





摘?要:針對無線傳感網(wǎng)中通信模塊存在的發(fā)射功率小、接收靈敏度低、難以適應惡劣的工業(yè)無線環(huán)境的現(xiàn)狀,本文設計了一種工作于470MHz頻段的雙向射頻功率放大器。選用Renesas公司的SiGe工藝NPN晶體管NESG270034和NXP公司的第五代Si材料工藝NPN晶體管BFU530W分別設計正向放大器和反向放大器。利用ADS軟件對其進行仿真及實驗測試分析,測試結(jié)果表明:在470MHz頻段內(nèi),正向放大器增益為18.9dB,S11小于-15dB,S22小于-15dB;反向放大器增益大于15dB,噪聲系數(shù)小于1dB,S11小于-15dB,S22小于-15dB。最后聯(lián)合cc1120~470MHz節(jié)點測試發(fā)射功率和接收靈敏度。
關(guān)鍵詞:工業(yè)無線通信;射頻前端;雙向射頻;功率放大器
中圖分類號:TN722.7+5;TN722.1+6??文獻標識碼:A
Research?on?Bidirectional?RFPower?Amplifier?for?Wireless?Sensor?Networks
Chen?Xinping
College?of?Artificial?Intelligence?and?Big?Data,Chongqing?College?of?Electronic?Engineering?Chongqing?401331
Abstract:Aimingat the?situation?of?less?transmit?power?and?low?receiving?sensitivity?in?wireless?communication?module?in?industrial?IOT?wireless?sensor?network,a?kind?of?bidirectional?RF?power?amplifier?working?in?470MHz?band?has?been?designed?in?this?paper.Choosing?SiGe?NPN?transistor?NESG270034?made?by?Renesas?and?the?fifth?generation?of?Si?material?technology?NPN?transistor?BFU530W?made?by?NXP?to?design?forward?amplifier?and?reverse?amplifier?respectively.The?test?results?show?that?in?the?470?MHZ?band,the?gain?of?forward?amplifier?is?18.9dB,S11?and?S22?is?less?than-15dB;the?gain?of?reverse?amplifier?is?greater?than?15dB,the?noise?factor?is?less?than?1dB,S11?and?S22?is?less?than-15dB.Testing?the?transmit?power?and?receiver?sensitivity?with?cc1120~470MHz?node?has?proved?the?practicability?of?the?bidirectional?RF?power?amplifier?at?last.
Keywords:Industrial?wireless?communication;RF?front?end;Bidirectional?RF;Power?amplifier
本文采用cc1120作為射頻芯片,通過在射頻前端電路中插入射頻功率放大器來優(yōu)化增益指標和噪聲系數(shù)[1],同時在結(jié)構(gòu)上放棄了傳統(tǒng)的TX/RX路徑板級直連的結(jié)構(gòu),通過引入射頻開關(guān)來降低TX與RX路徑的相互干擾,達到了提高接收靈敏度的效果。最終實現(xiàn)了30dBm的最大發(fā)射功率和-120dBm的接收靈敏度,測試最遠通信距離為3.8千米[2]。
1?射頻前端鏈路結(jié)構(gòu)研究
對于傳統(tǒng)的時分通信系統(tǒng),其射頻前端鏈路結(jié)構(gòu)主要有TX/RX路徑板級分離(見圖1)和TX/RX路徑板級直連(見圖2)兩種。第一種結(jié)構(gòu)由于是TX和RX路徑分離設計[3],在性能上消除了不同路徑相互串擾的影響,但是由于多出一個濾波器和一根天線的設計,增加了成本,同時在PCB設計上也是難以實現(xiàn)微型化。第二種結(jié)構(gòu)優(yōu)點是改進了上一種結(jié)構(gòu)的缺陷,采用級聯(lián)的方式減少了一個濾波器和一根天線的物料消耗,同時也大大縮小了PCB面積。缺點是無法保證發(fā)射路徑和接收路徑之間沒有任何串擾[4]。
