多孔GaN/CuZnS 異質結窄帶近紫外光電探測器*

郭越 孫一鳴 宋偉東?

1)(五邑大學應用物理與材料學院,江門 529000)

2)(華南師范大學半導體科學與技術學院,廣州 510631)

窄帶光電探測系統在熒光檢測、人工視覺等領域具有廣泛應用.為了實現對特殊波段的窄帶光譜探測,傳統上需要將寬帶探測器和光學濾波片集成.但是,隨著檢測技術的發展,人們對探測系統的功耗、尺寸、成本等方面也提出了更高要求,結構復雜、成本高的傳統窄帶光電探測器應用受到限制.于是,本文展示了一種基于多孔GaN/CuZnS 異質結的無濾波、窄帶近紫外光電探測器.通過光電化學刻蝕和水浴生長方法,分別制備了具有低缺陷密度的多孔GaN 薄膜和高空穴電導率的CuZnS 薄膜,并構建了多孔GaN/CuZnS 異質結近紫外光電探測器.得益于GaN 的多孔結構和CuZnS 的光學濾波作用,器件在-2 V 偏壓、370 nm 紫外光照下,光暗電流比超過4 個數量級;更重要的是,器件具有超窄帶近紫外光響應(半峰寬＜8 nm,峰值為370 nm).此外,該探測器的峰值響應度、外量子效率和比探測率分別達到了0.41 A/W,138.6%和9.8×1012 Jones.這些優異的器件性能顯示了基于多孔GaN/CuZnS 異質結的近紫外探測器在窄光譜紫外檢測領域具有廣闊的應用前景.

1 引言

紫外光電探測器基于光電效應可實現光電信號轉換,已被廣泛應用于軍事和民用領域,如導彈預警、環境監測、光通信、紫外線輻射監測等[1-3].商用紫外光電探測器主要以真空光電倍增管和硅基光電二極管為主導.然而,在實現特定紫外光波段檢測時,這些光電探測器不僅需要較高的驅動電壓,還需要與外置光學濾波片或薄膜進行耦合,已不能滿足“低功耗、高集成”的市場需求.因此,憑借固有的可見盲性、高抗輻射強度以及無需制冷等優勢,寬帶隙半導體材料逐漸受到學者們的高度關注[4].在眾多寬帶隙半導體材料中,GaN 憑靠優異的材料性質,如寬禁帶、高熱導率、高飽和漂移速度等,成為制備新一代光電子器件的重要材料[5-7].到目前為止,已經報道出各種結構的GaN 基光電器件,如p-n 結型[8-11]、肖特基型[12]和金屬-半導體-金屬型(metal-semiconductor-metal,MSM)[13,14],并在火焰預警、臭氧探測等領域中獲得廣泛應用.即便如此,商用GaN 薄膜在異質外延生長過程中不可避免地產生了較高的位錯缺陷密度,從而致使GaN 基紫外光電器件在實際應用中的性能仍較為有限.近幾年研究發現,制備GaN 的多孔結構是一條有效降低材料缺陷密度、提升光電器件性能的新途徑[15-17].比如Xiao 等[18]基于CoPc/多孔GaN 異質結構建了一種自驅動紫外光電探測器.在365 nm(0.009 mW/cm2)的光照下,該器件顯示出588 mA/W 的高光響應度、4.8×1012Jones 的檢測率以及優異的穩定性.Yu 等[19]通過高溫退火實現了對GaN 多孔結構、晶體質量等方面的精確控制,并研制了基于多孔GaN 的MSM 結構紫外光電探測器.Li 等[20]則報道了基于單層石墨烯/納米多孔GaN 異質結的紫外光電探測器,通過對多孔GaN 的反射率、拉曼光譜等研究,發現孔隙率的增大有助于改善其光學性能.所制備的光電探測器在-1.5 V 偏壓下,具有快速響應(0.35/0.36 ms)、高檢測率(1.0×1017Jones)和高紫外/可見抑制比(4.8×107)特性.Li 等[21]還研發了一種新型的基于橫向多孔GaN/Ag 納米線結構的紫外光電探測器.得益于表面等離子體共振效應,該器件在1 V 偏壓下,光檢測率高達1015Jones,響應速度約為180 μs;此外,Li 等[22]近日報道了基于MAPbBr3與多孔GaN 混合結構的紫外光電探測器.器件在5 V 偏壓、325 nm 紫外光照射下具有高電流開/關比(約5000)以及快速響應(0.21/0.44 s)特性.

