賀想容
(沈陽匯成電纜集團有限公司,遼寧 沈陽110144)
防止局部放電的有效措施是采用半導電導體屏蔽結構,導體屏蔽可分為半導電帶繞包式和半導電料擠包式兩種。由于半導電帶繞包式不可能做到導體和絕緣之間沒有空隙,效果很不理想,除較低電壓級上很少采用外,現在基本不采用?,F在普遍采用的是半導電料擠包結構,它與導體、絕緣牢固緊密接觸且沒有空隙,大大降低了電纜的局放值,提高了電纜的長期穩定性及使用壽命。
(1)緩和絞合導體表面電位梯度的增加,達到圓柱形均勻電場。(2)防止絞合導體和絕緣之間的局部放電。
絞合導體和屏蔽保持等電位,而且導體和屏蔽、屏蔽和絕緣之間牢固緊密接觸,沒有空隙,可避免局部放電。
(1)屏蔽和絕緣復合介質的tgδ 要小。對tgδ 很小的XLPE等絕緣材料而言,所用的屏蔽層電阻率要適當,使復合介質tgδ不增加。
(2)屏蔽層的焦耳損耗及tgδ 引起發熱時,屏蔽層不軟化。
(3)屏蔽和導體應牢固緊密接觸,他們之間接觸電阻要小。它們之間接觸電阻大,引起局放,接觸電阻部位發熱,使屏蔽層受損傷,最后有可能導致絕緣擊穿。
(4)分擔與屏蔽層的電壓,不致引起屏蔽層先擊穿,進而防止絕緣擊穿。
(5)屏蔽層必須沿長度方向均勻而穩定。要做到這一點必須采用批量之間分散性小的配方和加工方法。
(6)必須要考慮屏蔽料在擠出機上擠出的可能性。擠出的屏蔽層不發熱,光滑均勻,擠出容易。
(7)屏蔽層和絕緣接觸良好、牢固、緊密:它們之間接觸不良有空隙就引起局部放電。
(8)長期使用性能要穩定。長期運行中熱脹冷縮情況下,屏蔽導電率要穩定、不裂紋。
以上屏蔽層應具備性能中,1~4 項為屏蔽層本身所需要的性能,5~8 項為材料配方及加工上的問題。
(1)從屏蔽和絕緣的復合介質的tgδ 要小的角度考慮,屏蔽層體積電阻率應在1×105Ωcm 及以下為宜。電壓越高絕緣厚度越厚,電容越小,屏蔽層電阻率可取大一些。
(2)從為了避免屏蔽層過分發熱角度考慮,體積電阻率應在2×107Ωcm 以下為宜。
(3)絞合導體和屏蔽之間,防止局部放電產生,希望體積電阻率在1×105Ωcm 以下。
(4)施加沖擊電壓時,從不引起屏蔽層先被擊穿角度考慮,希望體積電阻率在1×104Ωcm 以下。
(5)由屏蔽電阻—溫度性能考慮:以上1~4 項的結論是在常溫下試驗得到的,考慮到屏蔽電阻—溫度特性,把屏蔽層體積電阻率,在上述常溫電阻率的基礎上降低約一位數量級較為合理。
(6)由屏蔽體積電阻率的分散性和穩定性考慮:目前用作屏蔽的半導電料,都是在塑料中加一定量的炭黑得到的,經試驗證明,聚烯烴類的半導電料的體積電阻率在1×103~1×105Ωcm 范圍內,受擠出、硫化、時間及壓力等加工條件的影響較大,因此體積電阻率的分散性也較大??紤]到這一點,屏蔽電阻率為1×103及以下為宜。
(7)從長期使用性能穩定性考慮,其體積電阻率在工作溫度和高溫下長期運行條件下要穩定,變化要小。
綜合上述可知,由于考慮的角度不同,屏蔽層的最佳體積電阻率范圍也不同,但是對以上所有最佳體積電阻率范圍綜合分析可得出如下結論:滿足上述所有不同要求的、比較理想的體積電阻率應控制在1×103Ωcm 及以下為宜。
[1]HC184.2-90,“交聯聚乙烯電纜用半導電料.
[2]GB/T12706-2008,額定電壓35kv 及以下銅芯、鋁芯塑料絕緣電力電纜.
[3]IEC502.
[4]Wire and cable compounds wire & cable materials union carbide.
[5]Semiconductive compounds AT plastics inc.
[6]BP polyethylene.
[7]超高壓架橋木用半導電被覆層的探討.日本住友電氣.
[8]Thernial stability of wire and cable compounds in the dry nitrogen gas-curing process.
[9]NESTE polyethylene.