二維高性能浮柵晶體管存儲器研究獲進展

侯文坤

筆者9月18日從華中科技大學了解到，該校材料成形與模具技術全國重點實驗室教授翟天佑團隊在二維高性能浮柵晶體管存儲器方面取得重要進展。他們研制了一種具有邊緣接觸特征的新型二維浮柵晶體管器件，與現有商業閃存器件性能相比，其擦寫速度、循環壽命等關鍵性能均有提升。相關研究成果近日發表于《自然—通訊》。