DC/DC電源變換器電磁兼容性建模與仿真預(yù)測(cè)

中圖分類號(hào)：U463.6；TM401 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A DOI：10.20104/j.cnki.1674-6546.20250040

EMCModeling and Simulation Prediction ofDC/DC Converter

KongFanlei，WangLinghui，Cai Minghao，Zhu Zhanshan，Li Min （Global Ramp;D Center， China FAW Corporation Limited， Changchun 130013） 【Abstract]Inorder To evaluate and predictthe Electromagnetic Compatibility（EMC）performance of DC/DCconverterin theearlystageofdesign，themainstreamelectromagneticcompatibility“threeelements”method isfirstused toanalyzethe main interferencesourceandpropagationpathofDC/DCconverter.Secondly，basedonthehigh-frequencyparametereoryof transformer，the parasitic parametertheoryof Printed-Circuit Board（PCB）andthe parameter extraction methodof common mode chokes，the common mode interferenceof transformer，PCB wiring and common mode chokesare analyzed separately. The high-frequencyequivalent modeloftransformerandPCB，experimental environment test benchesand high-voltage filtering modulesareestablishedusing MaxwellHFSS，SIwave，andQ3Dsoftware intheANSYSsimulationplatform.Finally theintegration of each moduleof DC/DC converterandthesimulation analysisof conductionand radiationemission are completed in Simplorersoftware.Theresults indicate thattheconductedandradiated interferenceexceds the standard more severely inthe Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor（MOSFET）switchingfrequencybandanditsharmonicsof themaininterferencesource.Themodel simulationresultsare basicallyconsistent with theoreticalanalysisandactual experimental results，and the simulation model has high accuracy.

Key words：DC converter，Electromagnetic compatibility，Three-element method， Simulation modeling，Interference analysis

【引用格式】孔繁磊，王玲輝，蔡明浩，等.DC/DC電源變換器電磁兼容性建模與仿真預(yù)測(cè)[J].汽車工程師，2025（7）：18- 23+35 ： KONG FL，WANG LH，CAI MH，et al.EMC Modeling and Simulation Predictionof DC/DC Converter[J]. Automotive Engineer，2025（7）： 18-23+35

1前言

DC/DC電源變換器的開關(guān)器件工作在高壓和18汽車工程師

高頻環(huán)境中，在開通和關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾，影響汽車安全性和可靠性。通過搭建DC/DC電源變換器電磁兼容仿真模型，能夠在設(shè)計(jì)初期對(duì)

DC/DC電源變換器的電磁兼容性（ElectromagneticCompatibility，EMC）進(jìn)行預(yù)測(cè)，盡早發(fā)現(xiàn)和解決問題，對(duì)于降低后期測(cè)試和優(yōu)化成本及縮短產(chǎn)品研發(fā)周期具有重要意義2。

目前，國(guó)內(nèi)外對(duì)于EMC的建模和預(yù)測(cè)研究主要圍繞電磁干擾機(jī)理、仿真模型搭建展開。文獻(xiàn)[3]按照EMC的“三要素”思路，分別進(jìn)行干擾源和干擾路徑建模，分析了Boost電路共模干擾的傳播路徑；文獻(xiàn)[4]通過“場(chǎng)-路\"聯(lián)合，提取印制電路板（Printed-CircuitBoard，PCB）及變壓器的寄生參數(shù)，根據(jù)電路拓?fù)浜烷_關(guān)電源工作原理搭建了開關(guān)電源傳導(dǎo)電磁干擾（Electromagnetic Interference，EMI）和輻射EMI的仿真模型，分析了分布參數(shù)對(duì)干擾信號(hào)的影響；文獻(xiàn)[5]和文獻(xiàn)[6]通過提取系統(tǒng)中各元件的寄生參數(shù)，基于仿真軟件分別建立了線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)（LineImpedance Stabilization Networks，LISN）、線纜、濾波器和變換器模塊的高頻等效電路模型，最后集合成系統(tǒng)仿真預(yù)測(cè)模型；文獻(xiàn)[7]通過構(gòu)建PCB問題復(fù)現(xiàn)仿真模型，改變傳導(dǎo)、輻射發(fā)射路徑及PCB諧振頻率，確定了EMC問題來(lái)源，并通過增加去耦電容消除了干擾噪聲；文獻(xiàn)[8]提取線束、探頭等高頻等效模型搭建車載CD機(jī)大電流注入抗擾度試驗(yàn)等效模型，通過調(diào)整CD機(jī)濾波器、PCB布線等方式進(jìn)行EMC優(yōu)化，提升了CD機(jī)的抗擾能力。

