶內(nèi)具有20 dB 增益，輸出功率為105～138 mW，PAE 為21%～36%；在81 GHz處，輸出功率為135 mW,PAE 為36%。隨著基區(qū)電流的降低，在輸出功率為129.6 mW 時(shí)，PAE 達(dá)到40%。PA2 在102.5 GHz 處輸出功率超過(guò)98.1 mW，效率高達(dá)21%。由此可見，InP DHBT 在毫米波單片集成電路PA 應(yīng)用中具有高頻高效率的顯著特點(diǎn)。

InP DHBT 還廣泛用于超高速集成電路，例如超高速的DAC 等。近年來(lái)，隨著集成InP DHBT 器件的異構(gòu)集成技術(shù)取得突破性進(jìn)展，InP DHBT 在未來(lái)將會(huì)成為射頻微系統(tǒng)高頻高速高效率器件中不可或缺的一部分。

2.5 GaN

GaN HEMT 誕生自1993 年，經(jīng)過(guò)了近20 年的發(fā)展，已經(jīng)在射頻功率放大器方面得到初步應(yīng)用[27]。GaN材料是第三代半導(dǎo)體的代表，從能帶角度來(lái)看的話，最為典型的特點(diǎn)是寬禁帶。美國(guó)國(guó)防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局（DARPA）為了推動(dòng)GaN 研究的進(jìn)步，相繼制定了針對(duì)性計(jì)劃，主要包括寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新計(jì)劃（WBGSTI）和電子下一代技術(shù)計(jì)劃（NEXT）。在GaN研究與應(yīng)用中，美國(guó)走在前列。2011 年美國(guó)TriQuint公司（現(xiàn)在Qorvo 的一部分）宣布其GaN 產(chǎn)線達(dá)到工業(yè)9 級(jí)水平，并經(jīng)過(guò)美國(guó)國(guó)防部驗(yàn)證，可完全量產(chǎn)化。美國(guó)其他公司（雷聲公司、諾格公司等）、歐洲和日本相關(guān)公司緊隨其后，逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化[28]。我國(guó)的相關(guān)科研機(jī)構(gòu)經(jīng)過(guò)多年的研究和不斷的投入，也逐步實(shí)現(xiàn)工程化應(yīng)用。

趙正平先生對(duì)GaN HEMT 器件和MMIC 的研究進(jìn)展做了完備的綜述，提到了GaN HEMT 近些年的發(fā)展突破了一系列關(guān)鍵技術(shù)，例如高質(zhì)量4H-SiC 單晶晶圓的生長(zhǎng)難題，外延層的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)，柵極和雙場(chǎng)版的器件制造工藝，GaN HEMT 有源器件，MIM電容，薄膜電阻以及晶圓背孔等組成的GaN MMIC 工藝，GaN HEMT 小信號(hào)和大信號(hào)模型的提取與建模，抑制電流崩塌、柵漏電流等失效激勵(lì)與提升可靠性等[27]。研究人員分別對(duì)Si、SiGe、GaAs、InP 和GaN 等MMIC 工藝的功率特性和工作頻率進(jìn)行了分析。結(jié)果表明GaN HEMT 在高輸出功率、高工作效率、高工作頻率等方面具有較明顯的優(yōu)勢(shì)[29]。在功率密度方面，GaN HEMT 比Si、SiGe、GaAs、InP 等微波器件至少高出5 倍。在相同輸出功率和工作頻率（Ka 波段）下，GaN HEMT PA MMIC 尺寸相對(duì)GaAs PHEMT PA MMIC 尺寸可以縮小82%[30]。

