主要國家和地區半導體產業的戰略舉措及對中國半導體發展的啟示與建議

史冬梅 王 晶 史 玥

1.科學技術部高技術研究發展中心，北京，100044；2.中電科第三代半導體科技有限公司，天津，300220

2022 年全球半導體銷售額為5 740 億美元，創歷史新高，與2021 年5 559 億美元的銷售額相比增長了3.3%，預計到2030 年可能達到1 萬億美元。[1]高速發展的半導體芯片技術在當今科技發展中占據重要地位，并將催生變革性產業。半導體行業作為資本、技術、人才密集型產業，也是全球一體化程度最高的行業之一，產業鏈橫跨數十個國家，擁有數千家供應商，其對全球經濟的重要性持續增長，是目前各國競爭的關鍵領域。

近年來，美國、日本、韓國、歐盟等發達國家和地區紛紛制定半導體芯片發展戰略和相關法律，加大政府在半導體研發和制造方面的投資，吸引全球半導體的生產和創新成果到本國，建立半導體芯片雙邊和多邊合作，加強供應鏈安全，重塑全球半導體產業生態環境。全球半導體芯片技術和產業競爭日趨激烈，并將呈現新的發展格局。本文對發達國家和地區半導體產業在近三年的最新發展動態、國家戰略規劃及相關法規政策，以及實施情況進行追蹤和梳理，為我國應對全球市場半導體競爭提供借鑒。

一、美國半導體發展戰略和措施

（一）美國半導體行業現狀

根據美國半導體協會最新數據，2022 年美國半導體銷售額2 755.2 億美元，占全球48%，位居第一；半導體研發投入588 億美元，全球領先；半導體產業資本支出507 億美元；半導體出口611億美元，出口額位居電子類行業第一。美國半導體行業從業人員達34.5 萬人，包括9 000 名EDA 工作人員，10萬名芯片設計人員，3 萬名芯片設備行業人員，20.6 萬名半導體制造業人員。每個半導體崗位額外創造5.7 個工作崗位，增加近200 萬個直接和間接就業崗位。[2]

美國芯片設計處于領先地位，無晶圓廠銷售額約占全球64%，設計人才占比全球最大。[3]但美國制造工藝封測能力不足，無10nm 以下先進邏輯能力，28nm 以上遠落后于亞洲。在全球存儲芯片市場，美國動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）和立體閃存設備（3D-Not-AND，3D-NAND）逐漸恢復競爭力。材料方面，美國半導體制造所需的氣體、硅晶圓、光刻膠等高度依賴海外供應商，例如烏克蘭供應美國用于半導體制造的氖氣的90%。在設備方面，美國的關鍵光刻設備依賴荷蘭和日本，而在晶圓處理以及半導體封裝和測試設備方面依賴中國和日本。[3]

2021年以來，為了促進美國半導體技術和產業發展、增強本土半導體供應鏈安全，美國政府及半導體行業密集開展行動，提出一系列扶持政策舉措。在美國政府于2022 年通過《2022 年芯片與科學法案》后，美國商務部及相關部門積極落實法案條款，出臺相應戰略和舉措。

（二）《2022 年芯片與科學法案》

2022 年8 月，美國總統簽署《2022 年芯片與科學法案》（以下簡稱“《法案》”），以執行《2021 財年國防授權法案》中制定的關于美國芯片的條款。《法案》通過對半導體制造撥款、研究投資、勞動力培訓和教育和芯片制造投資稅收抵免等方面進行規定，提供巨額補貼以增強美國芯片領域競爭優勢和供應鏈安全，恢復美國在半導體制造業領導地位，促進美國經濟發展，保障美國的國家安全。

根據《法案》規定，在2022—2027 財年，美國政府將通過向4 項激勵基金撥款527 億美元，支持美國本土芯片的研發與制造。[4]在2022—2026 年，向美國商務部發放美國芯片基金撥款500 億美元，其中390 億美元用于“半導體激勵計劃”，支持在美國本土進行半導體制造、供應鏈及研發；其余110 億美元用于“商業研發和勞動力發展計劃”，具體包括國家半導體技術中心（National Semiconductor Technology Center，NSTC）的先進半導體制造研發和樣機制造、NSTC 及“美國制造”項目合作的聯邦先進封裝制造計劃、美國商務部國家標準與技術研究所（National Institute of Standards and Technology，NIST）的微電子計量研究、美國芯片勞動力和教育基金等。此外，在2023—2027 年，向美國芯片國防基金撥款20 億美元，用于美國國防部實施微電子共享項目；向美國芯片國際技術安全和創新基金撥款5 億美元，用于美國國務院支持國際信息和通信技術安全和半導體供應鏈活動；向美國芯片勞動力和教育基金撥款2億美元，用于美國國家科學基金會支持美國本土半導體勞動力發展，解決勞動力短缺問題。[4]

