基于專利地圖的納米技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠閳?bào)分析

李向陽(yáng)，劉小平

(1.中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心情報(bào)研究部，北京　100190　2.中國(guó)科學(xué)院大學(xué)，北京　100049)

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基于專利地圖的納米技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠閳?bào)分析

李向陽(yáng)1,2，劉小平1

(1.中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心情報(bào)研究部，北京1001902.中國(guó)科學(xué)院大學(xué)，北京100049)

本文采用專利地圖方法，從宏觀、中觀與微觀三個(gè)層面對(duì)全球納米技術(shù)的發(fā)展態(tài)勢(shì)進(jìn)行探討。研究表明，當(dāng)前納米技術(shù)正處于快速發(fā)展的技術(shù)成長(zhǎng)期，美國(guó)、韓國(guó)、日本和中國(guó)是納米技術(shù)創(chuàng)新的主力軍，三星電子、韓國(guó)先進(jìn)科技學(xué)院、法國(guó)原子能委員會(huì)是納米技術(shù)的領(lǐng)跑者，燃料電池、電極、半導(dǎo)體等是當(dāng)前納米領(lǐng)域的研發(fā)重點(diǎn)。

納米技術(shù)；專利；專利地圖；專利分析

1　國(guó)內(nèi)外研究綜述

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)外許多學(xué)者都曾采用專利地圖方法對(duì)相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)態(tài)進(jìn)行過(guò)探討。Chen以美國(guó)專利商標(biāo)局(USPTO)2005—2007年授權(quán)的74件汽車外觀設(shè)計(jì)專利為研究對(duì)象，并在10名資深專利審查員與29名工業(yè)設(shè)計(jì)師的協(xié)助下，繪制了該領(lǐng)域的專利地圖[1]。Son提出一種新的基于生成式拓?fù)溆成涞膶＠貓D方法，并以光刻技術(shù)為目標(biāo)領(lǐng)域，證明了該方法在揭示專利技術(shù)主題方面的客觀性與準(zhǔn)確性[2]。Wu則以USPTO授權(quán)的79件氫能源專利為研究對(duì)象，采用專利共詞地圖(PCMA)識(shí)別了該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)[3]。國(guó)內(nèi)研究中，孫斌等基于專利地圖方法，系統(tǒng)探討了江蘇省太陽(yáng)能光伏技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r[4]。馬虎兆等則對(duì)中國(guó)射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)領(lǐng)域的專利文獻(xiàn)進(jìn)行了計(jì)量分析，揭示了該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)格局與發(fā)展態(tài)勢(shì)[5]。鄧金堂等從競(jìng)爭(zhēng)機(jī)構(gòu)、專利相對(duì)指數(shù)等角度，對(duì)中國(guó)光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)的專利申請(qǐng)與授權(quán)狀況進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)研究[6]。潘雄鋒等繪制了中國(guó)新能源專利技術(shù)的發(fā)展動(dòng)向圖、地區(qū)分布圖等，深入揭示了該領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)態(tài)[7]。學(xué)者們基于專利地圖等方法對(duì)全球乃至某個(gè)國(guó)家特定技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行了分析探討，然而將專利地圖方法用于納米領(lǐng)域的專利情報(bào)分析還鮮有研究。為此，本文將借助該方法從宏觀、中觀與微觀三個(gè)層面對(duì)全球納米技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r進(jìn)行探討。

2　專利宏觀分析

本文的研究對(duì)象為全球納米專利。在分析中，筆者采用了Thomson公司的Thomson Innovation(TI)專利檢索與分析系統(tǒng)。TI是國(guó)際領(lǐng)先的專利信息檢索分析平臺(tái)，整合了全球權(quán)威的、深加工的、高附加值的世界專利引文索引(Derwent World Patent Index)、科學(xué)引文索引(Web of Science)等情報(bào)研究必備的數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)，目前數(shù)據(jù)總量已超過(guò)9000萬(wàn)件。采用關(guān)鍵詞與IPC分類號(hào)進(jìn)行綜合檢索，共獲得納米專利55453件，數(shù)據(jù)下載日期為2015年8月2日。由于專利申請(qǐng)的公開(kāi)時(shí)間與國(guó)際專利進(jìn)入國(guó)家階段的時(shí)間滯后，近兩年的專利數(shù)據(jù)并不完整，在分析時(shí)僅作參考。

