血管性認知障礙與腦梗死部位及定量腦電圖的相關性

周足妹，蔣啟榮

血管性認知障礙（VCI）作為引起老年癡呆的重要原因，是由頭部血管疾病（腦梗死、腦出血等）及其危險因素引起的不同程度的認知損害綜合征，隨著人口老年化，其發病率及病死率越來越高[1]。不同原因造成的大腦電生理和功能變化均可引起腦電波的變化，腦電圖已成為了解腦功能狀態的重要檢查。由于VCI在病因、發病機制、臨床癥狀及影像學等多方面存在明顯的異質性[2]。本研究通過研究VCI與腦梗死部位、定量腦電圖的相關性，旨在為VCI的早期診斷及治療提供參考依據。報道如下。

1 資料與方法

1.1 一般資料 收集浙江省永康市第一人民醫院2017年1月至2018年1月住院治療的腦梗死患者98例，根據有無VCI分為實驗組和對照組，各49例。對照組男23例，女26例；年齡50～79歲，平均（60±10.3）歲；平均病程（16±8.3）月；合并高血壓37例，合并糖尿病26例，合并高脂血癥31例。實驗組男20例，女 29例；年齡 51～ 75歲，平均（61±10.7）歲；平均病程（15±7.6）月；合并高血壓35例，合并糖尿病29例，合并高脂血癥33例。兩組上述資料差異均無統計學意義（均P＞0.05）。

1.2 納入與排除標準 納入標準：實驗組患者均符合《中國血管性認知障礙診療指導規范（2016版）》[3]中規定的標準。排除標準：阿爾茲海默病患者；帕金森病、中樞神經系統疾病、精神疾病等其他原因引起的認知障礙患者。

1.3 方法

1.3.1 頭顱磁共振成像檢查 入院后對患者應用美國 GE Discovery MR750 3.0T核磁共振儀進行頭顱磁共振成像檢查，應用Fuctiontool軟件處理圖像，由兩名放射科醫師對結果進行分析，記錄患者的梗死灶位置。

1.3.2 腦電圖檢查 入院后對患者應用上海諾誠NATION7128W腦電圖儀進行腦電圖檢查，按常規10/20系統放置電極，16 導單（O1、O2、T3、T4、T5、T6、C3、C4、P3、P4、FP1、FP2、F3、F4、F7、F8）采樣，Cz作為參考電極，記錄時間為30min，采樣單位為8 s。功率譜劃分：（8.0～12.9 Hz），（13.0 ～ 24.9 Hz），（4.0 ～7.9 Hz），（1.0～ 3.9 Hz）。定量腦電圖分析指標：腦電圖空間對稱指數（sBSI）和（+）/（+）比值（DTABR）。sBSI的計算公式采用Sheorajpanday等[4]應用的方法進行計算。利用腦電圖儀自帶的分析技術計算出DTABR值。由同一名腦電圖科醫師進行腦電圖檢查，結果由兩名具有高級職稱的腦電圖科醫師進行分析。

1.4 統計方法 采用SPSS21.0統計軟件進行分析。計量資料以均數±標準差表示，比較采用t檢驗；計數資料比較采用2檢驗；危險因素分析運用Logistic回歸分析模型。應用受試者工作（ROC）曲線評價研究指標對VCI的診斷價值。P＜0.05為差異有統計學意義。

2 結果

2.1 兩組腦梗死部位比較 實驗組腦梗死部位多見于額葉、顳葉，對照組多見于枕葉，差異均有統計學意義（P＜0.05）；兩組頂葉、丘腦、基底節差異均無統計學意義（均P＞0.05）。見表1。

2.2 兩組sBSI和DTABR值比較 實驗組DTABR值在全腦、額葉、顳葉、頂葉、枕葉、中央部位均高于對照組（均P＜0.05），且在左顳葉、左額葉、左頂葉、左枕葉、左中央部位、右顳葉、右額葉、右頂葉、右枕葉、右中央部位均明顯高于對照組相應部位（均P＜0.05）；實驗組sBSI值明顯高于對照組（P＜0.05）。見表2。