除資金支持外，《法案》還為先進制程半導體制造生產線的投資提供25%的投資稅收減免，激勵半導體制造以及半導體制造過程中所需的專業設備的制造。《法案》明確要求上述稅收減免不適用于受關注的外國公司。如果此后10 年內，享受稅收減免的公司在受關注國家開展相關實質性重大交易，需退還所有減免稅收。

《法案》表明，美國政府計劃大力扶持美國本土半導體研究和創新合作網絡的發展，確保美國長期技術領先；通過支持美國國內制造設施建設和勞動力培養，促進半導體制造和創新集群的發展，增強本土供應鏈的韌性；通過財政激勵措施吸引私人資本，促進半導體投資。以上舉措將減少美國在尖端和成熟微電子方面對脆弱或過度集中的海外制造的依賴，在美國本土發展可持續的、有競爭力的半導體產業，從而提升美國的生產力和競爭力，有效應對經濟和國家安全兩方面的風險。

（三）《2022 年芯片與科學法案》對美國半導體制造與創新進展的推動

在過去的一年，美國通過一系列舉措推進了《法案》條款的有效實施，推動了美國半導體產業的持續發展。

1. 進一步明確發展戰略

為推動“美國芯片基金”條款的實施，2022 年9 月，美國商務部發布了《美國資助芯片戰略》（以下簡稱“《實施戰略》”）。[5]《實施戰略》明確了“美國芯片基金”的四個戰略目標：投資美國制造具有重要戰略意義的半導體芯片，尤其是尖端技術芯片；確保為國家安全和關鍵制造業提供充足、可持續和安全的芯片；加強美國半導體研發的領導地位，促進下一代關鍵技術的研發及應用；培養多元化的半導體勞動力。《實施戰略》將支持三個項目，包括：對前沿邏輯和存儲器制造集群的大規模投資；擴大成熟和當前一代芯片、新技術以及行業供應商的制造能力；加強和提升美國研發領導地位的舉措。2022 年9 月，為響應《法案》，NIST 發布《美國半導體制造的戰略機遇》報告，圍繞美國半導體行業中微電子設計、制造和封裝的標準化、計量、建模與仿真等方面展開分析，總結了行業面臨的七大戰略機遇：開發材料純度、特性和來源的計量學；面向未來微電子制造的先進技術；先進封裝技術及可集成單獨制造的組件；增強微電子組件和產品的安全性和來源的計量；對半導體材料、設計和組件進行建模和仿真；對半導體制造過程進行建模和仿真；對微電子學的新材料、新工藝和新設備進行標準化。[6]

2.建立相關組織保障和實施機構

美國商務部通過下屬機構NIST 新設立兩個組織機構，一是CHIPS 計劃辦公室：負責將芯片產業進行高度集中化管理，并參與白宮領導的協調工作，包括芯片實施指導委員會，以確保《法案》實施過程中美國政府各機構緊密聯系，包括國防部、能源部和國土安全部、情報總監辦、國家科學基金會和貿易代表辦公室。二是CHIPS 研發辦公室：負責法案的研發計劃，以確保公共資金使用的問責制和管理得到落實。授權NIST 設立最多三個美國制造業研究所，推進半導體制造技術的研究和商業化，并實施研發計劃，推進測量科學、標準、材料表征、儀器、測試和制造能力的發展。

3.建立國家半導體技術中心（NSTC）

美國商務部與國防部、能源部和國家科學基金會合作，建立了NSTC。作為一個獨立的公私聯盟，NSTC 將提供一個平臺，促進美國政府、國家實驗室、半導體產業鏈上下游的供應商、教育機構、企業家、勞動力和投資者的合作，減少新技術商業化的時間和成本。美國商務部在2023 年4 月發布的《NSTC 愿景和戰略》中，關注了未來5 年至15 年使半導體行業受益的發展技術：尖端、先進和成熟CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）制造；新材料高質量加工；電力電子材料和制造；射頻、模擬和混合信號制造；光子學材料和制造；微機電系統；生物電子學；設計工具開發等。[7]NSTC 總部將履行其行政領導、財務和法律運營、人力資源、項目管理、政府關系、成員服務等職能，其所支持的技術中心網絡將確保各中心之間資源和信息的有效集成以及所有成員的可訪問性。