2.1專利申請(qǐng)數(shù)量

圖1描述了全球納米專利2000—2015年的申請(qǐng)與公開(kāi)狀況。統(tǒng)計(jì)顯示，該時(shí)段納米專利的申請(qǐng)量為49997件，占全球納米專利的90%，可見(jiàn)20世紀(jì)以來(lái)納米產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了較快發(fā)展。由圖1可知，納米專利的申請(qǐng)量及公開(kāi)量正穩(wěn)步增長(zhǎng)，尤其是2010年以后，迎來(lái)了一輪申請(qǐng)熱潮，并在2011年達(dá)到頂峰，該年共申請(qǐng)專利7340件。隨后，專利公開(kāi)量于2012年也增至9590件，標(biāo)志著納米技術(shù)進(jìn)入了發(fā)展的“快車道”。因而，2000年以前可視為全球納米技術(shù)發(fā)展的第一階段，即技術(shù)引入期。該階段納米技術(shù)方興未艾，其諸多理論與實(shí)踐問(wèn)題仍待探索，發(fā)展?jié)摿σ辔赐耆宫F(xiàn)。2000年以后，納米技術(shù)日臻成熟，其影響力與知名度也迅速提升，各類專利權(quán)人爭(zhēng)相研發(fā)，并不斷取得技術(shù)突破，使納米技術(shù)進(jìn)入了發(fā)展的成長(zhǎng)期。當(dāng)前，納米專利的申請(qǐng)量與專利權(quán)人數(shù)均增長(zhǎng)迅速，可以預(yù)見(jiàn)這一趨勢(shì)在未來(lái)一段時(shí)間仍將持續(xù)下去。

圖1　2000—2015年全球納米專利申請(qǐng)與公開(kāi)狀況

2.2專利申請(qǐng)國(guó)家

由圖2可知，美國(guó)、韓國(guó)、日本和中國(guó)是全球納米專利的主要申請(qǐng)國(guó)家。其中，美國(guó)共申請(qǐng)專利12711件，占全球納米專利的23%；韓國(guó)緊隨其后，申請(qǐng)專利11343件，占比20%；其次是日本與中國(guó)，專利申請(qǐng)均在8000件以上，占比均突破了15%。上述四國(guó)總計(jì)申請(qǐng)專利41780件，占全球納米專利的75%。因而，該四國(guó)是全球納米技術(shù)創(chuàng)新的主力軍。此外，來(lái)自WIPO與歐洲專利局(EPO)的專利申請(qǐng)也占較大比重，表明專利權(quán)人對(duì)納米技術(shù)的發(fā)展前景普遍看好，正積極進(jìn)行全球?qū)＠季郑M(jìn)軍國(guó)際市場(chǎng)。

圖2　納米專利申請(qǐng)國(guó)家分布狀況

圖3動(dòng)態(tài)描述了主要申請(qǐng)國(guó)家2005—2015年的專利申請(qǐng)狀況。由圖可知，澳大利亞、加拿大、德國(guó)與法國(guó)的專利申請(qǐng)正穩(wěn)步增長(zhǎng)，且增幅變化較小?？梢?jiàn)，這些國(guó)家納米技術(shù)的發(fā)展較為平穩(wěn)，但相比美國(guó)、韓國(guó)而言，其發(fā)展速度明顯偏慢。美國(guó)2009年以前的歷年專利申請(qǐng)均不足500件，2010年陡增至1654件，2011年更是高達(dá)4247件，表現(xiàn)出強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。韓國(guó)自2005年以來(lái)專利申請(qǐng)不斷增長(zhǎng)，2008年一度高達(dá)1900件,此后卻呈現(xiàn)明顯的下滑趨勢(shì)，到2012年已不足1000件，可見(jiàn)其技術(shù)實(shí)力有所減弱。日本的專利申請(qǐng)相對(duì)平穩(wěn)，歷年申請(qǐng)量基本維持在600～800件。中國(guó)的納米專利申請(qǐng)雖起步較晚，但增長(zhǎng)迅猛，2013年已達(dá)680件，2014年陡增至2283件，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的后發(fā)優(yōu)勢(shì)。

