唐吉龍
(長春理工大學,吉林 長春 130000)
金屬鍺具有優良的紅外光學特性和物理特性,由于鍺在大氣中對于2-14μm波段具有高而均勻的透明性,是熱像儀理想的窗口、透鏡和轉鼓材料,其大規模應用于偵察和警戒的夜視儀和熱成像儀等領域,在紅外光學領域具有不可替代的地位。但是由于鍺的折射率很高(n=4.3),因此鍺光學元件的界面損失非常大,透過率僅為40%,嚴重影響光學性能,特別是紅外光學性能,因此需要制備紅外增透膜來改善鍺的紅外光學透過性能[1]。
類金剛石(DLC)膜在中遠紅外具有優異的透過性能,因此可作為紅外光學元件的光學增透薄膜使用[2,3]。又因為DLC膜具有優異的耐磨性、化學耐腐性和硬度,因此是紅外光學薄膜的理想材料,具有廣闊的應用前景。DLC膜的折射率在1.6~2.5之間可調,折射率的大小也由制備工藝參數和方法決定[4~6]。基于DLC膜優異的紅外光學性能,可用于紅外光學元件的增透保護膜。
結合于鍺與DLC薄膜的特點,本文采用化學氣相沉積法(PECVD)在鍺基底表面制備一定厚度的DLC薄膜,作為鍺的紅外增透保護膜,以提高其8~12μm波段的光學透過性能。
采用RF-PECVD設備在預處理過的Ge基底上沉積DLC膜,基底表面在沉積DLC薄膜前必須進行預處理,以清潔基底表面,去除表面的氧化層,調整基底的表面活性,提高基底材料的表面能,從而提高DLC薄膜與基底的附著力。
沉積DLC膜前要采用下列步驟進行清洗:
(1)用 HF:H2O<1:75 的溶液清洗 3~5 分鐘,去除基片表面的氧化物;
(2)用去離子水浸泡10分鐘后,并清洗兩次;
(3)在H2O2:HCl:H2O=1:1:1.5的溶液中超聲清洗10分鐘;
(4)用去離子水清洗兩次,以去除超聲液;
(5)在H2O2:NH4OH:H2O=1:1:1.5的堿溶液中超聲波清洗10分鐘;
(6)用去離子水清洗兩次,去除超聲液;
(7)放置于酒精:丙酮=1:3的溶液中;
(8)在加入真空室前用干燥的氮氣將其吹干。
沉積DLC膜時,真空室內壓強為1.0×10-6Torr時通入C4H10,流量為20sccm min-1,通過Throttle閥門調節真空室壓力,維持在2.0×10-2Torr,射頻功率使用400W,偏壓為為-300V。
對制備的樣品進行傅立葉紅外(FTIR)光譜測試獲得紅外吸收光譜(如圖1所示),其中2800-3000cm-1波數范圍內對應著DLC薄膜內各基團結構,因此,著重研究該波段的光譜曲線(如圖2所示)。

圖1 樣品的FTIR光譜曲線
測試結果顯示:吸收峰所對應的結構為2930cm-1所對應的 sp3CH2,2850cm-1對應的 sp3CH2,2975cm-1對應的sp2CH2,和2985cm-1對應的sp3CH3。當工藝參數改變時各吸收峰的強度也發生改變,即樣品為含氫DLC膜,通過Gaussian法進行分峰處理,并通過卷積求取峰值面積的比值[7,8],求得樣品中 sp3:sp2=1.93。

圖3.7樣品的紅外特征吸收峰與結構的對應曲線
對樣品進行中紅外透射光譜測試,測試曲線如圖3所示,圖中曲線1為基底鍺的透射曲線,在8~12μm范圍內透過率約為42%,曲線2為單面鍍制DLC膜的樣品的透射曲線,8~12μm范圍內極值透過率約為63%,曲線3為雙面鍍制DLC膜的樣品的透射曲線,8~12μm范圍內極值透過率約為93%。測試結果表明:DLC膜是鍺的理想增透膜,通過雙面DLC膜的制備大大降低了鍺的界面反射,有效提高透光比,從而提高鍺的紅外應用效果。

圖3 樣品的中遠紅外透射光譜曲線

圖4 樣品理論中遠紅外透射曲線
在鍺基底表面采用PECVD制備的DLC薄膜,為含氫類金剛石薄膜,該薄膜通過雙面鍍制可以有效消除因高折射率而形成的界面損耗,從而大大提高其紅外透過性能,改善紅外應用效果。
[1]潘永強,朱昌,杭凌俠.鍺基底3~5μm和8~12μm雙波段紅外增透膜研究[J].激光與紅外.2004,34(5):372-374.
[2]楊慎東,寧兆元,黃峰等.α-C:F薄膜的熱穩定性與光學帶隙的關聯[J].物理學報,2002,51(06):1321-1324.
[3]李紅軒,徐洮,陳建敏等.射頻功率對類金剛石薄膜結構和性能的影響[J].物理學報,2005,54(04):1885-1889.
[4]宇軍,董光能,毛軍紅等.含氫類金剛石膜沉積過程的分子動力學模擬[J].科學通報,2007,52(23):2813-2817.
[5]胡曉君,李榮斌,沈荷生等.摻雜金剛石薄膜的缺陷研究[J].物理學報,2004,53(06):2014-2018.
[6]趙棟才,任妮,馬占吉等.摻硅類金剛石膜的制備與力學性能研究[J].物理學報,2008,57(03):1935-1940.
[7]寧兆元,程珊華,葉超.電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積a-CFx薄膜的化學鍵結構[J].物理學報,2001,(03):566-571.
[8]辛煜,寧兆元,程珊華等.ECR-CVD法制備的a-C:F:H薄膜在N2氣氛中的熱退火研究[J].物理學報,2002,(02):439-443.