4.發布美國芯片基金資助公告

在2023 年2 月和6 月，美國商務部分兩次發布了美國芯片基金資助公告[8]，公告內容涉及的前沿芯片設施方面包括當前一代、成熟節點和后端生產設施、晶圓制造設施、半導體材料和制造設備設施、半導體制造設備等。至2023 年8 月，美國商務部已經收到了來自42 個州的400 多份項目意向書，這反映出美國本土半導體供應鏈對《法案》激勵計劃的廣泛興趣。

5.加大技術限制及出口管制

2022 年10 月，美國商務部產業和安全局（Bureau of Industry and Security，BIS）修訂“出口管理條例”，針對出口先進計算芯片、開發和維護超級計算機以及制造先進半導體的能力等方面提出新措施。[9]2023年8月，美國總統拜登簽署第14105 號行政令，直接禁止或限制美國半導體和微電子、量子信息和人工智能系統三個領域對受關注實體進行投資[10]，具體技術包括：開發或生產專用于集成電路設計的電子設計自動化軟件、批量生產的前端半導體制造設備；高級集成電路設計、先進集成電路制造、集成電路封裝；先進集成電路驅動的超級計算機。2023 年9 月，美國商務部明確《法案》中“國家安全護欄”的最終規則：禁止芯片基金受資助者十年內擴大在受關注國家的材料半導體制造能力；限制受資助者與受關注實體進行某些聯合研究或技術許可。[11]

6.加強半導體行業人才和勞動力培養

2023 年7 月，美國半導體行業協會SIA 發布《評估和解決美國半導體行業面臨的勞動力市場缺口》報告，指出預計到2030 年，美國半導體行業勞動力將增加近11.5 萬個工作崗位，勞動力缺口將超過6.7 萬人（包括技術人員、工程師和計算機科學家等）。其建議加強對區域伙伴關系和旨在擴大半導體熟練技術人員渠道計劃的支持；擴大美國國內STEM 人才梯隊，培養對半導體行業和其他行業至關重要的工程師和計算機科學家；留住并吸引更多國際工程學生。目前，超過50 所社區大學宣布了針對半導體勞動力的擴招計劃；美國國家科學基金會正在通過專注于制造業勞動力、支持研究人員和課程開發的新舉措，對美國半導體勞動力進行投資。[12]

二、韓國半導體發展戰略和舉措

（一）韓國半導體產業現狀

2022 年，韓國占據了17%的全球半導體市場份額，連續十年位居世界第二。韓國在半導體存儲器領域全球領先，占據全球存儲器半導體市場的60.5%，其中DRAM市場份額為70.5%，NAND 市場份額為52.6%；但在全球非存儲半導體領域的市場份額僅為3.3%。[13]韓國半導體出口總額為1292 億美元，占全國出口總額的18.9%；其產業總值占其國內生產總值（GDP）的近20%，引領韓國經濟和產業。韓國現有半導體從業人數約17.7 萬人。

韓國半導體產業優勢主要集中在NAND 和DRAM 領域，三星和SK 海力士在制造環節遙遙領先，但在其他領域的研發和生產能力相對較弱。在半導體關鍵材料和設備及設計等方面，高度依賴進口或外包，導致韓國半導體產業發展具有局限性。2020 年以來，貿易沖突和芯片短缺引發的全球半導體行業競爭凸顯了韓國半導體行業的缺陷，韓國政府、企業及教育界也采取了一系列舉措，包括發布半導體行業發展戰略、規劃發展藍圖、建立相關法案，確保韓國本土產業鏈供應鏈穩定發展。

（二）韓國政府發布系列半導體產業扶持政策

自2021 年以來，韓國政府發布了一系列半導體產業扶持政策，如表1 所示，包括加大技術創新投入、稅負減免、完善供應鏈、人才培養、吸引外資和基礎設施等，旨在扶持本土半導體產業發展。

表1 2021 年以來韓國政府發布半導體產業扶持政策

（三）韓國半導體戰略和主要舉措

1.提出半導體強國戰略目標，健全產業鏈供應鏈

《K-半導體戰略》旨在實現綜合半導體強國目標，提出未來十年，韓國政府將攜手三星、SK 海力士等企業投資510 萬億韓元，在韓國本土建立全球最大規模半導體供應鏈[13]，涵蓋半導體制造、原材料、零部件和設備、設計等各個環節。

