超高純鋅的制備現狀與應用進展

陳佳旭，寧奇愚，馬高峰，何學斌，呂 萍，張健康，馬勝強，邢建東

（1.西安交通大學 金屬材料強度國家重點實驗室，陜西西安 710049；2.西安特種設備檢驗檢測院，陜西西安 710065；3.陜西省“四主體一聯合”鋅基新材料校企聯合研究中心，陜西西安 710049；4.陜西鋅業有限公司，陜西商洛 726007）

0 引言

高純鋅廣泛應用于機械制造、電子印刷、高性能鋅合金、高端熱鍍鋅產品和電子器件等多個領域。近年來，隨著半導體工業的迅速發展，超高純鋅的制備和應用被廣泛高度重視。超高純鋅是指鋅的含量超過7N 級別（即99.99999wt.%Zn 及以上水平）。面對5G 時代的迅猛發展和第四次工業革命的來臨，超高純金屬的開發和金屬高純化制備技術已成為發展化工原料、生物醫藥、還原劑、半導體與電子器件、核工業、電池材料、航空航天及痕量檢測等領域戰略材料的關鍵技術[1]，這主要是ppm 或亞ppm 級雜質的存在會對材料物理化學性質和器件性能（如靈敏度、響應性、失真度、功能性、催化性）產生顯著地、關鍵性地影響[2]。因此，在制備這些領域產品所需的材料時，必須對其進行高度提純，以滿足產品或器件功能化、高品質化和特征性方面的要求。例如，鄭州大學以何季麟院士為代表的中原關鍵金屬實驗室聚焦的研究點就是若干關鍵性金屬的高純化制備，并啟動了中國工程院戰略研究與咨詢重大項目“關鍵金屬冶金與材料化的國家（全面）戰略”重大項目）。顯然，超高純金屬的制備已成為第四次工業革命新材料時代的關鍵性技術。

含鋅量大于99.99%（4N 級）的高純鋅多用作制備壓鑄和耐磨鋅合金，且隨著鋅純度的提高，壓鑄鋅合金制品的強度、硬度、耐磨性等各項力學性能會得到改善，能夠滿足更多工況下的使用需求[3]。含鋅量為99.999%～99.9999%（5N～6N 級）的高純鋅在工業上的應用主要包括化工還原劑的制備、鋅電池、生物醫藥、半導體摻雜劑及高純鋅參比電極的生產、電子器件封裝以及對精度要求較高的如航空航天、汽車、核工業中的精密鋅合金壓鑄件制造等。而純度為99.99999%（7N 級）的超高純鋅則主要用于制備化合物半導體等電子器件、高純鋅靶材、痕量元素檢測器件等,如高純ZnSe、ZnO、ZnS、ZnTe 等具有高性能的晶體材料。除此之外，7N 級超高純鋅還被用作P 型材料摻雜劑以改變導電聚合物的性能，同時還可用作鋅基儲能材料、軍事和空間站領域高性能散熱器件。作為制備化合物半導體的重要基礎材料，7N 級超高純鋅對電子工業的發展有著重要的影響[4]。目前，中國葫蘆島鋅業股份有限公司、株洲冶煉集團有限公司、峨嵋半導體材料廠和四川鑫炬礦業資源股份有限公司等通過真空蒸餾提純均可生產6N級鋅材料。

目前，超高純鋅的制備的主要方法有電解精煉法、真空蒸餾法以及區域熔煉法等[3]。通過電解精煉法，鋅的純度能夠達到4N 級(99.99%)；通過在真空中蒸餾，利用各組分熔沸點不同而實現分離提純的真空蒸餾法可以使高純鋅的純度達到5N～6N 級（99.999%～99.9999%）；而7N 級（99.99999%）超高純鋅的制備只能通過區域熔煉的方法實現[5]。在真空蒸餾除去熔沸點與鋅相差較大雜質元素的基礎上，對高純鋅進行多次的區域熔煉，使雜質元素富集在錠料的首端或尾端，實現7N 級超高純鋅的規模生產。隨著半導體行業的發展，國內外電子器件、探測器和半導體市場對于7N 級超高純鋅的需求日益增加（如日本電子、三星公司等），高純化金屬制備已成為高端材料工業需求強勁的戰略資源材料。因此，研究和開發超高純鋅的關鍵制備技術，對于我國電子、汽車、航空航天、核工業和軍事國防的發展有著重大的意義。