圖3　納米專利申請(qǐng)國(guó)家歷年專利申請(qǐng)狀況

3　專利中觀分析

3.1專利權(quán)人分析

表1列出了納米專利申請(qǐng)排名全球前20位的專利權(quán)人信息，共包括5所大學(xué)、6家科研機(jī)構(gòu)與9家企業(yè)?？梢?jiàn)，大學(xué)與科研機(jī)構(gòu)是納米技術(shù)創(chuàng)新的重要主體，而作為市場(chǎng)主體的企業(yè)其研發(fā)實(shí)力則有待提高。從來(lái)源國(guó)家看，日本專利權(quán)人占6位，包括佳能、國(guó)立材料科學(xué)研究所、科學(xué)振興機(jī)構(gòu)等，總計(jì)申請(qǐng)專利1746件，占全球納米專利的3.2%。可見(jiàn)，日本在納米領(lǐng)域擁有較強(qiáng)的集團(tuán)優(yōu)勢(shì)。來(lái)自韓國(guó)與美國(guó)的專利權(quán)人各5位，韓國(guó)包括三星電子、先進(jìn)科技學(xué)院、食品開(kāi)發(fā)研究所等，合計(jì)申請(qǐng)專利3010件，占比5.4%，其整體技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力不可小覷；美國(guó)專利權(quán)人包括IBM、加州大學(xué)、MIT等，共申請(qǐng)專利1700件，占比3.1%。其余專利權(quán)人來(lái)自法國(guó)和中國(guó)；法國(guó)專利權(quán)人雖數(shù)量不多，但排名靠前，共申請(qǐng)專利1092件，占比2.0%；中國(guó)雖有不少機(jī)構(gòu)申請(qǐng)了納米專利，但申請(qǐng)數(shù)量少且較為分散，僅鴻海精密工業(yè)與清華大學(xué)榜上有名，合計(jì)申請(qǐng)專利783件，占比1.4%?？梢?jiàn)，中國(guó)專利權(quán)人在納米領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力有待提高。

圖4動(dòng)態(tài)描述了部分高產(chǎn)專利權(quán)人的專利申請(qǐng)狀況，可見(jiàn)各專利權(quán)人的專利申請(qǐng)趨勢(shì)基本一致：以2010年為界，在此之前專利申請(qǐng)較少且增長(zhǎng)緩慢，2010年以后專利申請(qǐng)?jiān)鏊偌涌?，表明各專利?quán)人的技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)入高潮。其中，三星電子、韓國(guó)先進(jìn)科技學(xué)院、法國(guó)原子能委員會(huì)、IBM的專利申請(qǐng)?jiān)龇黠@，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。鴻海精密工業(yè)、清華大學(xué)在2010年以前的歷年申請(qǐng)均不足百件，2011年已分別增至134件、141件，表明兩大專利權(quán)人的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力正不斷增強(qiáng)。

