何興財
【摘要】多晶硅是單晶硅中最重要的形式之一。由于它的半導體特性,它已被廣泛應用于微電子工業和光伏產業。隨著光伏產業的快速發展和太陽能電池對多晶硅需求的快速增長,世界各國都在競相開發低成本、低能耗的太陽能級多晶硅的新技術和技術,并傾向于制備低純度的太陽能級多晶硅工藝和制造。采用高純度電子級多晶硅技術,進一步降低了成本。
【關鍵詞】多晶硅;生產技術;發展方向
一、多晶硅的生產工藝
目前多晶硅的生產技術主要包括:改良西門子法、物理冶金法和硅烷法。改良西門子法能耗較高在80-200kWh/kg,純度可以達到電子級多晶硅標準9N-12N;物理冶金法雖然能耗較低為30-50kWh/kg,但是純度只能做到5N-6N,而且生產出的多晶硅存在純度不均勻,產出的電池存在轉換效率衰減等問題;硅烷法可以生產12N以上的電子級多晶硅,但是硅烷屬于易燃易爆物質,存在一定的安全隱患。改良西門子法因技術相對成熟,可以相對較低的成本生產出高純度的多晶硅,是目前多晶硅生產的主流技術,占全球多晶硅產能的80%,在中國的多晶硅產能中份額超過90%。
二、多晶硅生產三種技術方法
(一)改良西門子法
基于西門子法工藝,經過加大還原尾氣干法回收系統和四氫氯化硅氧化工藝。實現閉路循環,則構成改良西門子法,即閉環式三氯氫硅還原法。該方法主要有三氯硅烷合成、三氯硅烷蒸餾提純、三氯硅烷還原、尾氣回收、四氯化硅的氫化分離。
(二)硅烷流化床法
流化床工藝是美國聯合碳公司在早期制備的多晶硅技術。該方法采用四氯化硅、氫氣、氯化氫以及工業硅作為原料,在高溫高壓流化床(沸騰床)中生成三氯氫硅,然后再將三氯氫硅再深一步生成二氯二氫硅,然后生成硅烷氣體。將硅烷氣添加到流化床反應器中,用小顆粒硅粉進行連續熱分解反映,形成粒狀多晶硅產品。由于流化床反應器中硅的表面積較大,因此該方法生產效率高,功耗低,成本低。然而,工藝和設備的安全性很高,關鍵設備的材料也很高。否則,產品的純度將受到嚴重影響。該方法適用于低成本的太陽能多晶硅的大規模生產。
(三)氣液沉積技術
在初期,日本研制并掌握了氣液沉積法。在一個管狀反應器中,液態硅是由1500攝氏度的高溫氣體直接產生的,因為它的反應溫度更高,而與現有的改進的西門子方法相比,它有更快的沉降速度。主要的工藝是通過氯氣和二氧化硅的反應,通過氯氣和二氧化硅的反應生成四氯化硅。四氯化硅分離和萃取后,在氣液沉積反應器中產生多晶硅液滴。工業硅不再是工藝的起始原料,它的原材料是二氧化硅。從工藝入手,將二氧化硅熔煉成工業硅粉,可以有效地節省硅粉,使整個多晶硅工藝大大降低。四氯化硅的純化效果會更好,純度高。這不僅能有效降低多晶硅的生產成本,而且能生產出更高純度的多晶硅。因此,在未來的生產中,需要進一步開發和整合該技術,關鍵是氣液沉積和四氯化硅技術的研究與開發。在三種多晶硅制備方法中,改進的西門子法和硅烷法占總市場的99%,而汽液沉積法只占市場的1%,其中絕大多數處于實驗狀態。
三、改良西門子法與硅烷流化床法比較
(一)工藝技術方案比較
用于批量多晶硅生產的改進的西門子方法具有以下優點:由于改進的西門子方法,使用多棒和大直徑還原爐能夠有效地降低還原爐消耗的電能,改進的西門子方法能夠有效地回收還原尾氣并降低材料消耗。由于改進的西門子方法是一個封閉的電路系統,多晶硅生產中的各種材料都得到了充分的利用,廢料很少。與傳統的西門子法律相比,污染已經得到控制,環境得到了保護。硅烷流化床工藝生產的粒狀多晶硅具有生產快、效率高、成本低的特點;生產過程節能,耗電量小;連續不間斷生產;閉路生產和三廢排放;產品方案可根據市場情況進行調整,其中間產品三氯硅烷和硅烷可以作為產品銷售。
(二)產品在下游光伏產線的應用
在多晶硅下游的晶體生長過程中,使用大塊硅可以保證晶體的質量,為后續電池的轉換效率提供良好的基礎。但是,有一些潛在的風險因素,如負荷能力較低和二次進料不方便,對生產效率、生產率和生產都有很大影響。如果使用顆粒硅,加載時間的可以提高生產效率,但由于顆粒小于散裝硅,硅和吸塵鏈接的質量更輕的水晶,可以將原料顆粒飛濺造成的顆粒硅,這可能會導致生產不安全、不穩定過程。目前顆粒多晶硅純度低,雜質含量高。使用粒狀硅不能保證產品的質量。為了增加材料的用量,提高生產效率,降低生產成本,可將粒狀多晶硅添加到塊狀材料中,以彌補大塊硅材料之間的間隙,最大限度地增加載荷,節省成本。通過坩堝負荷試驗,與100%西門子散裝材料相比,50%的西門子散裝和50%粒狀多晶硅混合料可使初始坩堝重量增加29.3%,使加載時間減少41%,效益顯著。
四、結語
綜上所述,隨著我國工業發展水平的提高,對多晶硅材料的需求也在不斷增加。然而,由于生產過程的復雜性,很難簡單地按照傳統工藝完成生產。因此,本文分析和改進的西門子法、硅烷流化床技術和氣液沉積技術三種重要的技術方法。結果表明,改進后的西門子法和硅烷流化床法在工藝上是相同的,在下游光伏生產線上相互依賴。因此,這兩種多晶硅制備工藝不能在短時間內被取代,并將共同發展。
參考文獻
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