拓荊科技盈利反轉 半導體設備國產替代加速

7月18日，拓荊科技公布2025年二季度業績預告，該季度實現扣非歸母凈利潤2.15億-2.24億元，同比增長235%-249%，扭轉了一季度利潤出現虧損的局面。

而從公司歷史單季盈利狀況來看，凈利潤大多在四季度集中確認，2021-2024年四季度盈利占全年盈利均值達65%，二季度的利潤大增體現出公司盈利的拐點。

公司把握半導體設備國產替代的戰略機遇，積累薄膜沉積設備和三維集成領域的先進鍵合設備及配套質量檢測設備的技術經驗，其產品成熟度逐漸獲得市場認可，滲透率不斷提升，成為國產半導體設備的龍頭之一，自2022年4月以來已較最低的40.07元/股上漲了3倍，當前市值已接近500億元。

2025年二季度起，公司迎來營收和盈利雙爆發，主要是基于新型設備平臺和新型反應腔等先進工藝薄膜設備陸續通過客戶驗收，量產規模不斷擴大。二季度毛利率環比大幅改善，期間費用率同比下降，體現出規模效應。

經過多年的高強度自主研發，拓荊科技推出了數款鍵合設備，其中芯片對晶圓鍵合前表面預處理產品已實現量產，在國內具有領先優勢。新款鍵合設備的驗證成功為公司未來的進一步增長奠定了基礎。

毛利率回升 現金流改善

2025年一季度，拓荊科技新產品獲得批量驗證，公司實現營業收入7.09億元，同比增長約50.22%；由于驗證成本較高的新品銷售額占比達70%，公司的期間費用同比高增，扣非歸母凈利潤短期承壓，虧損1.80億元。

二季度，公司預計實現營業收入12.10億-12.60億元，同比增長52%-58%，預計實現扣非歸母凈利潤2.15億-2.24億元，同比增長235%-249%，均創下歷史同期新高。

公司預計2025年二季度扣非凈利潤同比及環比均大幅增長，除因營業收入持續大幅增長之外，主要原因系公司新產品驗證機臺完成技術導入，并實現量產突破和持續優化，二季度毛利率環比大幅改善，呈現穩步回升態勢。期間費用率同比下降，進一步釋放利潤空間。

近年來，受益于國內下游晶圓制造廠對國內半導體設備的需求增加，公司新簽銷售訂單及出貨金額均同比大幅增加，營業收入維持高增長趨勢。公司的營業收入由2020年的4.36億元增長至2024年的41.03億元，歸母凈利潤在2021年實現扭虧后保持增長態勢。

2023年一季度至2024年四季度，公司經營活動產生的現金流量凈額持續為負，主要因購買商品、接受勞務支付的現金較多；公司的現金流依賴外部借款，資產負債率由51.55%增長至65.40%。

2025年一季度，經營性現金流量凈額增長至1093萬元，二季度經營活動產生的現金流量凈額預計為14.80億-15.80億元，經營性凈現金流大幅轉正有利于改善公司的資金狀況。

隨著技術水平、產品先進性及市場地位的提高，拓荊科技的綜合毛利率在2021-2023年經歷了穩步提升，2023年達到51.01%。

2024年起毛利率波動，主要系新產品及新工藝收入占比大幅提升，前期客戶驗證成本較高，公司的產品從簽訂訂單到交付的周期通常為3-6個月。目前，新產品在客戶端已驗證成熟，毛利率預計會呈現明顯改善趨勢。

研發驅動增長

拓荊科技的主要產品為薄膜沉積設備，包含等離子體增強化學氣相沉積（下稱“PECVD”）、原子層沉積（下稱“ALD”）、次常壓化學氣相沉積、高密度等離子體化學氣相沉積以及流動性化學氣相沉積等品類。可以支撐邏輯芯片、存儲芯片中所需的全部介質薄膜材料的約100多種工藝應用。

薄膜是芯片結構內的功能材料層，在芯片制造過程中需求量巨大，且直接影響芯片的性能。在FLASH存儲芯片領域，隨著主流制造工藝已由2D NAND發展為3D NAND結構，結構的復雜化導致對于薄膜沉積設備的需求量逐步增加。而隨著3D NAND閃存芯片的堆疊層數不斷增高，逐步向更多層及更先進工藝發展，對于薄膜沉積設備的需求提升的趨勢亦將延續。