本文以全橋同步整流DC/DC電源變換器主功率部分為研究對(duì)象，從干擾源和耦合路徑的角度出發(fā)，基于ANSYS2024R1軟件建立開關(guān)管與關(guān)鍵磁性器件模型、PCB的散射參數(shù)（S參數(shù)）模型、試驗(yàn)環(huán)境測(cè)試臺(tái)架、高壓濾波器等仿真模型，在ANSYSSimplorer軟件中完成DC/DC電源變換器的系統(tǒng)集成仿真分析，并將仿真結(jié)果與樣機(jī)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，驗(yàn)證所建立仿真模型的準(zhǔn)確性和可靠性。

2DC/DC電源變換器的EMC分析

2.1 電磁干擾源

DC/DC電源變換電路主要由濾波電路、開關(guān)器件、電感和變壓器組成，如圖1所示，其核心在于通過開關(guān)管的高頻開關(guān)動(dòng)作實(shí)現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)換和傳輸。在DC/DC電源變換電路中，功率開關(guān)管高頻通斷的瞬間往往會(huì)產(chǎn)生較大的電壓變化率（du/dt）和電流變化率（di/dt）。其產(chǎn)生的脈沖波形中包含豐富的高頻諧波分量且頻帶較寬，與電路結(jié)構(gòu)中的分布寄生參數(shù)相互作用，會(huì)帶來(lái)較為嚴(yán)重的電磁干擾。文獻(xiàn)[9]采用小波變換分解EMI信號(hào)的方法計(jì)算干擾信號(hào)在頻域內(nèi)的特征參數(shù)，發(fā)現(xiàn)開關(guān)管的上升/下降沿波形在中高頻范圍內(nèi)對(duì)整個(gè)振蕩波形的累積能量貢獻(xiàn)較大，表明開關(guān)器件是電磁干擾的主要來(lái)源。因此，本文將原、副邊的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField EffectTransistor，MOSFET）視為仿真模型的主要干擾源。

原邊開關(guān)管產(chǎn)生電磁干擾的主要原因是其負(fù)載為高頻變壓器的初級(jí)線圈，該線圈是感性負(fù)載，在開關(guān)管導(dǎo)通的瞬間，線圈上產(chǎn)生浪涌電流，兩端的浪涌尖峰電壓較高。在開關(guān)管關(guān)斷瞬間，由于初級(jí)線圈存在漏磁通，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)：

式中： E 為反電動(dòng)勢(shì)，與電流變化率和漏感成正比； L

為線圈電感； di/dt 為電流變化率。

同時(shí)，漏感與電路結(jié)構(gòu)中的寄生參數(shù)相互作用，形成帶有尖峰的電壓脈沖并伴有豐富的高頻分量，與關(guān)斷電壓疊加，形成電磁干擾。副邊整流回路開關(guān)管產(chǎn)生干擾的機(jī)理類似。

2.2 耦合路徑

對(duì)于傳導(dǎo)干擾，在干擾信號(hào)頻率較高時(shí)，MOSFET開通和關(guān)斷形成的電磁干擾不僅會(huì)沿著系統(tǒng)部件和線路傳播，變壓器也是干擾信號(hào)傳播的主要路徑[0]。實(shí)際電路中開關(guān)器件開通、關(guān)斷引起的電位跳變也會(huì)施加于變壓器的端口[，變壓器原副邊耦合電容為高頻EMI信號(hào)傳播提供了低阻抗路徑，從而將原邊的干擾傳遞至副邊，為共模干擾提供耦合路徑。

此外，由于DC/DC電源變換電路工作在高頻狀態(tài)下，MOSFET與散熱器間也存在EMI傳播路徑。如圖2所示，在實(shí)際電路安裝時(shí)，變換器的功率開關(guān)管通常會(huì)通過導(dǎo)熱硅脂或絕緣襯墊等與散熱器緊貼，開關(guān)管與散熱器間的電容效應(yīng)導(dǎo)致二者之間存在寄生電容 C_p 。在高頻條件下工作時(shí)，該寄生電容是共模電流傳導(dǎo)的主要路徑，高頻電流通過該電容流經(jīng)散熱片、外殼接地，從而產(chǎn)生共模干擾。