2.3 血管性認知障礙發生的多因素分析 腦梗死部位位于額葉、顳葉為血管性認知障礙發生的危險因素（均 P＜0.05）。見表 3。

2.4 sBSI和全腦DTABR對VCI的診斷價值 ROC曲線分析顯示，sBSI的曲線下面積為0.905，全腦DTABR的曲線下面積為0.937。

3 討論

VCI最常見原因是腦部小血管病導致彌漫性皮層下白質病變，因此頭部血管疾病（腦梗死、腦出血等）及其危險因素均為引起VCI的高危因素[5]。隨著人口老年化，頭部血管疾病的發病率越來越高，且多伴有高血壓、高脂血癥及糖尿病等損傷血管的疾病，由此引起的VCI已成為引起老年癡呆的重要原因[6]。特定部位的腦梗死容易發生VCI（如額葉，顳葉），當梗死灶位于其他部位時，發生VCI的概率則顯著降低[7]。

本研究顯示：VCI患者腦梗死部位更多見于額葉、顳葉。多因素分析顯示：腦梗死部位位于額葉、顳葉為血管性認知障礙發生的危險因素。額葉約占大腦半球的1/3，幾乎涉及所有的心理功能，且功能廣泛復雜，其發生病損時主要引起隨意運動、言語、顱神經、植物神經功能及精神活動等方面的障礙。顳葉位于外側裂下方，顳上溝和顳下溝將其分為顳上回、顳中回、顳下回。顳葉中有聽覺言語中樞、嗅味覺中樞等，其發生損害會引起記憶、聽覺、言語及視野等多功能缺陷。顳葉在信息的感知、傳輸及加工等過程中發揮作用，當顳葉-腹內側前額葉皮質通路受損，患者的執行能力、識別能力等功能將受損；杏仁核-海馬通路參與對記憶的加工和提取，當其受損時，患者的記憶功能也將受損。因此當梗死灶位于顳葉時，也易引起患者出現VCI[8-9]。

sBSI指數在單側頸動脈血管狹窄或夾閉時會明顯升高，腦血流灌注恢復時會隨之降低，有利于觀測由于腦血流灌注不同，造成大腦半球間腦電活動的非對稱性，對腦血流灌注降低檢測有更高的敏感性。腦電圖 DTABR值反映 、、、四個頻帶腦波的比例、分布及波幅變化情況，反映了腦損傷的病理生理變化。腦電圖中 波段的功率升高是腦梗死患者認知障礙的潛在預測生物標志物，可能對早期預測腦梗死患者的認知障礙有價值。本研究顯示：合并VCI的腦梗死患者的DTABR在全腦、額葉、顳葉、頂葉、枕葉、中央部位均顯著高于無VCI的腦梗死患者。關于DTABR值升高的原因，主要在于 波和 波的增多以及 波的減少，其被認為是大腦功能發生改變的早期指標。DTABR值升高程度則代表著腦功能的損害程度。研究顯示sBSI值與NIHSS量表評分具有明顯的相關性[10]，可用來監測患者腦功能變化。因此，合并 VCI的腦梗死患者的sBSI值和全腦、額葉、顳葉、頂葉、枕葉、中央部位的DTABR值顯著升高。ROC曲線分析顯示，sBSI值和全腦DTABR值對VCI有很好的敏感性和特異性。

表1 兩組患者腦梗死部位比較 例（%）

表2 兩組sBSI和DTABR值比較

表3 血管性認知障礙發生的多因素分析

圖1 sBSI和全腦DTABR對VCI的診斷價值

綜上所述，VCI患者的腦梗死部位更多位于額葉、顳葉，這些部位梗死是VCI發生的危險因素。VCI患者腦電圖空間對稱指數和 DTABR值顯著升高，兩者對VCI的診斷有較好敏感性和特異性。