在90nm CMOS芯片工藝中，大約需要40道薄膜沉積工序。在FinFET工藝產線，大約需要超過100道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由6種增加到近20種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納米級，進而拉動晶圓廠對薄膜沉積設備需求量的增加。

據推算，2024年全球薄膜沉積設備市場規模約為230億美元，約占晶圓制造設備市場的22%，中國大陸薄膜沉積設備市場規模約為97億美元，但國產化率不足15%。

在薄膜沉積設備市場中，應用材料、泛林半導體和東京電子三大廠商占據了全球約70%的市場份額。在三維集成領域，先進鍵合設備市場主要由EV Group公司、東京電子、博思、先進科技等公司高度壟斷，這些廠商占據全球絕大部分的市場份額。

國內設備商則各有所長，北方華創布局多款薄膜沉積設備，例如低真空化學氣相沉積、金屬有機化學氣相沉積、原子層沉積等系列產品；中微公司鎢系列薄膜沉積產品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，現已完成多個鎢設備的樣品驗證；微導納米半導體原子層沉積、化學氣相沉積設備已取得批量重復訂單。

拓荊科技的研發費用占公司營業收入的20%左右，投入力度超過同行。通過高強度的研發保持細分領域技術領先的同時，不斷豐富薄膜沉積設備及三維集成設備產品的品類。2024年研發人員共有648名，占員工總數的42.30%。

2025年二季度，公司生產的薄膜設備公司先進制程的驗證機臺已順利通過客戶認證，逐步進入規模化量產階段。基于新型設備平臺和新型反應腔的先進工藝設備，陸續通過客戶驗收，量產規模不斷增加。ALD設備持續擴張，2025年二季度銷售收入超過2024年度收入規模。

打造第二增長極

隨著芯片制程持續縮小并接近物理極限，單純依賴平面工藝極限已無法實現性能迭代，技術路徑逐步轉向新的架構設計及芯片堆疊方式，三維集成技術則是這一技術創新和發展趨勢的關鍵驅動力，而先進鍵合設備憑借其突破性技術優勢成為三維集成技術領域的核心設備。

應用于三維集成領域的設備是實現三維集成芯片、芯粒等芯片堆疊的關鍵，同時也是先進邏輯和先進存儲等芯片從2D向3D芯片設計架構發展的技術基礎。

先進鍵合設備及配套的檢測設備作為三維集成中的核心裝備，可以提供鍵合面小于1微米互聯間距以實現芯片或晶圓的堆疊，使芯片間的通信速度提升至業界更高水平，有效打破“通信墻”，從而提高系統性能。

拓荊科技研發并推出了應用于三維集成領域的先進鍵合設備及配套使用的質量檢測設備，包括混合鍵合、熔融鍵合設備。拓展了晶圓對晶圓熔融鍵合設備、芯片對晶圓混合鍵合設備，以及配套使用的鍵合套準精度量測設備、鍵合強度檢測設備，這些產品已取得客戶訂單或重復訂單。

特別是芯片對晶圓鍵合前表面預處理產品已實現量產，據介紹，該產品是目前國內唯一應用在芯片對晶圓生產線上的同類型設備。

混合鍵合首先商用應用于圖像傳感器，也在3D存儲器領域進入商業量產階段。高帶寬存儲器（下稱“HBM”）有望成為混合鍵合未來重要市場，隨著存儲帶寬、功率效率等要求提升，以及堆疊帶來的減薄需求，HBM制造商預計將在HBM4上開始應用混合鍵合工藝。

公司應用于三維集成領域的先進鍵合設備作為高精度專用裝備，鍵合精度達百納米級，當前仍處于產業化初期，是高帶寬存儲器、三維閃存芯片、3D內存、異構集成芯片等領域的核心支撐技術。

在產業應用完成規模化驗證之前，公司也在2024年報中表示，存在定制化需求攀升的技術風險，使研發投入超預期增長及驗證周期延長，導致收入確認及回款周期延后，加劇資金鏈壓力，對財務穩健性構成潛在風險。