綜合考慮以上兩種鏈路結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點,本文通過在直連的結(jié)構(gòu)中插入一個高隔離度的射頻開關(guān)來隔離TX、RX路徑如圖3所示。同時為了不額外引入諧波能量,將射頻開關(guān)插入低通濾波器的中間,通過將低通濾波器拆分為兩部分截止頻率相近的“半濾波器”來濾除掉新生成的諧波能量。
2?主要模塊設計
在傳統(tǒng)的射頻前端鏈路中插入PA和LNA,設計框圖如圖4所示。
2.1?PA設計中的匹配網(wǎng)絡設計
在TX鏈路匹配網(wǎng)絡設計中,為了方便PA的插入,這里將射頻芯片的TX端口阻抗匹配到50歐姆。這樣在后面PA設計時只需要考慮將PA的輸入阻抗匹配到標準的50歐姆就可以實現(xiàn)射頻芯片TX端口到PA的共軛匹配。
為了提高射頻模塊的發(fā)射功率,需要兼顧增益、線性度、輸入輸出匹配、穩(wěn)定性等放大器指標[4]。本文選擇Renesas公司2W的NPN三極管NESG270034作為功放器件,單級放大方案,增益大于18dB,輸出大于30dBm(1W)@5v,在470MHz頻段輸入輸出回波損耗S11和S22均小于-15dB。
2.2?PA設計中的穩(wěn)定性設計
穩(wěn)定性分析往往作為放大器設計的第一步。不良的設計可能導致放大器自激,造成設備損壞[5]。
本文從兩端口網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)出發(fā),根據(jù)傳輸理論分析影響兩端口網(wǎng)絡穩(wěn)定性的因素,總結(jié)出射頻功率放大器絕對穩(wěn)定條件和提高穩(wěn)定性的措施[6]。射頻放大器兩端口網(wǎng)絡示意圖如圖5所示。
其中:ΓS為信號源反射系數(shù),Γin為輸入反射系數(shù),Γout為輸出反射系數(shù),ΓL為負載反射系數(shù)。
Γin=S11+S21S12ΓL1-S22ΓL=Zin-Z0Zin+Z0(1)
Γout=S22+S12S21ΓS1-S11ΓS=Zout-Z0Zout+Z0(2)
其中:
ΓS=ZS-Z0ZS+Z0,ΓL=ZL-Z0ZL+Z0(3)
ZS,ZL為信號源和負載阻抗,Z0為特性阻抗。
根據(jù)微波傳輸理論,放大器穩(wěn)定的條件應滿足:
ΓS<1,ΓL<1(4)
Γin=S11-ΔΓL1-S22ΓL<1(5)
Γout=S22-ΔΓS1-S11ΓS<1(6)
其中:Δ=S11S22-S12S21。由公式(4)、(5)、(6)穩(wěn)定性條件推導出穩(wěn)定性條件:
K=1-S112-S222+Δ22S12S21>1(7)
當放大器輸入或者輸出端口不穩(wěn)定時,則|ΓS|>1,|Γin|>1或者|ΓL|>1,|Γout|>1代入公式(1)、(2)、(3)中可得(Z0=50Ω):
Re(ZS+Zin)<0,Re(ZL+Zout)<0(8)
綜上所述,對于不穩(wěn)定狀態(tài)下的放大器,其不穩(wěn)定的端口阻抗值實部小于零。故對于不穩(wěn)定的端口,提高穩(wěn)定性的措施可以通過在不穩(wěn)定端口串聯(lián)或者并聯(lián)一個電阻來保證總阻抗值為正[7]。
如圖6所示,在設計PA電路中,通過ADS軟件仿真分析,在輸出端口并聯(lián)一個15歐姆的電阻,放大器在470MHz頻段的穩(wěn)定因子Stab?Fact由之前的0.966改變?yōu)?.583,穩(wěn)定性有明顯的改善[8]。
3?結(jié)論
本文設計了一種工作在470MHz頻段的雙向射頻功率放大器,用于改善工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中無線通信模塊的發(fā)射功率和接收靈敏度。對放大器穩(wěn)定性設計和輸入輸出匹配設計,使雙向射頻功率放大器在470MHz頻段穩(wěn)定工作,輸入輸出回波損耗均小于-15dB,正向增益大于18dB,反向增益大于15dB,噪聲系數(shù)小于1dB。
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基金項目:重慶市技術(shù)創(chuàng)新專項(No.cstc2019jscxmsxmX0168)
作者簡介:陳新平(1979—?),男,博士,重慶電子工程職業(yè)學院副教授,研究方向:網(wǎng)絡安全、智能安防裝備。