研究構筑門電壓可編程的二維鐵電存儲器

沈春蕾

中科院金屬研究所沈陽材料科學國家研究中心與國內多家單位合作，通過設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式，將金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構筑了基于垂直架構的門電壓可編程的二維鐵電存儲器。相關研究成果近日在線發表于《先進材料》。