《半導體超級強國戰略》強調了打造本土穩健半導體生態系統的重要性，旨在培養卓越的半導體企業和半導體人才，成為半導體超級強國，從而鞏固韓國作為全球供應鏈關鍵生產基地的地位，并成為全球半導體行業創新的領導者的目標。[14]其提出通過向以市場主導的研發轉變、為材料、零部件和設備公司建立成長基地及加強對有前景技術商業化的支持，為材料、零部件及設備建立健全的生態系統，預計到2030 年材料、零部件及設備生產商自給率由30%提升至50%。

2.加大稅收減免支持和政府服務力度

《K-半導體戰略》提出對半導體研發、設備投資的稅額抵扣率最高將提升至40%—50%、10%—20%；《K-Chips 法案》提出通過稅收減免措施，保障國家戰略技術投資與發展，包括提高國家戰略技術設施投資的稅收減免率；為投資引入臨時稅收減免制度，以臨時增加2023 年的稅收減免，并為與前三年平均水平相比增加的投資額提供10%的額外減稅；稅收減免優惠平等適用于韓國本土公司和外商投資公司。[15]此外，2023 年4 月，韓國貿易、工業和企業部宣布了工業轉型超級項目的計劃，提出將把70%的研發預算（約47 億美元）分配給半導體等核心工業部門。[16]該計劃將提高投資半導體等國家戰略產業企業的稅收減免率，大中型企業稅收減免率將從8%提高到15%，中小企業稅收減免率從16%提高到25%。此外如果企業投資超過前三年平均投資額，大企業稅收減免最高可達25%，中小企業最高達35%。2024年韓國半導體企業預計減稅額達3.6萬億韓元。

《國家尖端戰略產業法》提出對半導體特色產業園區建設、運營的迅速審批處理時間從30 天縮短至15 天；《半導體超級強國戰略》計劃通過基礎設施支持和快速審批、稅收支持及放寬勞動和安全規定等策略引導半導體企業在2022—2026 年間投資340 萬億韓元。[17]

3.明確未來半導體技術發展方向

《K-Chips 法案》提出國家半導體領域的戰略技術涵蓋非常廣泛，包括先進存儲芯片的設計和制造技術；下一代存儲器芯片（STT-MRAM、PRAM、ReRAM、PIM）的設計和制造技術；用于高性能計算的SoC（System on Chip，系統級芯片）（7nm 或更小）設計和制造技術；下一代數字設備的SoC 設計和制造技術；高性能微型傳感器的設計、制造和封裝技術；汽車半導體的設計和制造技術；具有更高能效的半導體的設計和制造技術；用于下一代數字設備和車輛的半導體的設計和制造技術；用于開發和大規模生產SoC 半導體的代工領域中的7nm 或更小SoC 的制造和工藝設計技術；先進存儲芯片、下一代存儲芯片和SoC 半導體鑄造廠的材料、設備、設備零件設計和制造技術；鑄造IP 的設計和驗證技術；高性能和高效率系統半導體的測試技術，以及測試相關設備和部件的設計和制造技術等。

《半導體未來技術路線圖》聚焦新型存儲器和新一代元器件，人工智能、6G 移動通信技術、電力、車載半導體等設計核心技術，以及超微化和尖端封裝工藝核心技術等三個領域，通過發展三個領域的45 項技術以確保韓國在未來10 年內掌握半導體核心技術并在優勢技術領域保持領先。其中新元器件方面將重點培養強電介質器件、磁性器件、憶阻器三大新興技術，進而開發下一代存儲器器件；設計方面將優先支持人工智能和6G 等新一代半導體設計技術。政府將從2025 年以后集中扶持車載半導體技術，實現未來出行目標；工藝方面，為提升晶圓代工的競爭力，決定開發原子層沉積、異質集成、3D 封裝等技術。[18]路線圖還提出在系統半導體領域拉開新差距的目標，支持半導體行業生產更快、更節能、更大容量的芯片，以保持其在已經領先領域（如存儲芯片）的全球主導地位，并在先進邏輯芯片方面獲得競爭優勢。

4.加強半導體專業人才培養

《K-半導體戰略》提出，韓國政府的目標是在2022—2031 年培訓3.6 萬名半導體專家，就業崗位增至27 萬個。《半導體超級強國戰略》提出通過公私伙伴關系進行勞動力培訓，預計到2031 年培養15 萬名半導體專業人才。