表1　納米專利前20位高產(chǎn)專利權(quán)人

數(shù)據(jù)來(lái)源：本文各表數(shù)據(jù)均來(lái)自TI數(shù)據(jù)庫(kù)。

圖4　納米領(lǐng)域高產(chǎn)專利權(quán)人歷年專利申請(qǐng)狀況

3.2專利權(quán)人技術(shù)布局分析

專利權(quán)人的技術(shù)布局反映了其研發(fā)投入的主要方向，同時(shí)預(yù)示著其產(chǎn)品研發(fā)趨勢(shì)。通過(guò)對(duì)技術(shù)布局進(jìn)行分析，可以獲悉專利權(quán)人的研發(fā)重點(diǎn)，揭示其當(dāng)前及未來(lái)的發(fā)展走向。IPC包含了與發(fā)明創(chuàng)造有關(guān)的全部技術(shù)類別，本文即借助其對(duì)各專利權(quán)人的研發(fā)領(lǐng)域進(jìn)行分類，結(jié)果如圖5所示。從專利權(quán)人看，三星電子在B01J、B82B、B82Y、C01B、H01L五大技術(shù)類別中雖均有專利布局，然而其研發(fā)重點(diǎn)卻集中在B82B、B82Y、H01L三個(gè)類別，各類別專利申請(qǐng)量分別為687件、523件、438件。因而，三星電子的研發(fā)領(lǐng)域與產(chǎn)品市場(chǎng)具有集中化的特征。與其類似，法國(guó)原子能委員會(huì)同樣重點(diǎn)關(guān)注B82Y、B82B、H01L三個(gè)類別，各類別專利申請(qǐng)量分別為332件、305件、266件。鴻海精密工業(yè)以B82Y類為主，清華大學(xué)則專注于B82Y、C01B類，表明兩大專利權(quán)人的研究領(lǐng)域更為集中。其他專利權(quán)人在IPC布局上也表現(xiàn)出類似狀況?？梢?jiàn)，各專利權(quán)人都有相應(yīng)的技術(shù)專長(zhǎng)，而實(shí)力雄厚的專利權(quán)人涉足領(lǐng)域更廣。從IPC類別看，三星電子在B82B類中占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，擁有專利687件，其他專利權(quán)人則相差不大；在B82Y類中，三星電子一枝獨(dú)秀，擁有專利523件，其次為IBM與清華大學(xué)；三星電子在C01B類中也處于領(lǐng)先地位，共申請(qǐng)專利203件，其他專利權(quán)人均不足200件；在H01L類中，三星電子依然獨(dú)占鰲頭，擁有專利438件，其次為IBM與法國(guó)原子能委員會(huì)；各專利權(quán)人在B01J類中的研發(fā)實(shí)力較為均衡，整體相差不大。

圖5　納米領(lǐng)域高產(chǎn)專利權(quán)人技術(shù)布局狀況

3.3專利權(quán)人國(guó)家布局分析

專利國(guó)家布局是指專利權(quán)人在國(guó)內(nèi)外的專利申請(qǐng)分布狀況。專利具有地域性法律的特點(diǎn)，即一國(guó)專利若要在他國(guó)獲得保護(hù)，就必須向該國(guó)提出專利申請(qǐng)，因而專利國(guó)家布局能夠反映并預(yù)測(cè)專利權(quán)人技術(shù)布局的重點(diǎn)區(qū)域及其產(chǎn)品市場(chǎng)狀況，部分高產(chǎn)專利權(quán)人的國(guó)家布局如圖6所示。

圖6　納米領(lǐng)域高產(chǎn)專利權(quán)人專利國(guó)家布局狀況

由圖6可知，三星電子在韓國(guó)共申請(qǐng)納米專利535件，占其專利申請(qǐng)總量的48%?？梢?jiàn)，該公司國(guó)內(nèi)與國(guó)際市場(chǎng)的產(chǎn)品與業(yè)務(wù)比重幾乎平分秋色，在穩(wěn)定占有國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的同時(shí)，其對(duì)國(guó)際市場(chǎng)的拓展也非常迅速。三星電子的國(guó)外專利主要集中于美國(guó)(309件)和日本(135件)，表明兩國(guó)是其主要的海外市場(chǎng)所在地。一般而言，在美國(guó)獲得的專利數(shù)量，可被用來(lái)衡量一個(gè)國(guó)家或企業(yè)的整體技術(shù)實(shí)力[8]。三星電子在美專利申請(qǐng)量占其專利總量的25%以上，可見(jiàn)其整體技術(shù)實(shí)力較為雄厚。鴻海精密工業(yè)、清華大學(xué)同樣表現(xiàn)搶眼，在美專利申請(qǐng)占比分別高達(dá)78%、70%，可見(jiàn)這兩大專利權(quán)人都將美國(guó)作為其最主要的海外技術(shù)布局地。從布局國(guó)家看，10位專利權(quán)人共有6位在美國(guó)申請(qǐng)了納米專利，IBM、三星電子與鴻海精密工業(yè)位列前三，表明美國(guó)市場(chǎng)正得到全球的普遍關(guān)注。其次，有4位專利權(quán)人通過(guò)WIPO進(jìn)行了專利申請(qǐng)，表明各專利權(quán)人正尋求通過(guò)國(guó)際申請(qǐng)的方式走向全球市場(chǎng)。