目前GaN HEMT 國(guó)內(nèi)外都有相應(yīng)的MMIC 研究成果出現(xiàn)。住友電氣設(shè)備創(chuàng)新公司的KIKUCHI 等[31]于2014 年報(bào)道了輸出功率達(dá)到310 W 的X 波段GaN HEMT 功率器件模塊，南京電子器件研究所陶洪琪[32]于2016 年報(bào)道了X 波段60 W 的PA MMIC。BROWN 等[33]于2016 年報(bào)道了8192 個(gè)1 W 功率合成的W 波段GaN PA MMIC，W 波段功率發(fā)射機(jī)的輸出功率超過(guò)7 kW。南京電子器件研究所吳少兵等[34]于2016 年報(bào)道了W 波段1 W 輸出功率的GaN PA MMIC。從相關(guān)成果的報(bào)道時(shí)間順序來(lái)看，中國(guó)的GaN HEMT PA 研究相對(duì)國(guó)外有一定的落后。

GaN HEMT 器件在毫米波和太赫茲應(yīng)用中同樣具有很大的優(yōu)勢(shì)。2016 年WIENECKE 等[35]報(bào)道的N極深凹SiN 介質(zhì)柵HEMT 器件，最大頻率可達(dá)276 GHz，在8 V 電源電壓支持下，峰值功率可達(dá)1.73 W/mm。在10 V 電源電壓下，峰值功率可達(dá)2.9 W/mm。NIIDA 等[36]于2016 年研制出W 波段HEMT 器件，該器件工作在20 V 電源電壓下，能獲得的功率密度為3.6 W/mm（86 GHz），這是目前已報(bào)道的W 波段GaN HEMT 最高的輸出功率密度。由此可見，GaN HEMT 在毫米波頻段可以用于大功率器件的研制。

隨著5G 的推進(jìn)和國(guó)防裝備的升級(jí)，GaN HEMT和PA MMIC 作為主要射頻功率器件將會(huì)進(jìn)入高需求時(shí)期，這將會(huì)大大推進(jìn)GaN 的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)化，前景非常光明。

3 射頻異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前微系統(tǒng)技術(shù)路線分為以Northrop Grumman、Teledyne 公司為代表的三維異構(gòu)集成和以Raytheon、HRL 為主導(dǎo)的晶體管級(jí)異質(zhì)集成。三維異構(gòu)集成的代表是目前的“芯粒”產(chǎn)品實(shí)用化技術(shù)，并在成本、速度、成熟度等方面具有較明顯的優(yōu)勢(shì)，但隨著微系統(tǒng)沿三維堆疊方向的集成規(guī)模攀升，因中道互連引線所產(chǎn)生的延遲效應(yīng)已成為限制微系統(tǒng)性能提升的重要因素之一。

DARPA 于2012 年推出了“硅基化合物半導(dǎo)體”項(xiàng)目(簡(jiǎn)稱COSMOS 項(xiàng)目)。COSMOS 項(xiàng)目擬開發(fā)一種靈活的、高成品率的晶體管異質(zhì)集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)化合物半導(dǎo)體器件與標(biāo)準(zhǔn)Si CMOS 器件的異質(zhì)集成。COSMOS 計(jì)劃的3 家參研單位Northrop Grumman、Raytheon 以及HRL 已經(jīng)完成了第一階段的研制任務(wù)，實(shí)現(xiàn)了化合物半導(dǎo)體器件與Si CMOS 的異質(zhì)集成。目前COSMOS 計(jì)劃已進(jìn)入第二期階段，進(jìn)行DA 等電路的集成，Raytheon 在InP/CMOS 單片異質(zhì)集成研究方面，已掌握Si/InP 選區(qū)生長(zhǎng)、InP HBT/CMOS 兼容工藝以及毫米波芯片集成整套關(guān)鍵技術(shù)，研制出國(guó)際上首款I(lǐng)nP 與Si CMOS 異質(zhì)集成的量化降速芯片，頻率達(dá)到13 GHz，降速比為1:16，功耗小于1.2 W，與單一InP HBT 工藝相比，工作頻率維持不變，降速比提高1倍，功耗降低36%。在異質(zhì)集成方面，國(guó)內(nèi)尚未有相關(guān)單位的研究報(bào)道，主要采用“金絲鍵合”或者“凸點(diǎn)焊”以實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)異質(zhì)集成。