此外，韓國科技信息通信部準備通過新設立半導體研究機構、校企合作、人才交流等方式，到2027 年培養超3 000 名半導體專業人才。[19]在韓國科學技術院等四大頂尖研究機構中新設立半導體研究機構，每年培養超200 名半導體人才，加大碩士博士項目的校企合作等培養人才方式的力度。2022年6月，為培育半導體產業人才，掌握半導體領域各種人才需求狀況，韓國教育部舉行了官民聯合的“半導體等尖端產業人才培育特別組”首次會議。2023年2月，韓國貿易、工業和能源部、三星電子、SK 海力士及韓國半導體產業協會已簽署諒解備忘錄，同意在2023—2032 年，向多個研發項目投入2 229 億韓元，用于培養頂尖半導體人才。[20]人才項目將由芯片制造商和大學共同領導，希望未來10 年培養至少2 365 名碩博士半導體人才。

三、日本半導體發展戰略和舉措

（一）日本半導體產業現狀

20 世紀80—90 年代，美國與歐亞各國聯手對日本半導體行業的“圍剿”，使得日本的半導體產業發展受到了嚴重限制，并逐漸被美國、韓國、中國臺灣等國家和地區超越。2022年日本在全球半導體市場份額僅占9%，但日本在生產半導體材料和半導體設備方面都具有絕對優勢，在最為關鍵的19 種半導體材料中，日本有14 種材料產量占據世界50%以上，半導體生產設備也占全球的55%以上。2022 年，日本在全球半導體設備和原材料市場份額為35%和52%。

近年來日本提出重振半導體產業，試圖迎頭趕上，恢復其過去的領先地位。日本政府主導推動半導體產業本土化的策略，制定半導體和數字產業發展戰略，設立開發下一代綠色功率半導體和數據中心計劃，成立先進半導體技術中心和聯合企業，并通過立法和加強國際合作，支持日本半導體產業發展。

（二）將半導體產業上升為國家戰略

2021 年日本經濟產業省（以下簡稱“經產省”）頒布的《半導體和數字產業發展戰略》提出了產學官的跨部門合作[21]，以國家作為后盾支持半導體技術從基礎研究到產業應用的研究工作，力圖實現日本半導體產業重振。措施包括保障日本尖端半導體的研發和生產能力，利用設備和元器件的技術優勢，與國際先進制造商共同研發尖端半導體技術，實現在日本本土的產業化。增加面向數字產業和尖端半導體產業的投資，加大財稅支持。深化與美國、歐洲、中國臺灣等國家和地區的合作，開展國際交流和聯合技術攻關，開發半導體、下一代計算機等技術。促進半導體技術綠色創新，研發SiC、GaN、Ga2O3 等新材料，提高半導體性能，降低能耗，鞏固功率半導體的競爭力。在日本本土建立半導體生產基地，提高半導體產業的層級和韌性水平，提升半導體產業鏈供應鏈的穩定性，確保發展自主性等。

（三）加大技術研發投入，建立創新平臺

1.提出“開發下一代綠色功率半導體和數據中心”計劃

2022 年經產省提出了“開發下一代綠色功率半導體和數據中心”計劃。[22]其中，下一代功率半導體器件制造技術開發方向設立了4 個課題，目標是開發可應用于電動汽車、工業設備、可再生能源發電等用功率半導體，到2030 年將下一代功率半導體的轉換器功率損耗降低50%以上，并在量產中實現與硅功率半導體相同的成本。4 個課題的研發目標分別是：下一代8 英寸碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管；下一代高功率轉換器用碳化硅模塊；下一代電動汽車功率半導體制造技術；下一代高功率密度工業電源氮化鎵功率器件。下一代功率半導體晶圓技術開發方向設立了3 個課題，目標是開發大尺寸高質量碳化硅晶圓低成本量產技術，2030 年將8 英寸碳化硅晶圓缺陷密度降低一個數量級以上并降低生產成本。3 個課題分別關于：高質量低成本8 英寸碳化硅晶圓；高質量8 英寸碳化硅單晶/晶圓制造技術；下一代綠色功率半導體碳化硅晶圓技術。

2.組建“技術研究組合最先端半導體技術中心”和聯合企業

2022 年11 月，經產省牽頭成立“技術研究組合最先端半導體技術中心（Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC）”，由日本產業技術綜合研究所、理化研究所、東京大學等機構共同參與。LSTC 將與IBM在內的美國企業，共同研發最新的半導體技術，共享芯片尖端設計、設備和材料，財政預算3 500 億日元。

2022 年8 月，政府支持日本八大巨頭科技型企業聯合出資成立“Rapidus 株式會社”。作為日本半導體產業的“國家隊”，其目標是在2025—2030 年實現2nm 高端芯片的研發，并加強半導體行業人才的培養。八家企業分別是索尼集團、豐田汽車、電信電話、電氣、電裝、軟銀、鎧俠、三菱UFJ。[23]政府提供初始支持5 億美元資金，2023 年4 月又額外撥款約23 億美元。該機構與美國IBM 合作建立2nm 試驗線，與比利時微電子研究中心（IMEC）簽署了技術合作備忘錄。

