光電器件用金屬外殼高頻性能的改進(jìn)

袁中朝，許　健，崔大健，姚科明（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第44研究所，重慶 400060）

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光電器件用金屬外殼高頻性能的改進(jìn)

袁中朝，許健，崔大健，姚科明
（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第44研究所，重慶 400060）

金屬外殼對(duì)光電器件的微波高頻特性有重要的影響。從金屬外殼的內(nèi)腔結(jié)構(gòu)和傳輸線過(guò)渡結(jié)構(gòu)兩個(gè)方面，對(duì)光電器件的高頻特性進(jìn)行改進(jìn)。通過(guò)對(duì)金屬外殼內(nèi)腔的幾何結(jié)構(gòu)、傳輸線過(guò)渡結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，成功地將器件的衰減尖峰從14.5 GHz移至3 dB帶寬之外的19.1 GHz，使器件的3 dB帶寬提高了1 GHz。

外殼；高頻特性；諧振頻率；阻抗匹配

1　引言

光電器件金屬外殼起承載、保護(hù)光電器件芯片和提供光電信號(hào)傳輸通道的作用，對(duì)器件光電性能參數(shù)及器件的可靠性有著重要影響。隨著高速光纖通信技術(shù)與微波光子技術(shù)的發(fā)展，高速、高保真、低損耗的信息交換需求推動(dòng)著高頻光電器件金屬外殼的設(shè)計(jì)、工藝及測(cè)試技術(shù)的發(fā)展。

某型號(hào)高速光電器件在研制過(guò)程中發(fā)現(xiàn)高頻性能不理想，在器件的頻率響應(yīng)曲線上14.5 GHz附近有一個(gè)吸收峰，該吸收峰位于器件的3 dB帶寬之內(nèi)；該器件裸芯片測(cè)試滿足高頻特性要求，經(jīng)分析認(rèn)為這是由于外殼的高頻特性與器件要求不匹配造成的。為此，本文主要從決定外殼高頻特性的兩個(gè)主要環(huán)節(jié)——內(nèi)腔結(jié)構(gòu)和傳輸線過(guò)渡結(jié)構(gòu)——對(duì)該金屬外殼進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，改進(jìn)其高頻特性。

2　光電金屬外殼結(jié)構(gòu)

圖1　金屬外殼的結(jié)構(gòu)

此光電器件由金屬殼體、蓋板、光纖端口、電信號(hào)端口、光電核心及高頻組件幾部分組成，如圖1所示。……