近年來(lái)，GaN 器件與MMIC 在高功率、高效率、小型化方面的應(yīng)用得到長(zhǎng)足的進(jìn)步，這為GaN 在新體制雷達(dá)通信系統(tǒng)的多功能、集成化應(yīng)用創(chuàng)造了有利的條件。為此，研究者正在加大對(duì)襯底材料改進(jìn)、器件和工藝等關(guān)鍵要素的創(chuàng)新性研究，以加速M(fèi)MIC 器件的射頻微系統(tǒng)向著異構(gòu)集成或異質(zhì)集成的方向發(fā)展。

3.1 GaN 器件的散熱結(jié)構(gòu)研究

采用GaN 材料的MMIC 能工作在較高的電壓下，其功率密度也得到相應(yīng)的提升，而隨著器件技術(shù)的進(jìn)步和功率密度的提升，器件的散熱問(wèn)題越來(lái)越成為GaN PA 的發(fā)展瓶頸。若襯底熱阻較高，HEMT 溝道溫度將會(huì)升高到一個(gè)危險(xiǎn)的溫度，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性下降，甚至燒毀器件。主流GaN MMIC 采用SiC 材料作為襯底也正是因?yàn)镾iC 材料具有較高的熱導(dǎo)率。目前，一種基于金剛石作為襯底的GaN 器件研究逐漸成為熱點(diǎn)。金剛石硬度高、耐高溫、抗腐蝕和輻射，熱導(dǎo)率達(dá)到2200 W/(m·K)。它的熱導(dǎo)率比碳化硅（SiC）高4 倍、比硅高13 倍、比砷化鎵高43 倍，比金屬銅和銀還要高4 倍。以目前SiC 襯底GaN 功率密度和器件工作結(jié)溫推算，采用金剛石襯底的GaN PA 密度將接近40 W/mm，能將現(xiàn)有的功率系統(tǒng)體積大幅度縮小3/4。2013 年美國(guó)Group4 的研究人員對(duì)金剛石襯底的GaN HEMT 器件的可靠性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)表明金剛石襯底的GaN HEMT 器件在200 ℃溝道溫度下工作了超過(guò)17 萬(wàn)小時(shí)，器件的電流變化小于10%。可見，金剛石襯底的GaN HEMT 器件的可靠性也是一大優(yōu)勢(shì)[37]。

2012 年HIRAMA 等[38]對(duì)以SiC 材料為襯底的HEMT 結(jié)構(gòu)與以金剛石為襯底的HEMT 結(jié)構(gòu)的溫度進(jìn)行了測(cè)量。在柵寬630 μm、輸出功率2 W 的條件下，器件溫度最高處分別為36 ℃與46 ℃，與室溫相比分別上升了13 ℃和23 ℃，充分體現(xiàn)了金剛石作為GaN 器件襯底的散熱優(yōu)勢(shì)。歐盟于2008 年啟動(dòng)MORGaN 項(xiàng)目（2008—2011），率先將高熱導(dǎo)率金剛石引入了GaN 基HEMT 器件和電路的研制中，研究單晶金剛石襯底、納米金剛石表面覆膜等技術(shù)對(duì)GaN 基HEMT 器件性能的影響。研究結(jié)果表明，在器件研制過(guò)程中引入納米金剛石表面覆膜，可以將襯底對(duì)器件的影響顯著降低，提高器件的散熱能力[37]。