LSTC 和Rapidus 株式會社兩個機構是日本下一代半導體戰略的支柱，而實現其目標量產2nm 的技術，則來自IBM 的技術移轉。在IBM 的基礎上，LSTC 將統合日本東京大學等頂尖學術機構進行研究，之后再由Rapidus進行生產線上測試。[23]日本政府預計對Rapidus 提供700 億日元的補貼。

3.加大財政資金支持

根據2022 年11 月公布的日本政府2022 年度補充預算案，半導體計劃投入1.3 萬億日元：其中研究中心建設約3 500 億日元，尖端產品生產基地約4 500 億日元，硅晶圓和碳化硅等材料約3 700 億日元。2023 年2 月，日本政府批準增加28 億美元年度預算，用于補貼芯片制造設備、原材料、功率芯片和微控制器幾個領域內的私人投資。

（四）立法支持本土半導體產業，吸引企業在日本投資

1.修訂半導體相關法案

2021 年12 月，經產省頒布了《促進特定信息通信技術研發供給和應用法（修改案）》和《新能源與產業技術綜合開發機構法（修正案）》，以法律推動日本半導體產業發展。前者提出新設半導體生產設施計劃，對于5G 通信系統不可或缺的、因供應鏈風險必須在國內生產的特定半導體企業，在穩定生產、穩定供給前提下，可向政府申請資助[24]；后者新設半導體支援基金，通過直接撥款和貸款利息補貼，資助生產特定半導體的企業擴建生產規模和進行設施維護。[25]

2023 年5 月，經產省公布《外匯法》法令修正案，將先進芯片制造所需的23 個品類的半導體設備納入出口管制[26]，這些半導體制造設備涵蓋光刻或曝光、刻蝕、薄膜、熱處理、清洗和測試等六大環節，涉及東京電子、愛德萬測試、SCREEN、尼康公司等近10 家企業。除美國、韓國等42 個友好國家及地區之外，每次向他國出口時都需要獲得經產省許可。

2.吸引企業在日本投資

日本政府提供財政援助，鼓勵外國芯片制造商在日建立工廠和研發機構。2022年5月，日本國會通過《經濟安全保障推進法》，設立政府援助制度：通過政府補貼吸引重要廠商到日本建廠，增強半導體等“特定重要物資”的國內生產能力，強化供應鏈韌性。自2022 年以來，日本政府已對臺積電、索尼和電裝合資在熊本縣新建的晶圓廠補貼4 760 億日元，約占總資金需求的一半，預計在2024 年底量產10—28nm 制程的成熟工藝芯片，月產能可高達5.5 萬片。[27]為吸引臺積電在日本筑波市建立研發中心，日本政府補貼190 億日元，支持臺積電與日本國內旭化成、IBIDEN、JSP 約20 家機構共同研發下一代半導體制造技術，希望借此重建日本半導體的競爭力。

四、歐盟半導體發展戰略和舉措

（一）歐洲半導體產業現狀

根據歐盟數據，2022 年歐洲半導體銷售占全球半導體市場總體份額的9%，而半導體元件消費值約是其生產的元件價值的兩倍，該年歐盟半導體貿易逆差近200 億歐元。[28]歐洲在半導體價值鏈上有很多優勢，比如世界領先的研究和技術組織，優秀的大學和研究機構遍布歐盟各地，讓其在研發方面具有核心優勢；它在大型芯片制造廠所需的材料和設備方面也處于有利地位。歐洲有50 多家半導體晶圓廠，大多數生產能力集中在180 納米及以上的節點；歐洲無晶圓廠企業在全球收入中的份額很小，僅占2%。[28]其設計能力主要體現在模擬、電源、微控制器和MEMS 幾方面。盡管優勢較多，歐洲半導體產業鏈仍然具有結構性缺陷。從設計和IP 到前端、后端制造的一些關鍵環節，歐洲嚴重依賴第三國供應商。歐盟認為，歐洲必須加強其在半導體方面的能力，以確保其技術領先地位和供應鏈安全。通過成立半導體產業聯盟、發布法案等舉措，歐盟著力推動歐洲芯片產業發展、保障其自身供應鏈安全、增強獨立性，確保歐洲未來半導體全球市場領導者的地位。

