“瘋狂內(nèi)存條”背后的隱憂

鐵流

近日，一篇名為《內(nèi)存的戰(zhàn)爭(zhēng)，瘋狂漲價(jià)內(nèi)存背后的產(chǎn)業(yè)故事》的文章在技術(shù)圈流傳。自去年開始，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條及閃存卡等存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格開始瘋漲，一根8GBDDR4內(nèi)存條已經(jīng)從2016年上半年的200元左右瘋漲到現(xiàn)在的900多元。即便是飽受詬病的房?jī)r(jià)上漲速度，也無法和內(nèi)存條的漲價(jià)速度相比。

漲價(jià)背后，是三星、SK海力士等韓國(guó)企業(yè)的強(qiáng)勢(shì)上揚(yáng)。今年第二季度，三星在芯片銷售業(yè)績(jī)上一舉擊敗美國(guó)芯片巨頭英特爾。與此同時(shí)，韓國(guó)另一家企業(yè)SK海力士營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率也達(dá)到45.59%，在韓國(guó)30家市值最大的上市公司中位列榜首。

韓國(guó)企業(yè)的高歌猛進(jìn)，反襯出中國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的黯淡。由于中企在NANDFlash和DRAM兩種存儲(chǔ)芯片方面的市場(chǎng)占有率微乎其微，且NANDFlash和DRAM被少數(shù)國(guó)際大廠，特別是韓國(guó)企業(yè)所壟斷，直接導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格很容易受到壟斷企業(yè)決策影響。

韓國(guó)企業(yè)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域?qū)吓拼蠊镜膹?qiáng)勢(shì)“逆襲”再次表明，將“自由競(jìng)爭(zhēng)”“小政府”奉為“圣經(jīng)”完全是自欺欺人。自上世紀(jì)80年代以來，三星等公司充分利用存儲(chǔ)器行業(yè)周期性強(qiáng)的特點(diǎn)，以舉國(guó)體制為籌碼，在價(jià)格下跌、生產(chǎn)過剩的大環(huán)境下，逆勢(shì)瘋狂擴(kuò)產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步降低產(chǎn)品價(jià)格，由此引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)造成存儲(chǔ)芯片企業(yè)普遍虧損。由于三星的體量占據(jù)韓國(guó)GDP的20%，有足夠的資本去虧損，在價(jià)格戰(zhàn)中處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。通過這種方式，三星把曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場(chǎng)50%以上份額的日本企業(yè)趕下神壇，而三星昔日的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手則大部分破產(chǎn)或被收購(gòu)。……