在過去幾年,人們在寬帶光電探測器方面做了大量研究,盡可能地拓寬了光譜的探測范圍.如Huang 等[23]制備了石墨烯/HfO2/MoS2結構的光電探測器,實現了473-2712 nm 范圍的超寬波段光檢測,其光響應度為5.36 A/W,響應時間短至68 μs.Hu 等[24]提出了一種基于CsPbBr3/PbSe 量子點異質結的柔性寬帶光電探測器.該光電探測器實現了從紫外到紅外區域的連續檢測范圍,且具有較高的光吸收和化學穩定性.此外,在5 V 偏壓、365 nm(25 μW/cm2)紫外光照射條件下,該器件還表現出高響應度和出色的比探測率,分別為7.17 A/W,8.97×1012Jones.然而,在生物、圖像等傳感應用中往往需要實現對特定波長的光檢測,這便顯示了窄帶光電探測器的重要作用[25].一般來說,實現窄帶光檢測的常規途徑是在靈敏的寬帶光電探測器前面添加濾波裝置[26].這種方法雖然操作簡單,但事實上增加了系統的成本、復雜性以及集成難度.為了解決上述技術問題,目前已經報道了幾種無濾波、窄帶光檢測的實現方法,例如使用窄帶吸收光活性半導體、微腔結構、電極修飾和電荷收集變窄效應(collection narrowing,CCN)[27]等.最近,Wang 等[28]基于缺陷輔助CCN 機制報道了一種無濾波、自驅動鈣鈦礦窄帶光電探測器(峰值為800 nm),通過調整該器件中鈣鈦礦層的鹵化物組分成功調制了帶隙,實現了從紅光到近紅外光的自驅動光檢測以及半峰寬(full-width at halfmaximum,FWHM)為30 nm 的光響應.即使如此,該器件的峰值響應度和比探測率仍然較為有限,分別為0.0637 A/W 和1.27×1012Jones.Li 等[29]報道了具有波長選擇性的GaN 基共振腔光電二極管(峰值為466 nm).通過控制N 型摻雜GaN 的孔化實現了高反射率(＞99.5%),并優化了材料的吸收、反射光譜,實現光譜濾波.該光電二極管在0 V 偏壓下,具有窄帶選擇特性(FWHM 為13 nm),此外,該器件的響應度和外量子效率分別高達0.1 A/W,27.3%.然而其在-2 V 偏壓下,光檢測率僅為8.4×1011Jones.Guo 等[30]報道了一種多孔GaN/MoO3異質結窄帶光電探測器.其通過光學濾波作用使光電器件顯示出可見盲(峰值為370 nm)和超窄帶(FWHM＜10 nm)紫外光響應.此外,該器件在-3 V 偏壓下,表現出大的光/暗電流比(約105)以及顯著的外部量子效率(62.8%)和出色的光檢測率(4.34×1012Jones),但其光響應度較低,僅為187.5 mA/W.Wang 等[31]基于N 型摻雜MAPb X3(MA=CH3NH3;X=Cl,Br,I)鈣鈦礦研發了一種新型異質結窄帶光電探測器.通過光學帶隙工程,不同波長的入射光子被不同的功能層吸收,從而使光電探測器獲得窄帶響應.然而,該異質結器件的外量子效率僅為45%.Guo 等[32]通過設計一種窄帶光吸收活性材料(UPSQ),成功制備了綠光有機窄帶光電探測器(峰值為500 nm).他們通過設計UPSQ 中的空間位阻,減小了活性層材料的光吸收寬度.顯然,這是實現無濾波、窄帶光檢測最直接的方法.然而,在-3 V 偏壓下,該器件表現出較寬的響應波段(FWHM 為90 nm)以及較低的外量子效率(16%),這可能歸因于有機材料的低載流子遷移率.此外,這些以鉛鹵化鈣鈦礦、有機材料等作為活性層的窄帶光電探測器大多工作在可見光或近紅外波段,并且在功耗、穩定性、集成度等方面仍存在巨大挑戰.然而,目前對于窄帶紫外光電探測器卻研究甚少.