開關(guān)管高頻通斷產(chǎn)生的電流和電壓突變本質(zhì)上是電介質(zhì)電荷和電流密度的變化，這些變化會(huì)向外輻射電磁波，影響電路正常工作[13]。

輻射干擾主要依靠電磁場(chǎng)向外發(fā)射，由于工程中電源器件均在PCB上，當(dāng)電流在器件和PCB上流動(dòng)并形成環(huán)路時(shí)，部分電磁能量由PCB向外輻射，形成輻射干擾。另外，由于變壓器等器件在工作過程中會(huì)產(chǎn)生漏磁，通過磁芯或殼體直接向外輻射電磁能量，電流流過線束時(shí)也會(huì)向外輻射干擾信號(hào)，進(jìn)一步加劇了輻射干擾。

3基于ANSYS的參數(shù)建模

3.1PCB參數(shù)建模

本文PCB上主要包括濾波電路、功率變換電路及整流電路。PCB間的電子器件和電源走線等會(huì)導(dǎo)致電磁能量通過傳導(dǎo)和輻射發(fā)射的方式傳遞干擾信號(hào)。為了提取PCB中線間的寄生參數(shù)，使用ANSYSSIwave和ANSYSQ3D軟件進(jìn)行PCB處理和靜態(tài)電磁場(chǎng)仿真。

實(shí)際工程中PCB布線較為靈活，故應(yīng)根據(jù)所需仿真部分對(duì)PCB板的網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行篩選，并將布局模型導(dǎo)出至Q3D進(jìn)行PCB三維/二維靜態(tài)電磁場(chǎng)仿真，提取S參數(shù)，如圖3所示。

由于平板存在電容耦合效應(yīng)，PCB上的銅線與外殼體間存在分布電容，共模干擾信號(hào)經(jīng)由分布電容通過地流回原邊。同時(shí)根據(jù)文獻(xiàn)[3]，MOSFET開關(guān)器件與散熱器間寄生電容為pF量級(jí)，傳導(dǎo)干擾信號(hào)幅值不會(huì)隨寄生電容的大小而改變，通過對(duì)MOSFET所連接銅線相對(duì)殼體的電容進(jìn)行抽取，也可將這部分通路表征出來(lái)，因此需要在Q3D中對(duì)PCB進(jìn)行聯(lián)合仿真分析。Q3D抽取寄生電容仿真結(jié)果如圖4所示，求解后PCB與殼體間的分布電容如表1所示。

3.2變壓器參數(shù)建模

變壓器對(duì)DC/DC電源變換器的EMI影響主要體現(xiàn)在漏感、并聯(lián)等效電容與寄生參數(shù)的相互作用；原副邊耦合電容為共模干擾提供了耦合途徑。因此需要對(duì)變壓器進(jìn)行仿真和實(shí)測(cè)確定寄生參數(shù)，進(jìn)而建立準(zhǔn)確的變壓器等效電路模型。

3.2.1 勵(lì)磁電感與漏感建模

本文主要使用ANSYSMaxwell對(duì)變壓器數(shù)模進(jìn)行仿真，確定勵(lì)磁電感和漏感。勵(lì)磁電感仿真時(shí)，直流狀態(tài)即接近 0kHz 頻率下的電感仿真結(jié)果可認(rèn)為是勵(lì)磁電感，漏感仿真時(shí)，需在正常工作狀態(tài)即65kHz 頻率下，將漏感副邊引腳短路，故需設(shè)置2個(gè)仿真頻率。勵(lì)磁電感與漏感的仿真結(jié)果分別為3.55mH，3.71mH 。

3.2.2繞組并聯(lián)等效電容及原副邊耦合電容

變壓器繞組層數(shù)較多，受等效電容效應(yīng)影響，在繞組層間及原、副邊繞組間會(huì)形成電場(chǎng)，從而不可避免地產(chǎn)生分布電容，即繞組并聯(lián)的等效電容和原副邊耦合電容。

