科學家開發出三維垂直場效應晶體管

張夢然

通過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導體通道，日本科學家制造了三維垂直場效應晶體管，可用來生產高密度數據存儲器件。此外，通過使用反鐵電體代替鐵電體，他們發現擦除數據只需要很小的凈電荷，從而提高了寫入的效率。發表在2022年IEEE硅納米電子研討會上的該項成果，將催生新的更小、更環保的數據存儲器。