基于此,本文報道了一種無濾波、超窄帶多孔GaN/CuZnS 異質結紫外光電探測器.采用光電化學濕刻法制備多孔GaN,與干刻法相比,不僅降低了GaN 材料表面缺陷和殘余應力,還保證了晶體質量不受損傷.通過低成本的化學水浴法,在多孔GaN 上均勻沉積CuZnS 薄膜來制備多孔GaN/CuZnS 異質結.由于CuZnS 層的短波吸收和GaN自身的天然紫外吸收窗口,該異質結器件顯示出超窄帶光響應(FWHM＜8 nm).此外,得益于納米孔的大比表面積以及異質結的有效構建,多孔GaN/CuZnS 異質結器件表現出優異的光電性能,在-2 V 偏壓、370 nm 紫外光照射下所表現出的大光暗電流比(＞104)、高響應度(0.41 A/W)和出色的比探測率(9.8×1012Jones).

2 實驗方法

2.1 多孔GaN 的制備

采用金屬有機物化學氣相淀積法在藍寶石襯底上外延生長GaN 薄膜,厚度約為5 μm.利用丙酮、乙醇和去離子水對GaN 片(1 cm×1 cm)表面依次進行15 min 的超聲清潔并用氮氣吹干備用.在多孔刻蝕實驗之前,對GaN 片表面進行15 min的臭氧清洗以達到親水改性的目的.而后將直流電源的正負極分別連接到GaN 片和Pt 片上,并將GaN 片和Pt 片浸入裝有10 mL 電解液(1-乙基-3-甲基咪唑三氟甲磺酸鹽)的燒杯中.通過調控直流電壓和刻蝕時間獲得不同質量的多孔GaN.

2.2 多孔GaN/CuZnS 異質結器件制備

首先配制三種前驅體溶液.溶液A: 0.12 g 硫酸銅和3.36 g 醋酸鋅在200 mL 去離子水中混合.溶液B: 1.92 g 乙二胺四乙酸二鈉與100 mL 的去離子水混合溶解.溶液C: 1.2 g 硫代乙酰胺與100 mL 的去離子水混合溶解.將溶液B 與溶液A混合并超聲20 min;隨后將經過親水處理的多孔GaN 一側垂直浸入溶液中,并立即將溶液C 加入到混合物中;密封燒杯,保持溫度75℃;1 h 后將GaN 取出并用去離子水清洗、氮氣吹干.最后,銦鎵合金(InGa)和銦(In)分別作為GaN 薄膜和CuZnS 薄膜的接觸電極.

2.3 材料表征和光電測試

多孔GaN 和CuZnS 薄膜表面的微觀形貌由掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)在10 kV 的電壓下進行表征.通過紫外-可見分光光度計(日立U-3900H)、X 射線衍射(X’Pert3)測試了多孔GaN 薄膜和CuZnS 薄膜的光學特性以及CuZnS 復合薄膜的晶體結構.材料的載流子濃度和遷移率由霍爾效應測試儀(Ecopia HMS-5000)進行確認.采用紫外光電測試系統(Zolix SCS10-EQ99-DSR)對異質結器件進行光電測試,該系統包含源表(Keithley 2612B)和可調氙燈.光功率密度值通過Nova II 功率計(OPHIR photonics)測得.所有的測量均是在室溫條件下進行.

3 結果與討論

通過光電化學濕刻法,首先將外延生長在藍寶石襯底上的GaN 薄膜刻蝕成多孔結構[15],而后通過簡單的化學水浴法實現CuZnS 薄膜在多孔GaN 上的原位生長.在實驗中,GaN 多孔結構的形成過程可解釋為: 在300 W 氙燈照射下,GaN吸收光子能量從而將電子從價帶激發到導帶.而后通過外電場作用,電子和空穴于固-液界面處分離,GaN 表面產生了大量空穴并將其氧化,同時Ga≡N 鍵斷裂.最后在靜電作用下,Ga3+與電解質中的形成復合物,GaN 薄膜表面形成多孔結構.圖1(a)-(c)顯示了多孔GaN 薄膜、平面GaN 薄膜和CuZnS 薄膜表面的SEM 圖像.其中,從圖1(a)可清晰地看到相互交錯的蜂窩狀多孔結構,其孔直徑約為50-80 nm,這與平面GaN薄膜的光滑表面截然不同(圖1(b)).此外,沉積在石英片上的CuZnS 薄膜表面光滑、致密且無明顯裂紋(圖1(c)),這主要歸因于ZnS 和CuS 較小的晶體尺寸(＜10 nm)以及它們的相互成核生長[33].在CuS 和ZnS 成核生長過程中,可通過添加絡合劑來平衡Cu2+和Zn2+的離子濃度、調控釋放速率,從而促進CuS 和ZnS 納米晶體在成膜過程中同時成核生長.所制備CuZnS 薄膜的EDX 分析如圖1(d)所示,可以確定其元素組成.