（二）歐盟芯片法案

2023 年9 月，經歐洲議會和理事會批準，《建立加強歐洲半導體生態系統的措施框架及修改條例》（以下簡稱《歐洲芯片法》）生效。《歐洲芯片法》通過加強歐盟的制造活動、刺激歐洲設計生態系統并支持整個價值鏈的擴展和創新，確保歐洲在半導體技術和應用方面的競爭力和韌性，并推動歐洲實現數字化和綠色轉型。《歐洲芯片法》將動員430 億歐元的公共和私人投資，目標是到2030 年將歐盟在全球芯片生產中的份額從9%增加達到20%。[29]法案將通過“三大支柱”實現目標。

支柱1：提出“歐洲芯片倡議”，將通過加快從實驗室到晶圓廠的技術成果轉化，彌合研究和創新與工業活動之間的鴻溝，促進歐洲企業創新技術的工業化，加強歐洲的技術領導地位。該倡議將得到62 億歐元的公共資金的支持，其中33 億歐元來自歐盟預算。此外，歐盟還將為半導體技術提供26 億歐元的公共資金，目標是用于開發和部署下一代尖端半導體和量子技術，加強創新設計、系統集成和芯片生產等方面的能力。其主要內容包括建立集成半導體技術大規模創新設計能力；建立一個覆蓋歐盟全域的創新虛擬設計平臺等支持生產、測試及實驗設施的試驗線；支持生產、測試及實驗設施的試驗線，建設10nm 及以下節點FD-SOI 試驗線、2nm 以下節點FinFET/GAA 試驗線、3D異構先進封裝試驗線等；支持量子芯片的先進技術研究和工業能力建設；支持在每個成員國建立半導體能力中心；促進半導體技術的應用等。

支柱2：激勵公共組織和私人投資于芯片制造商及其供應商的制造設施，預計為430億歐元。為了吸引投資、提高半導體制造業的生產能力來確保供應鏈安全，提出通過為一體化生產設施開放式晶圓代工廠以及用于半導體制造的生產設備等制定法律框架，有助于確保供應鏈安全，建立符合歐盟利益的彈性生態系統。

支柱3：在成員國和委員會之間建立一個協調機制，加強與成員國的合作，通過監測半導體的供應鏈情況，預測其需求情況，并在危機階段啟動應急措施。

（三）歐盟芯片戰略措施

1.強化對歐洲半導體技術創新和企業的支持

2021 年9 月，歐盟委員會發布了《2030 數字羅盤：歐洲數字十年之路》計劃，以推動歐洲數字化轉型并縮短歐洲數字化能力與世界先進水平的差距[30]，在“安全高效的可儲蓄數字化基礎設施建設”方面，半導體被列為四大數字基建之一，歐洲擁有5nm 制程以下芯片的制造能力，并瞄準2nm 制程芯片，歐洲希望到2030 年，包括處理器在內，其尖端和可持續半導體的產量至少占世界產量的20%。

“地平線歐洲”計劃將提供16.5 億歐元支持“歐洲芯片倡議”，投資下一代芯片技術。數字歐洲計劃為“歐洲芯片倡議”撥款16.5 億歐元。

此外，2023 年6 月，涉及微電子和通信技術的歐洲共同利益重要項目（IPCEI）宣布成立，它將在邊緣計算、人工智能處理器等領域推動歐洲芯片戰略的實施。作為支持《歐洲芯片法》的主要舉措之一，IPCEI 允許在涉及大型綜合跨境項目的情況下進行公共融資，從而加強歐盟成員國及半導體行業的合作，實現關鍵技術的突破性創新。

《歐洲芯片法》通過“芯片基金”向初創企業、規模擴大企業和供應鏈中的其他公司提供投資股權支持。此外，歐洲投資銀行將為整個半導體生態系統提供貸款。

2.成立歐洲半導體產業聯盟和區域聯盟

2020 年12 月，19 個歐盟成員國簽署“歐洲電子芯片和半導體產業聯盟計劃”，2021 年7 月，歐盟委員正式成立該聯盟，以期改變美國對芯片領域的主導，重振歐洲半導體產業，加強開發下一代處理器和半導體的能力。[31]聯盟匯集了設計和生產微電子芯片等環節的關鍵參與者，有助于提高其競爭力，強化歐洲的數字主權，并滿足對下一代安全、節能、強大的芯片和處理器的需求。聯盟行動路線聚焦于強化歐洲電子設計生態系統和加強歐洲制造能力兩個方面。

