鍇威特：聚焦高可靠半導體國產替代　SiC功率器件進入產業化階段

謝玉璘

凡是涉及電路控制和電能轉換的產品均離不開功率半導體，現階段中國功率半導體產品依賴接近90%，尤其在工業控制領域的高性能產品與高可靠領域的功率半導體產品，國產化替代需求更加迫切。8月18日，聚焦高性能與高可靠“自主創芯”的鍇威特（688693.SH）登陸上交所科創板。功率半導體可分為功率器件和功率IC兩大類，作為國家級專精特新“小巨人”企業，鍇威特擁有包括平面MOSFET、功率IC等700余款產品。2020年至2022年度，公司營收分別為1.37億、2.1 億、2.35 億，扣非后凈利分別為-179.75萬元、4389.76萬元、4956.95萬元。

功率器件種類較多，以MOSFET、IGBT等器件的結構最為復雜，工藝門檻和生產成本相對較高，而隨著電壓和工作頻率要求的提升，MOSFET成為功率器件的主流產品。根據芯謀研究，2021年中低壓平面（400V以下）MOSFET的國產化率約為42.2%，高壓平面MOSFET的國產化率約為29.9%，超高壓平面MOSFET的國產化率約為18.2%。

鍇威特瞄準國產平面MOSFET產業痛點，以“高可靠性元胞結構”“新型復合終端結構及實現工藝技術”等核心技術作為驅動，主攻高壓和超高壓MOSFET產品研發。目前，公司已形成中低壓、高壓、超高壓功率MOSFET產品系列，擁有近500款不同規格的產品，其中超高壓平面MOSFET最高耐壓已達1700V，在國內同行業中處于領先水平。

憑借技術優勢，公司不斷推動產品技術的高效升級。一方面，公司在平面MOSFET 工藝平臺基礎上，利用“高壓MOSFET的少子壽命控制及工藝實現技術”開發了集成快恢復高壓功率MOSFET（FRMOS）系列產品。另一方面，公司向溝槽型MOSFET和超結MOSFET方面延伸，并針對新能源汽車用的高壓大電流超結MOSFET的芯片封裝技術展開布局。

依托可靠性高、參數一致性好等產品性能，公司客戶群已覆蓋國內高可靠領域電源龍頭企業，并獲得眾多高可靠領域客戶的高度認可。在工業控制領域，公司持續深挖工業儲能、光伏逆變、新能源汽車及充電樁、工業電源等細分應用領域的產品需求，銷售規模穩步提升。據招股書，公司在2021年平面MOSFET國內市場占有率約為1.26%；在FRMOS市場份額位列本土企業第四位（前三位分別為華潤微、士蘭微、華微電子）。

在功率IC領域，公司產品包括PWM控制IC和柵極驅動IC，已形成80余款功率IC產品，擁有多項經驗證的IP核和相關技術積累。其中，PWM 控制IC技術門檻高、拓撲結構復雜多樣，主要應用于AC-DC和隔離式DC-DC開關電源模塊，是開關電源中的核心元器件。公司柵極驅動IC主要為電機驅動IC，多用于直流無刷電機驅動和步進電機驅動系統中。

功率IC作為模擬集成電路，除了線路設計之外，企業是否擁有定制開發器件的能力也是核心競爭力之一。公司基于晶圓代工廠0.5um 600V SOI BCD 和0.18um 40VBCD 等工藝自主搭建了設計平臺，新增600V PMOS 器件、100V/200V/600V 肖特基二極管、耗盡型NMOS、耐壓達200V的高壓電容等多種定制化特色器件，可滿足客戶的多樣化開發需求。報告期間，公司功率IC客戶數量快速增長，高可靠產品客戶數量從3個增至64個，并為其提供定制化開發的技術服務。自2020年至2022年，公司功率IC產品收入從322萬元增長至5692萬元，營收占比從2.41%提高到25.07%，公司產品矩陣進一步優化。

公司高度注重戰略性產品的研發投入，持續深度拓展前沿技術的應用。近三年研發投入5，546.77萬元，年復合增長率達到27.91%。截至2023年7月13日，公司已積累了10項核心技術，獲得71項授權專利（其中發明專利28項，實用新型專利43項）和53項集成電路布圖設計專有權。在第三代半導體器件領域，公司SiC功率器件已進入產業化階段，并利用“短溝道碳化硅MOSFET器件系列產品溝道控制及其制造技術”實現了SiC MOSFET穩定的性能和優良的良率控制，是國內為數不多的具備650V—1700V SiCMOSFET產品設計能力的企業之一。

未來，公司將在功率器件和模塊封裝可靠性、功率IC產品多品類研發、SiC高溫封裝應用、SiC MOSFET光繼電器以及數字電源等產品進行持續深入研究，并進一步推動第三代半導體功率器件產品的量產落地與技術升級，并圍繞新能源汽車、智能電網、儲能等領域進行系列化開發，形成新的利潤來源。