1 超高純鋅的制備

1.1 電解精煉法

電解精煉法是目前工業上提純金屬應用最廣泛的方法，其設備、工藝簡單，但提純效果和純度有限。高純鋅的電解精煉原理為：鋅及其含有的雜質元素在電解質溶液中的放電順序不同、陽極溶解以及陰極析出的難易程度不同，故可以通過調節電解質溶液、電流密度等參數以控制鋅的陽極溶解、陰極析出過程，達到對鋅的提純。鋅的電解精煉過程中，一般由粗鋅作陽極，高純鋅作陰極，含有鋅離子的溶液如ZnSO4等作電解液。在電解精煉過程中，陽極的粗鋅不斷失去電子變成Zn2+進入電解質溶液，在電場的作用下逐漸向陰極移動，Zn2+到達陰極表面后得到電子被還原成高純鋅，而電位較低的金屬雜質則在陽極沉積成為陽極泥。

電解精煉法所生產的高純鋅純度一般能達到99.99%～99.995%。徐鑫坤[6]等人以2# 鋅（Zn≥99.96%）澆鑄成陽極，在鋅電化學沉積的酸性電解質中進行精煉，該實驗中得到的最佳工藝條件為：電解溫度40℃、電流密度500A/m2、異極距30mm、硫酸濃度110g/L、鋅離子濃度55g/L。在該工藝條件下，利用2# 鋅作陽極，在ZnSO4-H2SO4電解質溶液中進行電解精煉，獲得的高純鋅純度可達99.995%～99.999%。唐亦秋等[7]在傳統濕法煉鋅的基礎上，將硫酸鋅浸出液深度凈化以提高鋅離子濃度、降低Cl、Fe、Cu、Cd 等雜質含量，再將其作為電解液進行隔膜電解，制得了純度為99.9985%的高純鋅，效果理想。值得注意的是，傳統電解精煉法制取高純鋅存在一定的缺點：（1）在電解過程中陽極的雜質金屬如銅、鐵等會不斷地溶于電解質溶液中，進而導致陰極所獲得的高純鋅質量降低，須定期更換電解液，這樣會使工藝更復雜，且成本提高。（2）由于電解液為酸性環境，粗鋅作為陽極在電解液中必然會發生一定程度的溶解，陽極的溶解速度大于陰極的析出速度，將導致電解精煉無法進一步進行，同時也導致了材料的損耗。

使用NH4Cl 體系可以有效避免傳統工藝Zn-SO4-H2SO4體系中析氫和鋅復溶等副反應的發生[8]，減少粗鋅的損耗。楊聲海等[9]開發出一種Zn（Ⅱ）-NH3-NH4Cl-H2O 體系制備高純鋅的新工藝：異極距3cm，電流密度400A/m2，溫度40℃，電解液濃度＞15g/L，該工藝可以處理普通酸法工藝難以處理的煉鉛爐渣銦化爐氧化鋅煙灰等復雜鋅物料，制得的高純鋅含Zn＞99.999%，取得了滿意的制備效果。Huajun,Zheng[10]將鋅渣鑄入陽極，在NH3-NH4Cl 體系中進行了鋅的精煉，電解液組成為4.0mol/L NH3、4.0mol/L NH3Cl 以及不超過80g/L 的Zn（Ⅱ），其試驗中的電流密度為400A/m2，與酸性體系中使用的電流密度相同，通過提高電解溫度，在保證所得高純鋅質量的同時降低了能耗。在NH4Cl 體系中制備高純鋅存在的主要問題在于鋅離子濃度的控制，電解質溶液中的鋅離子濃度對鋅的提純質量有著重要的影響。例如，在一定范圍內，鋅離子濃度越高，電流效率越高、提純質量越好；降低鋅離子濃度，則陰極析出H2反應加劇，電流效率降低，所得鋅片表面氣孔增多，表面質量下降。