2023 年9 月，來自12 個歐盟成員國的27 個地區成立了歐洲半導體區域聯盟（ESRA），旨在盡快依靠《歐洲芯片法》吸引投資，聯合促進半導體行業的增長，發展強大的價值鏈。[32]ESRA 將作為一個區域平臺和歐盟的合作伙伴，將確保在《歐洲芯片法》框架內為各地區提供盡可能好的創新支持和競爭框架條件，以增加歐洲半導體產量，在全球范圍內提高行業競爭力。ESRA 的活動重點是研究與創新（開發新技術和應用）、技能和人才（促進教育和培訓方案）和集群發展（促進區域集群和跨區域伙伴關系）。

五、各國半導體領域發展的啟示和對我國的建議

（一）各國半導體領域發展的啟示

美、韓、日、歐均出臺扶持半導體芯片科技和產業發展的相關法律，強化政府對半導體產業發展的長期推動；以上國家和地區通過制定半導體芯片發展戰略規劃，明確未來半導體產業發展的目標和方向，強調了半導體產業發展的自主性和本土化；通過政策引導加強半導體領域科技創新的支持力度；布局和建設半導體技術創新中心，吸引、鼓勵全球半導體企業到本土投資,健全本土半導體產業鏈供應鏈；加大對全球高端人才吸引的政策力度。在上述啟示以外我們也應看到，美國政府從國家安全角度，對受關注實體進行技術和投資限制，美國及日本進一步修改相關法案實施出口管制，這將加劇半導體行業的技術競爭，增加全球半導體行業的不確定性。

（二）對我國的建議

半導體作為信息產業的基石，重要性不言而喻。近年來我國政府加大了對半導體的技術研發和產業投入力度，并且伴隨著半導體制造的全球化，我國半導體產業取得了快速發展，在2022 年全球半導體市場中，中國大陸占到了7%的份額。總的來看，我國在半導體封裝和測試等領域已達到國際一流水平，上中下游產業鏈基本形成，龍頭企業不斷壯大，但在半導體芯片設計、制造、關鍵材料和設備等方面，還存在一定短板，和國際先進水平相比有一定的差距。面對快速增長的半導體市場規模以及日益激烈的全球半導體競爭環境，我國半導體科技和產業發展風險和機遇并存，更加迫切地需要加快自立自強的步伐，構建國際合作新格局。

1.制定我國半導體領域發展戰略和相關法律

將半導體芯片自主可控上升為國家發展的重大戰略，設立半導體芯片產業重大科技專項，制定我國半導體科技和產業發展長遠發展戰略規劃，進一步明確我國半導體產業的長遠發展目標、具體措施和現實路徑，提高戰略實施的協同性。加大對我國半導體科技和產業發展的法律扶持力度，統籌各部門半導體領域的技術創新資源，建立我國半導體產業鏈供應鏈創新鏈的聯合機構，協調推動我國半導體科技和產業發展。

2.培育我國半導體領域國家戰略科技力量

進一步提高政府和全社會在半導體領域的研發投入，加大對半導體關鍵技術研發及應用領域的支持力度，加強對半導體技術未來發展相關的物理、化學、材料等學科的基礎研究及原創性前沿技術發展的重視。建立我國半導體領域的國家技術創新中心等研發平臺和創新網絡，集中我國半導體領域優勢科技力量，加快半導體技術研發和創新速度，贏得國際競爭優勢。

3.確保我國半導體產業鏈供應鏈安全，開展國際合作

圍繞我國半導體產業鏈各主要環節，研判產業鏈供應鏈主要問題和風險，加強產業鏈的本地化、系統化布局，建立我國半導體供應鏈安全彈性的保障機制和預警機制。發揮我國半導體產業聯盟等組織整合產業鏈上下游的作用，在半導體產業鏈的重點環節培育一批具有國際競爭力的世界一流企業。充分利用我國半導體產業規模的市場優勢，加強與全球半導體產業領軍企業和細分領域龍頭企業的合作，吸引全球半導體龍頭機構來華投資；加強與國外半導體行業協會、標準組織的交流與溝通，積極構建我國半導體產業國際合作的新格局。

4.加大我國半導體人才培養和政策扶持力度

開展多渠道的國際合作，吸引國際人才，加大吸引全球高端人才政策的力度；高度重視本土半導體人才和技能培養，在高校設置相關專業，建設實驗室，擴招學生，培養高端技術人才。鼓勵半導體領域企業與高校科研機構強強聯合，建立人才培養的創新機制，確保我國半導體技術創新和產業健康持續發展對人才的需求能得到滿足。繼續加大金融、財政、稅收等方面的優惠力度，發揮企業創新主體的作用，加強企業保護知識產權的意識和規避意識，鼓勵半導體領域企業強強聯合，確保我國半導體產業健康持續發展。