原副邊耦合電容將共模干擾信號(hào)由原邊傳遞到副邊，經(jīng)由副邊對(duì)地電容由LISN回流至原邊，需要使用網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)變壓器原副邊耦合電容進(jìn)行測(cè)量。原副邊耦合電容測(cè)試原理如圖5所示，通過測(cè)試得到變壓器高頻下插入損耗曲線4，然后計(jì)算得到其電容值。對(duì)線性段，電容計(jì)算公式為：

式中： C_q 為原副邊耦合電容 ，f 為測(cè)量值頻率， P 為插人損耗， V₂ 為電位差。

插入損耗測(cè)試結(jié)果如圖6所示，將其帶入式（2）計(jì)算可得耦合電容約為 159pF 。

在MOSFET開通和關(guān)斷時(shí)，等效電容會(huì)與變壓器漏感及電路中的其他寄生參數(shù)發(fā)生諧振，形成帶有尖峰的電壓脈沖并含有豐富的高頻分量，加大電磁干擾。為建立精準(zhǔn)的變壓器高頻等效模型，本文選擇使用阻抗分析儀對(duì)并聯(lián)等效電容進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果如圖7所示，電容為 85.24885pF ，電感為 2.783859mH 。

根據(jù)仿真和測(cè)試結(jié)果，在Simplorer中建立變壓器的高頻等效模型，如圖8所示，其中， L_m 為勵(lì)磁電感， L_k 為漏感， C₁₁ 為繞組并聯(lián)等效電容， C₁₂ 為原副邊耦合電容。

3.3測(cè)試臺(tái)架搭建

EMC實(shí)驗(yàn)室需要在穩(wěn)定的電磁環(huán)境中運(yùn)行，同時(shí)使周遭設(shè)備不會(huì)受到其運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的電磁干擾影響。這既需要設(shè)備在常規(guī)運(yùn)行時(shí)向周圍環(huán)境釋放的電磁干擾必須維持在限定的閾值以下，同時(shí)要求設(shè)備具備一定的抗電磁干擾能力。根據(jù)以上要求，同時(shí)參照CISPR25標(biāo)準(zhǔn)，可以在ANSYSHFSS軟件中建立包括測(cè)試臺(tái)架、LISN、絕緣墊、殼體的輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射仿真環(huán)境，如圖9所示。

3.4高壓濾波器建模

高壓濾波器是降低電磁干擾的主要手段之一，它通過濾波、衰減和反射等方式消除電磁干擾噪聲。本文使用的濾波器主要由共模濾波電容、共模扼流圈、差模濾波電容構(gòu)成。共模和差模濾波電容對(duì)干擾信號(hào)的抑制作用較為簡(jiǎn)單，只需測(cè)試其高頻參數(shù)即可。但由于共模扼流圈對(duì)共模干擾和差模干擾均有抑制作用，同時(shí)磁芯材料特性隨頻率變化，且受繞組漏感和寄生電容等因素影響[15，模型較為復(fù)雜。因此，本文需要分別對(duì)其建立高頻差模和共模模型。

傳導(dǎo)干擾信號(hào)電磁波長(zhǎng)遠(yuǎn)大于共模扼流圈尺寸，因此可以使用集總模型表示共模扼流圈的差模和共模模型，如圖10所示。

在差模模型中， L_d 為漏感， R_d 為磁損等效阻抗，C₂ 為繞組間電容， R_w 為銅損等效阻抗， C_d 為原/副邊匝間電容，由于繞組過少，可以忽略 C₂ 及銅損等效阻抗；在共模模型中， L_c 為單個(gè)繞組的電感，且與差模模型不同，2個(gè)繞組 L_c 是相互耦合的， R_c 為磁損等效阻抗， C₁ 為繞組電容。

利用阻抗分析儀測(cè)得差模模型和共模模型高頻參數(shù)如圖11所示。差模模型中，電容為1.278099pF，電感為 406.7854nH ，電阻為6.776252mΩ ;共模模型中，電容為 33.98595pF ，電感為 103.3108μH ，電阻為 6.217 291mΩ 。同時(shí)構(gòu)建濾波器高頻等效模型，如圖12所示。

