劉帆
(中國人民武裝警察部隊學院,河北 廊坊 065000)
磁控管是一種微波電真空器件中的器件,它的應用比較廣泛,尤其在航空、軍事武器中的應用發(fā)揮著非常重要的作用。近些年來,磁控管發(fā)展的重點重要集中在:一是大功率、(亞)毫米波段及高頻率的磁控管上的研發(fā);二是大功率的和相對論的電子注的磁控管上的的研發(fā)。這些研究的成功關(guān)鍵,都依賴于磁控管所采用的新材料,尤其是陰極材料。[1]
磁控管工作依賴于二次電子發(fā)射的性能。現(xiàn)今,市面上在磁控管中應用的二次電子發(fā)射陰極的材料主要是合金陰極、氧化物陰極以及金屬陶瓷型陰極,比較各種材料的陰極性能的好壞最主要的參數(shù)是二次電子的發(fā)射系數(shù)。[2]稀土-鉬金屬陶瓷陰極效果最明顯,本文試驗中應用各種有效地方法制造稀土-鉬,盡量從微觀的結(jié)構(gòu)中進行分析,研究每一種因素對這個二次電子的發(fā)射性能的影響規(guī)律。
本組實驗選用的稀土氧化物有Y2O3和和La2O3,其比例為 3:1。運用液固、液液、固固摻雜等方法制造稀土氧化物,并摻雜鉬粉,而后運用等離子體的快速燒結(jié)與常規(guī)的高溫、壓制的燒結(jié)分別制造稀土-鉬陰極的材料。對稀土-鉬燒結(jié)體實施機加工,得到測試的樣品圓片,之后在與裝有裸鎢絲的熱子的金屬鉬筒進行焊接,隨后仔細安裝到測試架上等待測試。同時應用金相顯微鏡與發(fā)射性能測試的方法對這些樣品的微觀結(jié)構(gòu)和二次的電子發(fā)射的性能,在試驗中,應當應用光學的高溫計仔細測試以上的樣品溫度,同時要求設定所收集極的電壓是 250V,運用計算機信息系統(tǒng)自動的測試該系統(tǒng)所測量的δ與一次電子入射的能量上的關(guān)系。
前期的研究表明,稀土的氧化物一般會在稀土-鉬的熱陰極材料中合理分布,這樣會極大地改善熱電子的發(fā)射性能。為了能夠有效的證實稀土氧化物所摻雜的效果會對二次的電子發(fā)射性能造成影響,在液固、液液、固固摻雜等方法制造稀土氧化物,并摻雜鉬粉,仔細對比在高溫的放電等離子的燒結(jié)方法中所得到的二次電子發(fā)射的性能。從對比中可以明顯的看出,液液的摻雜樣品在組織上會變得更加細小,有助于提高二次電子發(fā)射的性能。[3]
在實驗中,對有效提高陰極材料中的δ具有非常重大的使用價值,但是在研發(fā)環(huán)節(jié)中,稀土-鉬陰極中的最大的二次電子的發(fā)射系數(shù)基本維持在3~4的水準,怎樣才能夠有效地提高這一類的陰極δmax 將是以后實驗的重點。本文實驗表明,在REO-Mo的陰極壽命的測試管中所進行的解剖中,可以發(fā)現(xiàn)管壁遺留有MoO3 的沉積物。經(jīng)過相關(guān)分析,筆者認為高真空條件下留有的氧氣一定來自于這些材料,對此,應當有效的對這些材料實施脫氧。其比例為 3:1的 Y2O3和和La2O3樣品在測試以前,應當先在氫氣的氣氛下實施退火等措施,處理,退火溫度保持在1300℃,最低維持1小時。并對退火前后的樣品中的二次電子的發(fā)射性能實施有效的分析比較,可知在進行氫氣退火處理以后,這些樣品的激活溫度大幅度的降低,而發(fā)射系數(shù)就會大幅度的提高。
在經(jīng)過活化處理的工藝前提下,詳細的明確了稀土-鉬材料中的稀土氧化物的總含量是25%后,在此基礎上,對這些不同成分的樣品中的二次電子的發(fā)射性能實施測試,來確定最優(yōu)的稀土-鉬陰極材料中的組成成分。本文實驗表明,本實驗希望陰極材料中的二次電子的發(fā)射系數(shù)變得越高,這樣將有助于降低器材的噪音,極大地提高頻譜的質(zhì)量。[4]
對以上實驗結(jié)果進行探討可知,液液的摻雜樣品在組織上會變得更加細小,有助于提高二次電子發(fā)射的性能。在實行高溫的氫氣處理后,會讓這些樣品的激活溫度大幅度的降低,而發(fā)射系數(shù)就會大幅度的提高。在稀土氧化物的總含量是一樣的情形下,Y2O3 樣品中的二次電子發(fā)射性能表現(xiàn)的更好。
稀土-鉬金屬陶瓷陰極主要有王金淑教授發(fā)現(xiàn)的,從20世紀90年代末到21世紀初,她就開始研發(fā)新型金屬陶瓷型的陰極材料,從先前的研究證實,這種陰極材料與常規(guī)性的陰極材料相比,最大的優(yōu)點就是二次電子發(fā)射的性能,同時也存在最合適的激活溫度過高,以及二次電子發(fā)射的具體性能還需要更加的完善等。
[1]張振宇,路新春,雒建斌;超音速等離子噴涂法制備La2O3和CeO2摻雜CoCrW涂層的摩擦學性能研究[J]. 科學通報. 2007,11(12):167--169
[2]YERYOMKA V D,KOPOT M A,KULAGIN O P.Surface-wave magnetrons:Electromagnetic radiation oscillators in THzrange. 16th International Crimean Conference-Microwave and Telecommunication Technology .2006,15(35):267--269
[3]T. Wojewoda,P. Achatz,L. Ortéga,et al.Doping-induced anisotropic lattice strain in homoepitaxial heavily boron-doped diamond. Diamond and Related Materials .2008,18(16):158--160
[4]周身林,張久興,劉丹敏等;SPS反應燒結(jié)制備多元稀土硼化物陰極(SmxBa1-x)B6的晶體結(jié)構(gòu)及其表征[J]. 稀有金屬材料與工程. 2011,16(06):128--130