3.4專利權(quán)人技術(shù)關(guān)聯(lián)性分析

表2列出了部分高產(chǎn)專利權(quán)人的技術(shù)關(guān)聯(lián)狀況。從引用角度看，各專利權(quán)人之間差別較大。其中，佳能公司416件專利共引用了3232件先前專利，每件專利平均引用7.8件；加州大學(xué)471件專利共引用先前專利3123件，每件專利平均引用6.6件；IBM同樣如此，這三位專利權(quán)人對(duì)先前專利的平均引用頻次均顯著高于其他專利權(quán)人，表明其對(duì)先前專利技術(shù)有著較強(qiáng)的繼承性。韓國(guó)食品開(kāi)發(fā)研究所、法國(guó)原子能委員會(huì)及國(guó)家科研中心對(duì)先前專利的引用頻次均相對(duì)較低，表明其對(duì)先前技術(shù)的借鑒較少，獨(dú)立研發(fā)能力較強(qiáng)。專利被引頻次能夠反映專利技術(shù)的影響力，如果一件專利被后續(xù)專利頻繁引用，表明該專利擁有較高的技術(shù)價(jià)值。由表2可知，各專利權(quán)人專利的平均被引頻次均在2.0次以上，表明其專利質(zhì)量整體較高。其中，佳能公司高達(dá)8.6次，IBM為7.2次。加州大學(xué)、鴻海精密工業(yè)與清華大學(xué)也均在4.0以上。因而，這些專利權(quán)人對(duì)其他專利權(quán)人的后續(xù)技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)生了較大影響。此外，我們發(fā)現(xiàn)引用較多先前專利的專利權(quán)人，其專利往往也被后續(xù)專利頻繁引用，表現(xiàn)出了良好的技術(shù)繼承性。

表2　納米領(lǐng)域高產(chǎn)專利權(quán)人技術(shù)關(guān)聯(lián)狀況

4　專利微觀分析

4.1IPC技術(shù)類別分析

全球納米專利涉及多個(gè)IPC類別，其中包含專利數(shù)量最多的10個(gè)IPC小類，如表3所示。由表可知，當(dāng)前納米技術(shù)的研發(fā)主要集中在B82Y、B82B、C01B、H01L四個(gè)類別，各類別涉及專利均在1萬(wàn)件以上，占全球納米專利的比重均突破了15%。其中，B82Y、B82B類表現(xiàn)突出，各包含專利32183件、25595件，占比58.0%、46.2%。因而，納米結(jié)構(gòu)的特定用途或應(yīng)用、測(cè)量或分析、制造或處理、非金屬元素及其化合物、半導(dǎo)體器件等是當(dāng)前的熱點(diǎn)納米技術(shù)。其他技術(shù)類別包含的專利數(shù)量相對(duì)較少，占比均不足10%?？梢?jiàn)，這些領(lǐng)域當(dāng)前尚未得到普遍重視，仍存在較多的技術(shù)空白點(diǎn)。為此，中國(guó)專利權(quán)人可對(duì)這些領(lǐng)域進(jìn)行重點(diǎn)研發(fā)，以搶占技術(shù)先機(jī)，獲得先發(fā)優(yōu)勢(shì)。這些領(lǐng)域包括：同納米相關(guān)的化學(xué)或物理方法及其有關(guān)設(shè)備、特定金屬化合物、納米材料的測(cè)試或分析、電能轉(zhuǎn)換方法或裝置、醫(yī)用納米材料、納米金屬粉末的加工與處理等。

表3　納米專利主IPC類別統(tǒng)計(jì)表

續(xù)表3

4.2IPC類別分布分析

通過(guò)對(duì)IPC類別進(jìn)行動(dòng)態(tài)統(tǒng)計(jì)分析，能夠反映各類別的時(shí)序演變特征，預(yù)測(cè)其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。如圖7所示，B82Y類居各類別專利申請(qǐng)量之首，其增長(zhǎng)趨勢(shì)亦表現(xiàn)搶眼。2010年以前該類別涉及的專利申請(qǐng)?jiān)鲩L(zhǎng)緩慢，而此后5年其專利申請(qǐng)呈井噴式增長(zhǎng)，2012年申請(qǐng)專利7485件。近年來(lái)，該類別專利申請(qǐng)雖略有下降，但每年仍維持在6000件左右，表明其已成為當(dāng)前納米領(lǐng)域的核心技術(shù)類別。此外，B82B類的增長(zhǎng)也較為迅速。該類別專利申請(qǐng)?jiān)?011年以前一直顯著高于其他類別，是名副其實(shí)的熱點(diǎn)類別。2011年該類別專利申請(qǐng)達(dá)到頂峰(2849件)，隨后呈逐年下降趨勢(shì)，表明其核心地位有所動(dòng)搖。C01B、H01L、B01J三大類別的發(fā)展趨勢(shì)基本一致，表現(xiàn)為以2010年為界，在此之前專利申請(qǐng)?jiān)鲩L(zhǎng)緩慢，在此之后增速加快，表現(xiàn)出較強(qiáng)的發(fā)展勢(shì)頭，有望成為新的研究熱點(diǎn)。