圖1 (a)多孔GaN、(b)平面GaN 以及(c)CuZnS 薄膜的SEM 表征;(d)CuZnS 薄膜的EDX 分析Fig.1.SEM characterization of(a)porous GaN,(b)planar GaN and(c)CuZnS film;(d)EDX analysis of the CuZnS films.

圖2(a)為多孔GaN 薄膜和平面GaN 薄膜的光學反射率曲線,從圖2(a)可看出,多孔GaN 薄膜和平面GaN 薄膜在360 nm 之前具有很強紫外吸收,光反射率幾乎為0.隨著入射光波長的增大,多孔GaN 薄膜和平面GaN 薄膜的光反射率均急劇增大,這可歸因于GaN 天然的紫外光吸收窗口[16].當入射光波長大于360 nm 時,多孔GaN 薄膜的光反射率有所降低.特別是在370 nm 時,多孔GaN 薄膜的反射率(3.9%)約是平面GaN 薄膜的反射率(38.8%)的1/10(圖2(a)插圖).由此可知刻蝕后GaN 表面形成的納米多孔結構有效降低了光反射率,大大提高了GaN 的光捕獲能力.圖2(b)為CuZnS 薄膜的XRD 圖譜,圖中可以清楚看到CuZnS 薄膜在28.6°,31.7°和47.9°附近具有明顯的特征衍射峰.通過與ZnS 和CuS 的衍射峰對比可以看出,CuZnS 薄膜圖譜中出現了CuS 和ZnS的混合相,并無其他新相產生,表明了CuZnS 納米復合薄膜的成功制備,這與之前的工作結果一致[34].其中,在28.6°和47.9°分別對應ZnS 的(102)和(110)平面,而在CuS 中31.7°和47.9°分別對應(103)和(118)平面.CuZnS 薄膜中的ZnS 納米晶體聚集在CuS 納米晶體網絡之間,相互交織的CuS 納米晶體網絡為CuZnS 薄膜提供了高電導率.圖2(c)給出了多孔GaN,CuZnS 及多孔GaN/CuZnS 異質結的歸一化紫外-可見吸收光譜.多孔GaN 在370 nm 附近具有陡峭的光吸收截止邊.利用Tauc 公式[35]:

其中,α為吸收系數,hv為光子能量,Eg為半導體光學帶隙,A為常數.可計算出多孔GaN 和CuZnS的光學帶隙分別為3.35 eV 和3.6 eV(圖2(c)插圖).根據其光學帶隙,本工作中CuZnS 可大致推算出由CuS0.2:ZnS0.8構成.

圖2 (a)多孔GaN 薄膜和CuZnS 薄膜的反射率圖譜;(b)CuZnS 薄膜的衍射圖譜;多孔GaN 薄膜和(c)多 孔GaN、CuZnS 薄膜以及異質結的紫外-可見吸收光譜(插圖為CuZnS 的Tauc 圖)Fig.2.(a)Reflectance patterns of porous GaN and CuZnS films;(b)XRD patterns of CuZnS films;(c)UV-vis absorption spectrum of porous GaN,CuZnS films and GaN/CuZnS heterojunction; inset in(c)shows the Tauc plot of the CuZnS films.