4基于ANSYS的系統(tǒng)仿真模型搭建與分析

在Simplorer中搭建DC/DC電源變換器主電路進(jìn)行場(chǎng)-路協(xié)同仿真。模型集成了高壓濾波器、主功率電路部分、HFSS傳導(dǎo)和輻射發(fā)射測(cè)試臺(tái)架模型、PCB自身寄生參數(shù)及其與殼體間寄生電容和變壓器高頻等效模型。功率回路輸入電壓為 430V 使用脈沖寬度調(diào)制（PulseWidthModulation，PWM）開環(huán)控制策略控制MOSFET通斷，頻率為 65kHz ，占空比為0.5。DC/DC電源變換器仿真模型如圖13所示。

DC/DC電源變換器輸出電壓、電流如圖14所 示，輸出電流穩(wěn)定在105A左右，輸出電壓穩(wěn)定在 13V 左右，滿足正常工作要求。

干擾主要來(lái)自MOSFET高頻通斷產(chǎn)生的電壓、電流信號(hào)變化，因此干擾的頻率應(yīng)集中于MOSFET開關(guān)頻段及其倍頻處。傳導(dǎo)發(fā)射仿真和試驗(yàn)結(jié)果如圖15所示，傳導(dǎo)干擾主要集中在 65kHz 及其各倍頻處，同時(shí)在 130kHz 下干擾超標(biāo)情況較為嚴(yán)重。該仿真模型能夠較好地體現(xiàn)傳導(dǎo)干擾信號(hào)隨頻率升高先增大后減小的趨勢(shì)，也能較好地體現(xiàn)干擾發(fā)生的各頻點(diǎn)，與理論分析和測(cè)試結(jié)果基本一致。

輻射發(fā)射仿真中主要關(guān)注線纜上的干擾在空間中的輻射場(chǎng)強(qiáng)。仿真和試驗(yàn)結(jié)果如圖16所示，對(duì)于在測(cè)試中干擾較嚴(yán)重的 130kHz 和 260kHz 頻點(diǎn)，該仿真模型均能體現(xiàn)，在輻射發(fā)射干擾超標(biāo)嚴(yán)重的130kHz 處，仿真頻點(diǎn)能夠很好地進(jìn)行擬合。

5 結(jié)束語(yǔ)

本文通過理論分析說明了DC/DC電源變換器干擾的產(chǎn)生機(jī)理，以及干擾源在變換器中的2種耦合路徑，并提出了一種PCB、變壓器和共模扼流圈的高頻參數(shù)仿真建模方法，通過仿測(cè)結(jié)合的方式確定模型中的相關(guān)參數(shù)，能夠較為準(zhǔn)確地表達(dá)共模、差模信號(hào)的產(chǎn)生源和耦合路徑。基于ANSYS仿真平臺(tái)中SIwave、Q3D、Maxwell、Simplorer、HFSS等仿真軟件搭建了DC/DC電源變換器場(chǎng)-路耦合的傳導(dǎo)和輻射發(fā)射EMI仿真模型，并將仿真結(jié)果與EMI試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，發(fā)現(xiàn)傳導(dǎo)和輻射發(fā)射仿真的重要干擾頻點(diǎn)擬合較為精準(zhǔn)，證明了理論分析和仿真模型搭建的正確性。

后續(xù)將在變換器干擾源的抑制、切斷干擾源的傳播途徑以及對(duì)敏感器件的干擾保護(hù)等方面針對(duì)DC/DC電源變換器EMC的優(yōu)化理論及措施進(jìn)行深人研究。

參考文獻(xiàn)

[1]紀(jì)科健.單端反激開關(guān)電源遠(yuǎn)場(chǎng)電磁輻射模型與仿真研 究[D].哈爾濱：哈爾濱工業(yè)大學(xué)，2011. JIKJ.StudyonFar Field ElectromagneticRadiation Model and Simulation of a Flyback Power Supply[D]. Harbin： Harbin Institute of Technology，2011.

[2]尹卓，李東海，楊柳，等.基于ANSYS的電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系 統(tǒng)EMC仿真技術(shù)研究[J].中國(guó)汽車，2020（9）：53-57. YIN Z，LI D H， YANG L，et al. Research on EMC Simulation Technology of Electric Vehicle Drive System Based on ANSYS[J]. China Auto，2020（9）： 53-57.

[3]馮強(qiáng).開關(guān)電源傳導(dǎo)電磁干擾建模研究[D].成都：西南 交通大學(xué)，2015. FENG Q. Study on Conducted EMI Modeling for Switching Mode Power Supply[D]. Chengdu： Southwest Jiaotong University，2015.