同時，使用添加劑如骨膠、明膠、聚乙烯醇等可以改善電解精煉過程中的電流效率、陰極產物的質量等。馬春等[11]研究了添加劑對ZnCl2-NH4Cl-H2O溶液體系中電解精煉所得陰極產物的影響：當添加0.12g/L 的骨膠或明膠時，可獲得更加致密的陰極沉積物；聚乙烯醇的加入可使陰極過電位增加，但對于陰極產物質量的改善沒有明顯效果；隨著電解液溫度的提高，骨膠改善陰極極化作用的效果逐漸下降，陰極產物質量下降。

電解精煉法制取高純鋅是較為廣泛、常見的辦法，然而所制得鋅的純度是有限的，只能達到99.995%～99.999%。實際生產過程中陽極雜質金屬溶解、粗鋅陽極的溶解等問題也會導致生產成本增加、工藝更加復雜，要通過電解精煉方法產出5N、6N 等高純鋅是非常困難的。因此，可將電解精煉法作為制備超高純鋅的初步提純工藝，先將高純鋅提純到4N、5N 級，再結合其他工藝實現超高純鋅的制備。

1.2 真空蒸餾法

真空蒸餾法是利用各組分的物理性質不同（如飽和蒸氣壓的差異等）而實現單個元素間逐級分離的方法[12]。鋅在標準大氣壓下的熔點為419.53℃，沸點為907℃，其飽和蒸汽壓與溫度的理論公式[13]為：lgPZn=-6620/T-1.255lgT+12.34

式中，PZn為鋅的飽和蒸汽壓（其飽和蒸氣壓值為PZn133.3Pa）；T 為溫度（K）。

戴永年院士提出[13]利用金屬鋅的飽和蒸氣壓和真空技術制備出了純度較高的金屬鋅，開發出了真空冶金金屬純化技術來實現金屬提純及分離。真空蒸餾過程中，飽和蒸汽壓高于鋅的雜質會首先蒸發，冷凝在收集器上被除去，而飽和蒸汽壓低于鋅的雜質則殘留在坩堝中，經過二次蒸餾后被除去。分離系數βi是判斷i-Zn 二元系合金能否通過真空蒸餾法提純的重要判據，βi滿足公式：

式中，γi和γZn為i 組元和鋅的活度系數；Pi為i 組元的蒸汽壓；ρZn為鋅的蒸汽密度。

當βi＞1 時，合金中的i 組元揮發進入氣相，鋅則留在液相中；當βi＜1 時，合金中的鋅揮發進入氣相，而i 組元則殘留在液相中；當βi=1 時，通過蒸餾無法將i 組元與鋅分離[14]。鋅的真空蒸餾提純過程可視作多個i-Zn 二元系合金的分離，王優等人給出了鋅中常見雜質的分離系數[4]，如表1 所示。顯然，Sn、Al、Cu、Fe、Ni 等雜質元素的分離系數βi?1，易于除去；Cd、Pb、Hg 的分離系數βi與1接近，較難通過真空蒸餾方式除去。

表1 i-Zn 二元系合金的分離系數βi[3,4]

鋅的真空蒸餾提純過程是在蒸餾塔中進行的。蒸餾設備可以采用一套脫鉛塔和一套脫鎘塔,也可以采用一個蒸餾塔進行分段蒸餾[3]。Ali,S.T[15]等采用連續三次蒸餾，得到了6N+級（99.9999%+）的高純鋅：在溫度分別為723 K、803 K、783 K 下進行蒸餾，在第一階段中，高蒸汽壓、低沸點的雜質被蒸餾并沉積在收集器上，而Zn 則沉積在蒸發器上，這一過程中揮發性及高蒸汽壓雜質如As 被去除；而在第二、三階段的蒸餾中，鋅被蒸餾并沉積在收集器上，雜質則殘留在蒸發器中，這一過程中低蒸汽壓雜質如C、Si、Ni、Fe、Cu、Al、Sn、Ag、Mn、Pb、Bi 等被逐步去除。所采用的真空蒸餾系統的主要部件如圖1 所示，主要由冷卻器、真空系統、石墨收集套、蒸發器等組成，原始鋅料在蒸餾塔的底部，經過上述三個階段的蒸餾過程后產品純度達到6N+級（99.9999%+），總蒸餾收得率達到67.5%，雜質含量大大降低。值得注意的是，O、Cd 是高純鋅中較難除去的雜質。對于O，由于其與Zn 具有較強的親和力，易形成氧化物而難以除去；對于Cd，由于其與Zn 具有等電子特性，二者的熔沸點、溶解性等物理性質相近，故較難通過真空蒸餾方法除去。在Ali,S.T 的研究中，盡管高純鋅的純度已經達到6N+（99.9999%+）級，O 與Cd 雜質的去除效果仍不理想。