分別采用In 和InGa 作為CuZnS 薄膜和GaN薄膜的接觸電極,構建了異質結器件,其結構示意圖如圖3(a)插圖所示.圖3(a)顯示了多孔GaN/CuZnS 異質結器件在黑暗和370 nm 紫外光照射下的電流-電壓(I-V)特性.在正、反偏壓條件下,可以看到多孔GaN/CuZnS 異質結器件的暗電流曲線具有明顯的非對稱結構,表現出典型的PN 結二極管單向導電特性.為了驗證這個整流效應是否源于多孔GaN/CuZnS 異質結,分別對單層MSM結構的CuZnS 器件和多孔GaN 器件進行了I-V測試,結果如圖3(b)和圖3(c)所示.多孔GaN器件顯示出良好的歐姆接觸,而CuZnS 器件顯示出準歐姆接觸,表明半導體與金屬之間的肖特基勢壘影響可以忽略,也表明了GaN/CuZnS 器件單向導電來源于異質結.此外,通過霍爾效應測試確認材料導電類型,也佐證了GaN/CuZnS 異質PN 結的形成.從表1 霍爾效應測試數據可知,CuZnS 薄膜和多孔GaN 載流子濃度分別為5.24×1018cm-3和1.39×1017cm-3.圖3(b)和圖3(c)的插圖分別展示了器件結構以及在光開關周期(T=10 s)下的電流-時間(I-t)特性.多孔GaN 器件在每個光開關周期均表現出明顯的周期光響應,具體來說,從1 nA 的暗電流迅速增長至10 nA 的光電流并穩定于8.5 nA.而CuZnS 器件在任何光開關周期內均無明顯光響應.此外,該多孔GaN/CuZnS 異質結器件在-2 V 偏壓、370 nm(986.3 μW/cm2)紫外光照射條件下,電流值從暗態的0.56 nA 增長至15.2 μA,光暗電流比超過4 個數量級,顯示出優異的光電轉換能力.

圖3 (a)多孔GaN/CuZnS 異質結器件的I-V 特性曲線(插圖為多孔GaN/CuZnS 異質結器件結構示意圖);(b)CuZnS 器件和(c)多孔GaN 器件的I-V 特性曲線,(b)和(c)中的插圖分別顯示了器件在370 nm 光開關周期下的I-t 曲線和相應的器件結構Fig.3.I-V characteristics of the(a)porous GaN/CuZnS heterojunction PD,inset in(a)shows the schematic illustration of the porous GaN/CuZnS structure;I-V characteristics of the(b)CuZnS PD devices and(c)porous GaN PD,insets in(b)and(c)show the I-t curves under switching 370 nm light illumination and corresponding device structures,respectively.

表1 CuZnS 薄膜和多孔GaN 的霍爾效應測試數據Table 1. Hall-effect test data of CuZnS films and porous GaN.

為進一步優化多孔GaN/CuZnS 異質結器件光電特性,探索了不同刻蝕電壓(V=10,15,25 V)對器件性能的影響規律,將其依次命名為S1,S2,S3 器件,并對相應器件的光電流(photocurrent,Ip)、響應度(responsivity,Rλ)、外量子效率(external quantum efficiency,EQE)和比探測率(specific detectivity,D*)進行分析.其中,Rλ和EQE 是評估光電探測器靈敏度的關鍵參數,可以分別使用(2)式和(3)式進行計算[36-39].而D*是描述光電探測器在噪聲環境中檢測弱信號的能力,可通過(4)式來評估[40]:

其中Id為暗電流,λ和e分別為照射光的波長和電子電荷,P為光功率密度,A為器件的有效面積.如圖4(a)所示,在-2 V 偏壓、370 nm 紫外光照射條件下,隨著刻蝕電壓的增大,器件的光電流和光暗電流比均顯著減小.具體來說,光電流從15.2 μA減小到2.02 μA,光暗電流比降低了一個數量級.此外,可以觀察到器件的R,EQE,D*均隨著刻蝕電壓的增大而降低(圖4(b)和圖4(c)).S1 器件顯示出較高的R(0.41 A/W),D*(9.8×1012Jones)以及EQE(138.6%).與之相比,S3 器件的R和D*分別降低89%,68.5%,僅為0.045 A/W,3.09×1012Jones.造成這種性能差異可歸因于高電壓的過度刻蝕破壞了GaN 多孔結構和晶體質量,對異質結的有效構建造成嚴重影響,界面復合嚴重使光電流降低.除此之外,根據圖4(b)插圖可知,S1 和S2 器件均具有明顯的窄帶光響應,其FWHM 小于8 nm.

圖4 不同刻蝕電壓(V=10,15,25 V)所制備的光電探測器的(a)光電流及光暗電流比、(b)響應度、(c)比探測率,圖(c)插圖為器件的外量子效率Fig.4.(a)Photocurrent and light-to-dark ratio,(b)responsivity and(c)specific detectivity of PDs prepared for different etching voltages(V =10,15,25 V);inset in(c)shows the external quantum efficiency of PDs.