[4]劉博亞.基于開關(guān)電源模塊的EMI建模仿真及干擾特征 分析[D].西安：西安電子科技大學(xué)，2020. LIUB Y. EMI Simulation and Characteristic Analysis Based on Switching Mode Power Supply Module[D]. Xi'an： Xidian University，2020.

[5]YAZDANI M R， FARZANEHFARD H， FAIZ J. Conducted EMIModeling and Reductionina Flyback Switched Mode Power Supply[Cl// 2011 2nd Power Electronics，Drive Systems and Technologies Conference.Tehran， Iran：IEEE， 2011.

[6]LEEY H，NASIRI A.Analysis and Modeling of Conductive EMI Noise of Power Electronics Converters in Electric and HybridElectricVehicles[C]//IEEEInternational Symposium on Power Electrics Conference.Austin， TX， USA： IEEE，2008：1952-1957.

[7]李建群，魏丹，朱林培.電動(dòng)汽車BMS充電干擾問題分析 及排除[J].安全與電磁兼容，2023（1）：50-54. LI JQ，WEI D， ZHU L P.Analysis and Elimination of DC ChargingInterferenceofBMSinElectric Vehicle[J].Safety amp;EMC，2023（1）： 50-54.

[8]朱杭.車載CD機(jī)的電磁抗擾度仿真及優(yōu)化[D].重慶：重 慶理工大學(xué)，2018.ZHUH. Simulation and Optimization of EMS of Car CD Machine[D].Chongqing：ChongqingUniversityof Technology，2018.

[9]安宗裕.混合動(dòng)力汽車直流電源變換系統(tǒng)傳導(dǎo)電磁干擾 分析與抑制研究[D].重慶：重慶大學(xué)，2014. ANZY.Analysis and Suppression ofConducted Electromagnetic Interference in DC Power Convertor Systems ofHybrid ElectricVehicles[D]. Chongqing： Chongqing University，2014.

[10]孟培培.隔離型功率變流器共模傳導(dǎo)干擾建模與預(yù)測(cè)方 法研究[D].杭州：浙江大學(xué)，2012. MENG P P.Common-Mode Conducted Electromagnetic Interference Modeling and Prediction for Isolated Power Converters[D]. Hangzhou： Zhejiang University，2012.

[11]林蘇斌，陳為，董紀(jì)清，等.開關(guān)電源變壓器傳導(dǎo)共模 EMI磁電綜合模型[J].中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào)，2017，37（8）： 2436-2446. LINSB，CHENW，DONGJQ，etal.Magneto-Electric CompositeModel of Transformer for Conducted CommonModeEMI inSwitching-ModePowerSupply[J]. Proceedings of theCSEE，2017，37（8）：2436-2446.

[12]汪泉弟，安宗裕，鄭亞利，等.電動(dòng)汽車開關(guān)電源電磁兼 容優(yōu)化設(shè)計(jì)方法[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào)，2014，29（9）：225- 231. WANGQD，ANZY，ZHENGYL， etal.Electromagnetic Compatibility Optimization Design for Switching Power Supply used in Electric Vehicle[J].Transactions of China Electrotechnical Society，2014，29（9）：225-231.

[13]沈周.半橋LLC諧振式Boost開關(guān)電源輻射電磁干擾分 析與抑制研究[D].南京：南京師范大學(xué)，2019. SHEN Z. Analysis and SuppressionofRadiated Electromagnetic InterferenceinHalf-BridgeLLCResonant BoostSwitching Power Supply[D].Nanjing：Nanjing Normal University，2019.

[14]李芬.功率變換器變壓器的EMI特性研究[D].福州：福 州大學(xué)，2014. LIF.Research of Conducted EMI Characteristicsof Transformer in Power Converter[D].Fuzhou： Fuzhou University，2014.

[15]陳恒林，陳瑋，馮利民，等.基于阻抗測(cè)量的共模扼流圈 高頻建模[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào)，2007（4）：8-12. CHENHL，CHENW，F(xiàn)ENG L M， etal.High Frequency ModelingforCommon ModeChokesBased on Impedance Measurement[J].Transactions of China Electrotechnical Society，2007（4）： 8-12. （責(zé)任編輯斛畔） 修改稿收到日期為2025年4月11日。