圖1 真空蒸餾系統示意圖[8]

Ali,S.T 和Stuart R.V.等人提出了影響真空蒸餾提純鋅的影響因素[15，16]，指出真空蒸餾提純高純鋅的效率主要取決于：（1）熔體中揮發性成分的擴散;（2）從熔體表面的蒸發速率;（3）蒸汽的輸運；（4）收集器的冷凝；（5）凝固過程。其中從熔體表面的蒸發速率滿足關系式[16]：

式中，Wth為蒸發速率（g/cm2/s）；pv為蒸汽壓（Torr）；M 為基體材料的分子質量（g）；f 為主分子留在表面的概率（%）；T 為溫度（K）。Gopala,Anil[17]等以4N5 級鋅為原料分別經過FFD（First Fraction Distillation）、三次真空蒸餾獲得6N5 級高純鋅：FFD 過程在743K 下進行，主要除去揮發性元素Cd，在743K 下Cd 的pv為9.6mbar，比Zn 的0.9mbar 高出一個數量級。利用Sutherland 公式計算，Cd 的平均自由程長度λ=0.029mm，當揮發性Cd 分子的平均自由程長度大于孔的直徑時，揮發性雜質Cd 透過坩堝孔逸出的速率，等于其撞擊壁面積與孔面積相等的速率。故在此溫度去除Cd 的過程中內部會發生大量的分子間碰撞，提高了Cd的去除效率。經過三次FFD 過程后Cd 的質量分數由562.5μg/kg 減小到4.5μg/kg，去除率達到99.2%。通過在不同溫度下分段蒸餾的方法，有效地去除了普通真空蒸餾難以除去的雜質Cd。此外，國內株洲冶煉集團有限公司、峨嵋半導體材料廠、四川鑫炬礦業資源股份有限公司、葫蘆島鋅業有限公司等通過真空蒸餾提純法均可生產6N 鋅。例如，葫蘆島鋅業有限公司改進了真空蒸餾系統：使鋅蒸汽通過2～5 層回流塔盤后在石墨收集套內冷凝，提高了粗鋅的蒸餾收得率[18]。

真空蒸餾通常用于制備6N 級高純鋅，在較短時間內能夠達到較高的提純純度和產品效率，且通過真空蒸餾法制備的高純鋅純度高、生產過程能耗低、生產設備經濟簡單、無污染[19，20]。然而，由于真空蒸餾法生產過程具有間歇性以及較低的生產率，以該方法僅能處理少批量樣品，難以實現大規模的生產。且在電解精煉制備的4N、5N 鋅基礎上加以真空蒸餾也只能使鋅的純度達到6N、6N+級，要獲得7N 級純度的超高純鋅，必須繼續結合區域熔煉法進一步提純。

1.3 區域熔煉法

區域熔煉法是W.G.Pfann[21]等人首次通過圓柱試樣局部多次熔化和凝固來制備高純鍺而發明的。此后，區域熔煉技術經過60 多年的發展，已經逐漸成為制備高純金屬的重要方法。區域熔煉與定向凝固/偏析提純本質上具有相同的原理：利用雜質在熔融態和凝固態的鋅中具有不同的固溶度進行分離提純，借助于凝固時固/液界面的溶質再分配的原理來實現鋅的超高純化處理。區域熔煉的原理如圖2 所示。凝固態下雜質溶解度CS與熔融態下雜質溶解度CL的比值定義為平衡分布系數k，當液相線和固相線溫度變化時，該系數近似保持恒定，而對于不同的雜質，k 可能大于或小于1（見圖3）。區域熔煉過程是通過加熱使一個或若干個狹窄熔區沿著固體錠料緩慢單向運動（加熱體與棒料的相對運動），當k＜1 時，雜質在固相中的濃度小于在液相中的濃度,當加熱熔區通過金屬錠時,雜質將隨熔區前進方向的正方向移動而富集在錠料尾端；當k＞1 時，雜質在固相中的濃度大于在液相中的濃度,且將隨熔區前進方向的反方向移動而富集在錠料的頭端。不同雜質元素在熔化區固液界面兩側的固態鋅和液態鋅中的分配系數差異明顯，一般雜質元素的分配系數k＜1，經過多次提純后，鋅的純度可以達到電子級純度以上。

