IR推出優(yōu)化版車(chē)用DirectFET 2功率MOSFET芯片組

IR推出了一款優(yōu)化版車(chē)用DirectFET 2功率MOSFET芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)中的DC-DC應(yīng)用。新型40 V邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET，有助于最大限度減少 DC-DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。這些器件也可用于更普遍的重載應(yīng)用，如泵和風(fēng)扇的變頻驅(qū)動(dòng)器，以及替代接線盒應(yīng)用中的繼電器。

IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“DirectFET2功率封裝提供了低電阻及低于 D2Pak 10倍的寄生電感，從而保證優(yōu)良的高頻開(kāi)關(guān)性能，減少波形振鈴，而這也有助于限制電磁干擾和濾波器的大小。另外，新型車(chē)用DirectFET2芯片組還具備雙面冷卻和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，為DC-DC轉(zhuǎn)換提供了理想的解決方案”。

AUIRL7732S2邏輯電平 MOSFET具備低柵極電荷（Qg）的特點(diǎn)，PCB占用空間比采用 SO-8封裝小 38%，使其非常適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器中的控制 MOSFET位置。AUIRL7736M2 MOSFET適用于同步開(kāi)關(guān)位置，具有低導(dǎo)通電阻，PCB大小與 5×6 PQFN或SO-8封裝一致。AUIRL7732S2和AUIRL7736M2的低電感可以在更高頻率條件下實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)MOSFET更好的開(kāi)關(guān)性能。車(chē)用DirectFET2產(chǎn)品線基于多年的研究與開(kāi)發(fā)，旨在開(kāi)發(fā)出一個(gè)專為汽車(chē)應(yīng)用，且立足于高度可靠、成熟的消費(fèi)級(jí)DirectFET產(chǎn)品的產(chǎn)品平臺(tái)。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定（RoHS）。

咨詢編號(hào)：2011121010