圖7　納米專利主IPC類別時(shí)序發(fā)展?fàn)顩r

圖8描述了納米領(lǐng)域主IPC類別的國(guó)家分布狀況。由圖可知，B82Y類分布廣泛，在美國(guó)和中國(guó)均占有較大比重，其次是日本和韓國(guó)，表明該類別是上述國(guó)家的研發(fā)重點(diǎn)。B82B類的分布同樣如此，其在韓國(guó)和日本占有較大比重。C01B類的專利申請(qǐng)集中于日本和中國(guó)，H01L類則以美、日兩國(guó)為主，B01J類的分布相對(duì)均衡。從國(guó)家角度看，各國(guó)研發(fā)重點(diǎn)并不一致。美國(guó)專注于B82Y類，該類別在其本國(guó)的專利申請(qǐng)占比高達(dá)56%，其次是H01L、B82B類。韓國(guó)側(cè)重于B82B類，該類別專利申請(qǐng)同樣占其專利總量的一半以上。日本研發(fā)類別的分布相對(duì)均勻，表明其技術(shù)布局較為均衡，對(duì)各領(lǐng)域均有涉獵。中國(guó)則重點(diǎn)關(guān)注B82Y類，該類別共包含專利8058件，占其專利總量的68%。其次為C01B類，其他三個(gè)類別涉及的專利申請(qǐng)均相對(duì)較少?？梢?jiàn)，中國(guó)專利權(quán)人的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域較為集中。然而，對(duì)其他領(lǐng)域關(guān)注不足、研究不夠，一旦遭遇發(fā)展瓶頸勢(shì)必極大影響其整體創(chuàng)新進(jìn)程。此外，若其他領(lǐng)域的“技術(shù)高地”被國(guó)外搶先占領(lǐng)，并完成相應(yīng)的專利布局與標(biāo)準(zhǔn)制定，也必將對(duì)中國(guó)的技術(shù)研發(fā)與專利申請(qǐng)?jiān)斐删薮笞璧K。因而，密切關(guān)注國(guó)外研發(fā)動(dòng)向，在保持自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)積極開(kāi)展多領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新工作，不失為中國(guó)納米產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要途徑。

圖8　納米專利主IPC類別國(guó)家分布狀況

4.3IPC技術(shù)主題分析

圖9是利用TI的ThemeScape文本挖掘工具繪制的納米領(lǐng)域研究主題分布圖，通過(guò)該圖可快速了解納米技術(shù)主題的整體分布狀況及其研究熱點(diǎn)。圖中每一個(gè)圓點(diǎn)代表1件專利文獻(xiàn)，點(diǎn)與點(diǎn)之間的距離表示專利主題的相近程度。從圖中可以看出，納米領(lǐng)域的研發(fā)重點(diǎn)主要集中在鋰電池及其制備方法、蓄電池、燃料電池、電極、半導(dǎo)體、納米晶體、溶液反應(yīng)、簡(jiǎn)單反應(yīng)、混合溶劑、磁場(chǎng)、粒子及金屬納米粒子、納米金屬粉末及其制備方法、核殼結(jié)構(gòu)、納米金屬及其制備過(guò)程、納米光纖、納米層、基質(zhì)、碳納米管及其制備流程、結(jié)構(gòu)體、納米檢測(cè)、噴墨記錄方法與裝置、石墨烯、金屬碳化物、金屬氧化物、硅納米線、納米纖維、聚合物等。這些領(lǐng)域涉及的專利申請(qǐng)相對(duì)較多，是當(dāng)前納米領(lǐng)域的熱點(diǎn)技術(shù)。同時(shí)，根據(jù)這些研發(fā)重點(diǎn)，本領(lǐng)域?qū)I(yè)人員可以挖掘出相應(yīng)的技術(shù)盲點(diǎn)，并在這些盲點(diǎn)處進(jìn)行重點(diǎn)創(chuàng)新。