圖2 區域熔煉過程示意圖

圖3 部分的二相圖[22]

目前，通過區域熔煉制備7N 級超高純鋅的方法在部分國家已得到應用。例如，日本同和礦業株式會社利用區域熔煉法制備出7N 級超高純鋅，并應用在半導體器件上；李文良[4]等采用區域熔煉法對6N 級鋅進行了提純，通過控制區熔次數以及熔區長度，使其純度達到了6N8 級（99.99998%）。區域熔煉過程中主要影響因素包括區熔次數n、熔區長度L、平衡分配系數k0以及熔區移動速度f。

1.3.1 區熔次數n

區熔次數n 的增加會提高金屬的提純效果，區熔次數n 依據經驗公式n=（1～1.5）來確定，式中L 為鋅錠總長度；l 為熔區長度；n 為區熔次數。高純鋅中的雜質含量隨著區熔次數的增加而逐漸降低[5]，然而在區熔次數達到20 次以后，繼續增加區熔次數，雜質含量變化已不太明顯。故可通過增加區熔次數的方式提高鋅的純度，但存在峰值。

1.3.2 熔區長度l

熔區長度l 對區域熔煉的提純效果有很大的影響，一般來說，減小熔區的長度l、增加錠長L 可以有效提高金屬的提純效率[23]。而在多次區熔后，區域純化的效率會逐漸降低，溶質分布逐漸達到穩態，由極限分布方程[24]：Cx=AeBx，其中k0與B 滿足關系式，式中Co為平均雜質濃度；L 為錠長；l 為熔區長度。可以看出k0值一定時熔區長度l 增加→B 值減小→A 值增加→雜質濃度Cx增加，提純效果變差。故采用變化的熔區長度有利于鋅的提純，即在區熔初期采用較長的熔區，熔煉幾次后再使用較短熔區，這樣熔煉過程中雜質的遷移會比采用固定熔區長度時更加充分[25]，提純效果更好。

1.3.3 平衡分配系數k0

k0為平衡凝固條件下雜質的分配系數，而在實際生產中凝固并不能達到平衡狀態，實際的分配系數稱為有效分配系數，即Keff[26]，Keff與k0的關系滿足BPS 公式（即1953 年由伯頓-普里-斯里奇特提出有效分配系數Keff[與平衡分配系數k0關系的BPS 公式）[27]：

式中，f 為熔區移動速率；δ 為擴散層厚度；D 為擴散系數。

1.3.4 熔區移動速度f

熔區移動速度也是影響提純效果的關鍵因素之一，熔區移動速度越小，越有利于雜質的擴散，提純效果也越好[28]。根據BPS 公式，可以看出當采用小的熔區移動速率f 時，Keff→k0，雜質向兩端擴散程度較大，有利于鋅的提純。而在實際生產中，熔區移動速率過小會導致效率低下，所以要綜合考慮區熔次數n 與熔區移動速率f，用盡量少的區熔次數與盡快的熔區移動速率達到最佳的提純效果。