在金剛石襯底的GaN HEMT 器件研究中，GaN材料和金剛石的晶格失配、接觸界面受損、材料結(jié)合處界面態(tài)等技術(shù)難題是阻礙金剛石襯底發(fā)揮理想特性的關(guān)鍵難題。2017 年12 月，日本富士通公司實(shí)驗(yàn)室（Fujitsu Laboratories Ltd.）發(fā)布了金剛石襯底的GaN HEMT 器件研究成果，在工藝中將普通SiC 基GaN HEMT 器件的襯底削薄，然后在室溫下將前者鍵合在金剛石基片上面。該成果的重要意義在于實(shí)現(xiàn)了室溫條件下SiC 薄襯底與金剛石單晶材料的鍵合，提升了接觸界面的熱導(dǎo)率，GaN HEMT 器件熱阻得以降低60%以上[39]。若金剛石襯底大規(guī)模生產(chǎn)得到解決，GaN HEMT MMIC 功率密度可至少提升2 倍。在可預(yù)見的將來(lái)，隨著GaN HEMT 器件金剛石襯底與GaN 材料的晶格匹配技術(shù)不斷優(yōu)化，GaN HEMT 功率密度將實(shí)現(xiàn)數(shù)倍的提升。而采用金剛石襯底的GaN HEMT 功率器件的射頻微系統(tǒng)體積將大大降低，微波空間距離得到數(shù)倍增長(zhǎng)。

近年來(lái)，具有高功率密度的GaN 半導(dǎo)體技術(shù)因其在5G 通信應(yīng)用中有望帶來(lái)射頻前端的小型化、成本競(jìng)爭(zhēng)力的潛在優(yōu)勢(shì)而受到越來(lái)越多的關(guān)注，線性度指標(biāo)是當(dāng)前重點(diǎn)突破的關(guān)鍵參數(shù)。DARPA 于2017 年提出的OIP3/Pdc，將現(xiàn)有的約10 dB 的技術(shù)水平提高至1000 dB。復(fù)旦大學(xué)作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟CASA 的GaN 微波射頻技術(shù)路線圖(2020 年)的主要持筆單位之一，重點(diǎn)明確了GaN 射頻器件的線性化技術(shù)路徑[40]。目前，研究人員主要通過(guò)采用主從雙溝道材料體系、FinFET 新結(jié)構(gòu)器件降低柵源間的Racess電阻，避免載流子過(guò)早出現(xiàn)速度飽和，從而造成跨導(dǎo)下降[41-44]。

3.2 GaN 新型器件和工藝

基于GaN 材料研制的新型器件已取得一系列成果，但目前尚未成熟，有待繼續(xù)研究和完善。HRL Laboratories 的MICOVIC 等[41]于2017 年報(bào)道了GaN材料的雙異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（DHFET）。該種器件柵寬為40 nm，尺寸為4 μm×50 μm，DHFET 在V 波段（57～64 GHz）輸出功率高達(dá)376 mW，附加效率為48%，漏極效率（DE）為57%，在59 GHz 時(shí)具有超過(guò)8 dB 的功率增益。LUO 等[46]于2017 年報(bào)道了基于E/D GaN HEMT 工藝制作的一款X 波段可承受高功率的5 位數(shù)控移相器。該移相器采用E-HEMT 器件制作邏輯控制電路，D-HEMT 器件制作移相器的微波開關(guān)。

LEBLANC 等[47]于2016 年報(bào)道采用GaN/Si 工藝制作了工作于Ka 波段、6 W 的PA 和工作于X 波段、1.2 dB 噪聲系數(shù)的LNA。該工藝采用高阻P 型Si 為襯底，在上面制作GaN HEMT 器件和其他無(wú)源元器件結(jié)合而成。該器件截止頻率高達(dá)105 GHz，在30 GHz時(shí)最大穩(wěn)定增益高達(dá)14.5 dB，在40 GHz 的最小噪聲系數(shù)為1.8 dB，相應(yīng)的增益約為7.5 dB，連續(xù)波工作時(shí)輸出功率密度高達(dá)3.3 W/mm，峰值功率高達(dá)5.7 W/mm，擊穿電壓高于40 V。