如圖5(a)所示,在反向偏壓作用下,光電流隨著光功率密度逐漸增大而增大,最終達到飽和.在-2 V 偏壓下,隨著光功率密度從68.1 μW/cm2(Ip=0.3 μA)提高至986.3 μW/cm2(Ip=15.2 μA),光電流值提升了50 倍之多.圖5(b)為光電流與入射光功率密度的函數關系,通過Iph=αPθ公式擬合可以得出,在370 nm 處θ值為0.99.其中α是波長系數,系數θ反映了光電流對光照強度依賴關系,其值偏離1 可歸因于多孔GaN/CuZnS 器件內光生載流子的產生、復合與遷移等復雜過程[41].隨著功率密度的增大,R和D*在光功率密度為203.4μW/cm2時出現峰值(圖5(c)),分別為0.99 A/W和2.34×1013Jones.隨后在較大光功率下R和D*的數值逐漸減小,可歸因于飽和效應,這與先前的諸多結果一致[42,43].

器件獲得的高性能、窄帶特性可通過圖5(d)進一步解釋.多孔GaN(3.35 eV)和CuZnS(3.6 eV)相互接觸后,在PN 結作用下形成了內建電場,大大抑制了載流子的重組過程.當器件被370 nm 紫外光照射時,光線穿過CuZnS 薄膜層后被下層的多孔GaN 吸收[44].此時,GaN 吸收入射光子的能量并將價帶的電子激發到導帶,產生大量電子-空穴對.之后在內外電場作用下,電子-空穴對被有效分離并于兩端電極處收集,通過外電路輸出光電流.刻蝕后的多孔GaN,減少了材料缺陷和殘余應力,增強了光捕獲能力,有效促進了光伏效應.另一方面,借助于CuZnS 薄膜的短波吸收特點,令其巧妙地起到了濾波作用,成功實現了濾波片的內置集成化.

圖5 (a)不同強度的370 nm 光照下多孔GaN/CuZnS 異質結光電探測器的I-V 特性;(b)光強和光電流相應的線性擬合曲線;(c)響應度和比探測率隨光強變化;(d)多孔GaN/CuZnS 異質結的能帶示意圖Fig.5.(a)Light intensity dependent I-V characteristics of porous GaN/CuZnS heterojunction PD under 370 nm light illumination;(b)light intensity dependent photocurrent and the corresponding linear fitting curve;(c)responsivity and detectivity as a function of light intensity;(d)the schematic energy band diagram of the porous GaN/CuZnS heterojunction.

與文獻報道中其他無濾波、窄帶光電探測器相比(見表2),本文提出的多孔GaN/CuZnS 異質結器件具有一定的競爭優勢,比如超窄的響應帶寬和出色的弱光檢測能力[37,45-51].其中,與無機器件相比,本工作光電探測器在靈敏度和功耗方面表現出優越的性能;而與有機材料和鈣鈦礦基光電探測器相比,在集成度、穩定性、毒性等方面具有顯著優勢.

表2 無濾波器、窄帶PD 的典型參數比較Table 2. Comparison of typical parameters of filter-free,narrowband PDs.

4 結論

本文報道了一種高性能的無濾波、超窄帶多孔GaN/CuZnS 異質結近紫外光電探測器.通過光電化學濕刻法制備的多孔GaN 降低了內部缺陷和應力,增強了光捕獲能力,而后利用簡單的化學水浴法成功實現了CuZnS 在多孔GaN 上的原位生長.多孔GaN/CuZnS 異質結器件在-2 V 偏壓、370 nm(986.3 μW/cm2)紫外光照射條件下,表現出高光暗電流比(＞104)、高響應度(0.41 A/W)和顯著的比探測率(9.8×1012Jones).更重要的是,由于CuZnS 薄膜層的光學濾波效果,使得該器件還擁有超窄帶光檢測能力(FWHM＜8 nm),成功實現了濾波片的內置集成化.因此,多孔GaN/CuZnS異質結器件在弱光探測、保密通信等領域將具有廣闊的應用前景,同時也為無機窄帶紫外探測技術的發展提供了新思路.