區域熔煉法由于其原理簡單,適用范圍廣泛,且工藝已日漸成熟,逐漸成為制備超高純鋅的一個重要方法[27]。高純鋅中較難去除的雜質主要包括Cd、Pb 等，這些雜質的蒸汽壓與鋅相近，通過真空蒸餾法難以去除，但其平衡分布系數k 卻遠大于1 或小于1，這意味著通過區域熔煉很容易將這些雜質去除。故對經過電解精煉、真空蒸餾后制得的6N 或6N+級高純鋅進行區域熔煉提純，可以獲得7N 級超高純鋅。然而，區域熔煉法也存在其局限性，如對原材料的純度要求高、提純過程耗時長等，且由于鋅的熔點較低，短熔區冷卻的高昂成本也必須在考慮范圍之內。故只有不斷改善每一步的工藝條件，提高真空蒸餾法的生產率、生產規模，提高區域熔煉法的精煉效率，從而提升鋅的純度、收得率，7N 級超高純鋅才能真正實現工業規模生產。

另外，高純金屬的其他提純方法往往是物理提純和化學純化相結合的策略，如懸浮熔煉-電遷移提純、電磁場提純、固相電解提純、氧化還原提純、離子交換提純、溶液萃取法、沉淀法、熱解法、定向結晶提純法等。這些物理方法主要是基于材料蒸發、凝固、結晶等物理過程的物理性質和分凝現象而提純，而化學提純方法是利用物質的化學反應或者法學過程的溶液離子特性進行的。通常高的金屬純化需要聯合物理及化學過程多步驟多級提純得到，如電子級硅的純化，半導體原料鎵、銦、鍺，鈦、鋅、鎂、鉬、鉭等金屬。

2 超高純鋅的應用

2.1 化合物半導體

超高純鋅的主要用途之一是作為原料制備高純ZnSe、ZnS、ZnTe 化合物，用作感光半導體材料。自上世紀50 年代以來，半導體產業已經逐步發展成為世界上最大的產業[29]。ZnSe 晶體作為第三代重要的寬禁帶半導體光電材料之一而備受關注。ZnSe 晶體因具有大的禁帶寬度、高的透過率、低吸收系數、良好的發光特性等優異的光電性能，可被用作激光介質、閃爍體、電極材料、紅外窗口材料[30]、熒光材料等，在中遠紅外激光[31]、高能輻射探測、光催化以及太陽能電池等領域[32]有著巨大的應用價值。除此之外，ZnTe、ZnS、ZnO 等對于化合物半導體器件的開發也有著重要的作用,包括藍色LED[33],激光二極管,太陽能電池和THz 發生器的組成部分等[34]。例如，在CdTe/ZnTe 結構中，ZnTe可以用來充當p 型半導體或者作為背面-表面場層，并應用于太陽能電池[35]，提高太陽能電池的光電轉換效率[36]。

制備化合物半導體的過程中，由于ppm 或亞ppm 級雜質的存在會對材料物理化學性質和器件性能（如靈敏度、響應性、失真度、功能性、催化性）產生顯著的、關鍵性的影響，這些材料的制備對鋅的純度要求極高，即6N 級（99.9999%）以上[20]。所以深入研究超高純鋅的制備技術，能夠有效促進半導體產業、電子工業等的發展。

2.2 鋅電池

近年來，隨著節能減排政策的逐步實施，水系鋅電池的發展十分迅猛。水系鋅電池作為新型的電池，在保證高能量密度的前提下保持了較高的安全性，滿足工業的電子產品儲能要求，有著十分廣闊的應用前景。與傳統的鋰電池相比，鋅電池的成本更低、對環境的污染更小，且鋅的資源十分充沛，因此鋅電池被認為是新型儲能電池中最有前途的候選者之一[37]。

鋅電池相比于傳統的鋰電池具有更好的環保性和穩定性，其充放電次數較鋰電池更多，且經過相同次數的充放電后，鋅電池擁有更高的儲電量。大連理工大學開發出一種高壓水系氯離子電池，該電池的正極采用碳材料，負極采用金屬鋅，電解質選用飽和四甲基氯化銨水溶液[38]，該水系氯離子電池的能量密度達到了262W·h/kg，壽命達到2000 次，高的循環穩定性使鋅電池成為了取代鋰電池的最佳選擇。除此之外，基于鋅的堿性二次電池也是近年來二次電池的熱門研究方向[39]，包括Zn-Br 水系電池[40]、Zn-MnO2水系電池[41]等。鋅基水系電池將鋅負極與其他正極材料的優勢相結合，不僅使電池的工作機理發生了改變，還顯著提高了水系電池的比能量與充放電效率[42]。超高純鋅還可用來制作鋅錳電池以及鋅空氣蓄電池等，目前鋅空氣電池的電池比能量可以達到230W·h/kg[43]，幾乎為傳統鉛酸電池的8 倍，由此可見鋅空氣電池的發展空間也非常大。