EBLABLA 等[48]于2015 年報(bào)道了基于150 mm 低阻硅（σ＜10 Ω·cm）襯底制作的高性能GaN HEMT 器件。該器件采用0.3 μm 的柵長(zhǎng)，其截止頻率為55 GHz，振蕩頻率為121 GHz，直流跨導(dǎo)達(dá)到400 mS/mm。

CHIU 等[49]于2016 年研制了一種硅基GaN ABM（Air-Bridged Matrix）HEMT 器件，采用的復(fù)雜材料和結(jié)構(gòu)有效地抑制了自熱效應(yīng)。

GaN 新型器件的發(fā)展趨勢(shì)清晰表明，GaN 器件將朝著更高功率密度、更低成本和更好的散熱效果方面發(fā)展。

3.3 射頻微系統(tǒng)

異構(gòu)集成和異質(zhì)集成是將多種不同材料的器件集成在一起，是豐富甚至重構(gòu)出不同于現(xiàn)有單一材料MMIC 器件與工藝的新技術(shù)路線。DARPA 為了滿足未來(lái)的需求和促進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，提出了“地平線”計(jì)劃，目標(biāo)是微系統(tǒng)“效能增加100 倍、體積功耗降低為1/100”。DARPA 支持的相關(guān)計(jì)劃有可重構(gòu)毫米波陣列計(jì)劃（SMART）、三維電磁射頻系統(tǒng)計(jì)劃（3D MERFS）、材料與硅的異質(zhì)集成（HIMS）、垂直互聯(lián)傳感器陣列（VISA）、硅基化合物半導(dǎo)體材料（COSMOS）、多樣可用異質(zhì)集成（DAHI）項(xiàng)目計(jì)劃等。在基于MMIC 的異構(gòu)異質(zhì)集成方面，主要有3 種主流方案：微納米尺度組裝工藝，外延層印刷工藝，單片外延生長(zhǎng)工藝[50]。目前，諾斯羅普-格魯曼公司、HRL 實(shí)驗(yàn)室和雷聲公司代表了微系統(tǒng)集成的不同技術(shù)路線。

諾斯羅普-格魯曼公司的異構(gòu)集成方案主要利用3 種不同材料器件的優(yōu)勢(shì)，然后通過(guò)微納米尺度的組裝工藝將其集成在一起[51]。HRL 實(shí)驗(yàn)室的典型代表是外延層印刷異質(zhì)集成技術(shù)方案[52]，它可以實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)集成，主要集成方式是將多種不同材料的晶圓通過(guò)堆疊的方式集成。雷聲公司代表了單外延層生長(zhǎng)工藝方案[52]，它是在同一襯底上制作不同的器件。目前諾斯羅普-格魯曼公司的方案最為成熟，已經(jīng)提供可供實(shí)際應(yīng)用的工程方案，其他兩類方案尚存在成品率的問(wèn)題，有待改善。諾斯羅普-格魯曼公司報(bào)道的一種采用異構(gòu)集成技術(shù)的射頻微系統(tǒng)已出現(xiàn)，該SOC 集成了Si CMOS、GaN HEMT 和InP HBT 3 種不同的器件，實(shí)現(xiàn)了計(jì)劃的研究目的[51]。

4 總結(jié)

MMIC 的Si、SiGe、GaAs、InP 工藝和SiC 襯底的GaN HEMT 工藝仍將在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)占有自己的位置，發(fā)揮自己的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，同時(shí)在器件技術(shù)的推動(dòng)下，都向著毫米波和太赫茲應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展。第三代半導(dǎo)體GaN 材料、器件與MMIC 是研究熱點(diǎn)，器件創(chuàng)新向多樣化器件結(jié)構(gòu)發(fā)展，器件工作特性呈現(xiàn)出更高的功率密度、低失真技術(shù)路線。基于MMIC 器件工藝的異構(gòu)集成技術(shù)或異質(zhì)集成技術(shù)將朝著實(shí)用化的方向持續(xù)改進(jìn)和完善。