圖9　納米技術(shù)研究主題分布圖譜

5　結(jié)論與啟示

本文得出如下結(jié)論：①?gòu)暮暧^層面看，當(dāng)前全球納米技術(shù)正處于快速發(fā)展的技術(shù)成長(zhǎng)期，其專利申請(qǐng)量與專利權(quán)人數(shù)都在迅猛增長(zhǎng)。美國(guó)、韓國(guó)、日本和中國(guó)是全球納米技術(shù)創(chuàng)新的主力軍。②從中觀層面看，來(lái)自韓國(guó)、日本與美國(guó)的專利權(quán)人擁有較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力。三星電子、韓國(guó)先進(jìn)科技學(xué)院、法國(guó)原子能委員是納米技術(shù)的領(lǐng)跑者。各高產(chǎn)專利權(quán)人的技術(shù)布局并不一致，且多集中于少數(shù)特定領(lǐng)域，而在搶占本國(guó)市場(chǎng)的同時(shí)，美國(guó)等海外市場(chǎng)也正日益得到關(guān)注。各專利權(quán)人在技術(shù)關(guān)聯(lián)性方面也存在較大差異。③從微觀層面看，當(dāng)前納米領(lǐng)域的研發(fā)主要集中于B82Y、B82B、C01B、H01L四大類別，B01J、C01G、G01N等尚未得到重視。此外，B82Y類增長(zhǎng)勢(shì)頭明顯，B82B類則有所減弱，而C01B、H01L、B01J類則有望成為新的研究熱點(diǎn)。納米晶體、碳納米管、硅納米線等是當(dāng)前的熱點(diǎn)納米技術(shù)。

為進(jìn)一步促進(jìn)中國(guó)納米產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，本文認(rèn)為：①政府及相關(guān)部門應(yīng)繼續(xù)加大對(duì)納米產(chǎn)業(yè)的扶持力度，綜合運(yùn)用政治、經(jīng)濟(jì)手段引導(dǎo)納米產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，營(yíng)造良好的外部發(fā)展環(huán)境。②中國(guó)專利權(quán)人可在自主創(chuàng)新的基礎(chǔ)上有針對(duì)性地引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)專利技術(shù)，以盡快提高技術(shù)創(chuàng)新水平，縮小與發(fā)達(dá)國(guó)家間的技術(shù)差距。③失效專利是一筆寶貴的技術(shù)財(cái)富。合理利用失效專利有助于提高專利權(quán)人的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，增強(qiáng)中國(guó)廣大中小型企業(yè)的技術(shù)實(shí)力[9]。④科學(xué)有效的專利布局可提高專利的整體價(jià)值，增強(qiáng)專利權(quán)人的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力[10]。中國(guó)專利權(quán)人應(yīng)未雨綢繆，合理布局專利網(wǎng)絡(luò)，在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中變被動(dòng)為主動(dòng)，爭(zhēng)取更大的發(fā)展空間。

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(責(zé)任編輯沈蓉)

Nanotechnology Patent Intelligence Analysis Based on Patent Map

Li Xiangyang1,2，Liu Xiaoping1

(1.Department of Intelligence Research，National Science Library，Chinese Academy of Sciences，Beijing 100190,China;2.University of Chinese Academy of Sciences，Beijing 100049,China)

The paper analyzed the development trend of the global nanotechnology by patent map from the macro，meso and micro levels.The research shows that nanotechnology is in the technology growth stage of rapid development at present.US，South Korea，Japan and China are the main forces in nanotechnology innovation.Samsung Electronics，Korea Advanced Institute of Science and Technology and the French Atomic Energy Commission are the major inventors.The fuel cell，electrode and semiconductor are current research focus of nanotechnology.

Nanotechnology;Patent;Patent map;Patent analysis

2015-08-21

李向陽(yáng)(1989-)，男，河南人，中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)碩士研究生；研究方向：專利計(jì)量、交叉科學(xué)等。

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