鋅電池的發展拓寬了鋅負極的應用領域，是未來的重要研究方向。而鋅電池的質量比能量、質量比功率受鋅電極的純度影響較大，鋅電極的純度會顯著影響電池充放電過程中的析氫反應、鋅枝晶形成等，從而改變鋅電池的充放電效率，采用超高純鋅作電極可使鋅電池具有更好的性能。此外，高純鋅在鋅基液流電池[44]和鋅固態電池[45]（即全固態鋅電池）方面作為新型儲能材料也顯示出巨大的市場潛力和發展空間。因此，鋅電池是未來儲能電池材料的重要發展方向之一，而高純鋅的制備成為鋅電池性能提升的關鍵技術。

2.3 其他應用

除上述應用外，超高純鋅還主要用于機械制造、電子印刷、鋅合金、鍍鋅業等多個領域[46]。超高純鋅的另一重要用途即作為陰極保護高純鋅參比電極，超高純鋅制備的參比電極在陰極保護系統中發揮著重要的作用，既可以精確監測陰極保護狀態，也可以在外加電流的陰極保護系統中作自動控制的穩定信號源，且其應用場景廣泛，海水、土壤環境中均可以使用[47]。而且，超高純鋅還是生物全降解金屬、痕量元素檢測傳感元件、半導體摻雜劑、軍事和空間站高性能散熱器件的原材料。高純鋅顆粒與粉末產品還可以作為化學試劑、粉末冶金和高純鋅靶材的原材料[48]，同時也是3D 打印高性能鋅合金的關鍵原料（如3D 打印鋅合金支架、3D 打印生物可降解鋅合金產品）。此外，由于鍍鋅有優良的抗大氣腐蝕性能，在常溫下表面易生成一層保護膜，因此超高純鋅的用途之一是用于鍍鋅工業[49]，超高純鋅作為鍍層應用于結構材料的表面，可以有效提高材料的耐腐蝕性能。純鋅本身的強度硬度并不高，但加入Al、Cu 等元素形成鋅合金后，可以有效地提高其綜合力學性能，在汽車、建筑、電氣等領域成為鋁合金、銅合金的替代品。

3 結語

本文綜述了現有超高純鋅的制備技術以及應用領域，對現有三種典型高純金屬鋅制備技術的優缺點進行了分析與展望。電解精煉法應用最廣泛，但其提純純度較低，僅能達到Zn≥99.99%的4N 級別，生產過程能耗較大，可以作為超高純鋅制備的初級提純；真空蒸餾法對于鋅的提純效果非常顯著，可以制得6N 級（Zn≥99.9999%）的超高純鋅，然而其生產過程具有間歇性且較低的生產率使得難以實現大規模生產，且對于與Zn 物理性質相近的雜質如Cd 等的去除較為困難，故可將真空蒸餾作為對電解精煉制備的4N、5N 高純鋅的進一步提純；區域熔煉法提純純度最高，在真空蒸餾所得6N 級鋅的基礎上精煉可獲得7N 級超高純鋅，但該方法對于鋅原料的純度要求較高、提純過程耗時長，且由于鋅的熔點較低，短熔區冷卻的高昂成本也必須在考慮范圍之內。因此，未來研究應圍繞如何優化高純鋅制備的工藝參數，在提高所制高純鋅的純度以及收得率的基礎上降低成本與能耗，實現超高純鋅的多級分步聯合法提純高純鋅的制備新技術以及工業規模生產。

超高純鋅應用于機械制造、電子印刷、電池材料、功能化鋅合金涂層、鍍鋅業和電子工業等多個領域，特別是在半導體的制造中有著不可替代的作用。隨著對產品質量要求的提高，研制超高純鋅制備技術對我國航空工業、國防軍事和空間站等各領域的發展有著深遠的促進作用。