光電特性分析在Ag-ITO復合納米薄膜中的應用

張慧慧，夏齊萍

(合肥經濟學院 工學院，安徽 合肥 230000)

Ag-ITO復合納米薄膜具有很強的活性組分，被廣泛應用在工業生產中，在Ag-ITO復合納米薄膜的合成和制備過程中，需要結合對Ag-ITO復合納米薄膜的光電特性分析，建立Ag-ITO復合納米薄膜的光電特征分析模型，通過光譜特征分析方法，建立Ag-ITO復合納米薄膜的聚合化學分析模型，采用光響應的配體分析方法，實現對Ag-ITO復合納米薄膜的光電特征分析，利用Ag-ITO復合納米薄膜的光響應分子分析方法，實現對Ag-ITO復合納米薄膜的光響應基團參數分析[1]。本文構建Ag-ITO復合納米薄膜的鎳-光反應催化模型，通過單電子轉移的過程控制方法，實現對烷基交叉偶聯反應設計，結合鎳金屬催化劑和一級烷基鹵代物底物反應的方法，采用X射線衍射分析(XRD)和掃描電鏡(SEM)分析方法，在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉移過程中[2-3]，根據相應烷基鎳物種的分布特性，實現對Ag-ITO復合納米薄膜的光電特性參數分析，引入光響應分子和伯胺分析，以光學活性芐基甲基醚作為催化劑，通過雙芳基乙烷類反應特性，使得Ag-ITO復合納米薄膜的光學純度得以保持，根據均勻有序的孔道分布，實現光電特性分析在Ag-ITO復合納米薄膜中的應用。

1 Ag-ITO復合納米薄膜的結構與表面性質

1.1 Ag-ITO復合納米薄膜的結構分析

分析Ag-ITO復合納米薄膜的結構分布，采用光電特性分析，在可見光照射條件下，分析強吸附位點的光響應，結合金屬有機試劑交叉偶聯反應的方法[4]，得到復合納米薄膜的A/MS和L(2)/MS.A/MS孔道結構，得到Ag-ITO復合納米薄膜的化學結構如圖1所示。

圖1 Ag-ITO復合納米薄膜的結構

引入介孔氧化硅(MS)的可見光照射分布特征，采用光電分析方法，在紫外光照射下，分析吸附-脫附等溫線分布，采用光響應性基團分析PDA-TPI反應曲線[5]，得到Ag-ITO復合納米薄膜烷基伯胺和光響應基團的元素分析圖，如圖2所示。

圖2 Ag-ITO復合納米薄膜的元素分析圖

根據Ag-ITO復合納米薄膜結構特性和元素組成分析，得到Ag-ITO復合納米薄膜的結構組成如表1所示。

表1 Ag-ITO復合納米薄膜的結構組成

結合對Ag-ITO復合納米薄膜的結構分布，基于等溫線計算Ag-ITO復合納米薄膜的結構性質參數，如圖3所示。

圖3 Ag-ITO復合納米薄膜的等溫線

1.2 Ag-ITO復合納米薄膜表面性質分析

結合XRD譜圖分析，在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉移過程中，根據相應烷基鎳物種的分布特性，構建Ag-ITO復合納米薄膜表面孔徑分布模型[6]，得到Ag-ITO復合納米薄膜表面孔徑分布見表2。

表2 Ag-ITO復合納米薄膜表面孔徑分布參數

由此，結合鎳金屬催化劑和一級烷基鹵代物底物反應的方法，在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉移過程中[7]，得到Ag-ITO復合納米薄膜的UV-Vis吸收光譜分布如圖4所示。

圖4 Ag-ITO復合納米薄膜的UV-Vis吸收光譜分布

2 Ag-ITO復合納米薄膜的光電特性

2.1 Ag-ITO復合納米薄膜的光電反應

在Ni(0)/Ni(II)雙電子轉移過程中，根據相應烷基鎳物種的分布特性，實現對Ag-ITO復合納米薄膜的光電響應特征分析[8]，在UV光電照射前后，分析AL(m)/MS強吸附位點的吸附量變化分布特性，采用化學計量的氧化劑NaClO作為吸附劑[9]，得到Ag-ITO復合納米薄膜的光電特征分布的綜合評價參數見表3。

表3 Ag-ITO復合納米薄膜的光電評價參數

根據表3的Ag-ITO復合納米薄膜光電評價參數，得到催化循環過程如圖5所示。

圖5 催化循環過程

根據鍵能和鍵極化度差別分布，生成Ag-ITO復合納米薄膜的零價鎳[10]，得到不同的進樣濃度分布下光電特性響應的峰面積響應如圖6所示。

圖6 Ag-ITO復合納米薄膜光電特性響應的峰面積響應

3 實驗測試分析

通過雙芳基乙烷類反應特性，使得Ag-ITO復合納米薄膜的光學純度得以保持，采用烷基自由基與二價鎳結合的方法，分析不同的光學純度下的色譜分布，見表4。

表4 不同光學純度的色譜分布

根據色譜分布，萃取后分出水相，得到不同保留時間下，流量、柱溫對Ag-ITO復合納米薄膜的光電特性響應值如圖7所示。

(a)流量對響應值的影響

(b)柱溫對響應值的影響圖7 不同保留時間Ag-ITO復合納米薄膜的光電特性響應值

分析上述測試結果得知，光電特性響應值隨流量變化而變化，流量越小，光電特性響應值越高，光電特性響應值與柱溫呈反比，柱溫越低，光電特性響應值越高；Ag-ITO復合納米薄膜在鎳催化雙烷基親電試劑交叉偶聯下，UV-Vis吸收光譜能力較好，吸附量變化可忽略不計，提高了Ag-ITO復合納米薄膜的化學穩定性。

4 結論

本文構建Ag-ITO復合納米薄膜的鎳-光反應催化模型，通過單電子轉移的過程控制方法，實現對烷基交叉偶聯反應設計，結合金屬有機試劑交叉偶聯反應的方法，得到復合納米薄膜的A/MS和L(2)/MS.A/MS孔道結構，在紫外光照射下，分析吸附-脫附等溫線分布，采用光響應性基團是PDA-TPI反應曲線分析，得到Ag-ITO復合納米薄膜烷基伯胺和光響應基團的元素分析圖，分析不同的光學純度下的色譜分布，實現Ag-ITO復合納米薄膜的光電特性化學分析，提高了Ag-ITO復合納米薄膜的制備穩定性。