
中圖分類號:TQ422 文獻標志碼:A 文章編號:1003-5168(2025)13-0089-04
DOI:10.19968/j.cnki.hnkj.1003-5168.2025.13.018
Abstract: [Purposes] This paper systematically investigates the blue luminescence characteristics of
Tm3+ doped BaSiO and explores its potential application in anti-counterfeiting markers.[Methods] A se3
ries of BaSiO3:x% Tm 3+ samples were synthesized via high-temperature solid-state method and character
ized by X-ray diffraction (XRD) and photoluminescence spectroscopy.[Findings] Experimental results
demonstrate that Tm3+ ions preferentially occupy Ba2+ sites and exhibit intense blue luminescence under
the excitation of 357 nm wavelength,corresponding to the energy level transition between 'D2→F4.
Through systematic concentration optimization, the optimal doping concentration of Tm 3+ in BaSiO is de3
termined to be 0.5% .Further analysis reveals that the main mechanism leading to the concentration
quenching of Tm3+ ions electric dipole-dipole interaction.[Conclusions] TM ?3+ doped BaSiO exhibits ex3
cellent application potential in anti-counterfeiting markers and lighting fields due to its outstanding lu
minescent properties.
Keywords: rare earth doping; photoluminescence spectroscopy; concentration quenching
0 引言
稀土離子具有豐富的能級結構,能夠通過不同波長的光激發(fā)產(chǎn)生多種波長的發(fā)光,因此,其在光電子器件、顯示技術、激光材料等領域都具有重要的應用價值1。銩離子( [m3+ )作為一種重要的稀土離子,因其在藍光區(qū)域具有高效率的發(fā)光特性,所以成為熱點之一[2]
BaSiO3是一種硅酸鹽類的基體材料,其化學性穩(wěn)定,熱穩(wěn)定性好,并且有很好的透光性,是理想的稀土摻雜基體[3]。BaSiO3的晶體結構為稀土離子提供了穩(wěn)定的晶格環(huán)境,能夠有效減少非輻射躍遷,從而提高發(fā)光效率[4]。此外, BaSiO3 的寬帶隙特性使其能夠與稀土離子的能級結構良好匹配,也進一步增強了樣品的發(fā)光性能。因此, Tm3+ 摻雜 BaSiO3 的材料在藍光發(fā)射熒光粉領域具有重要的研究價值。
本研究旨在通過高溫固相法制備一系列 Tm3+ 離子摻雜BaSiO3熒光粉,并對其發(fā)光特性進行系統(tǒng)表征和分析。通過X射線衍射(XRD)、激發(fā)光譜、發(fā)射光譜等手段,討論 Tm3+ 摻雜對BaSiO3晶體結構和發(fā)光性能的影響。同時,結合色度分析和濃度猝滅機制,揭示 Tm3+ 摻雜BaSiO3的發(fā)光機理及其在藍光發(fā)射熒光粉中的應用潛力。
1試驗
1.1 試驗材料
該試驗所用 BaCO3,SiO2,Tm2O3 均為高純試劑,純度為 99.99% (購自上海阿拉丁生化科技股份有限公司);無水乙醇均為分析純試劑(購自國藥集團化學試劑有限公司)。
1.2 試驗流程
采用高溫固相合成法制備
0.3,0.5,0.7,1,2) 熒光粉。將原料 BaCO3(99.99%) 人SiO2(99.99% ) Tm2O3(99.99% 按所需配比在瑪瑙研缽中加入無水乙醇充分混合,攪拌 30min 。將混合物放入 800°C 的高溫管式爐中進行預燒結 0.5h 后,在 1400°C 的高溫下煅燒 4h ,隨爐降至室溫。
1.3樣品的性能表征
用X射線衍射儀(BrukerD8-A25)進行物相鑒定和結構分析,在設定好的角度范圍內(nèi)以 5°/min 的速度進行結構測試。采用德國布魯克公司的XRD型粉末衍射系統(tǒng)(電壓 40kV ,電流 40mA ,波長1.5418A,掃描步長為 0.01° )進行物相鑒定和結構分析。引用英國愛丁堡公司FSL1000型穩(wěn)態(tài)光譜儀在 200~900nm 范圍內(nèi)樣品的激發(fā)、發(fā)射光譜。在 150W 氙燈激光器激發(fā)下,對樣品進行觀測。
2試驗結果與結論
2.1 XRD圖譜
圖1為 aSiO3:x%Tm3+(x=0,0.3,0.5,0.7,1,2) (204號樣品的XRD圖譜。由圖1可知,與標準卡(PDF#70—2112)的衍射峰匹配,無雜峰出現(xiàn),表明已成功合成所需樣品,摻雜微量的 Tm3+ 并未改變 BaSiO3 的晶體結構。由于 Tm3+ 離子半徑與 Ba2+ 更接近,且遠大于 Si*+ 。同時,相較于 Tm3+ 占據(jù) Si4+ 位點,其占據(jù)Ba2+ 位點時內(nèi)聚能更低,結構更穩(wěn)定[5]。因此,在對BaSiO摻人 Tm3+ 時,考慮離子半徑、能量等因素,優(yōu)先選擇取代半徑相近的 Ba2+
圖1
的XRD圖譜2.2發(fā)光光譜

圖2為 BaSiO3 0.5%Tm3+ 熒光粉的激發(fā)光譜(紅色線)和發(fā)射光譜(黑色線)。在 460nm 波長監(jiān)測下,樣品在 340~370nm 內(nèi)可以觀察到較強激發(fā)峰,中心波長位于 357nm ,對應 Tm3+ 的 3H6?1D2 特征躍遷,因其最佳激發(fā)波長屬于近紫外區(qū)域,且樣品具有較好的發(fā)光強度,故對近紫外激發(fā)藍光發(fā)射熒光粉的研究具有重要意義[]。
根據(jù)所測樣品激發(fā)光譜的結果,選擇 357nm 波長作為激發(fā)光源,測試了樣品的發(fā)射光譜。如圖3為 440~470nm 處的發(fā)射峰均為 Tm3+ 特征發(fā)射,結合圖4中 Tm3+ 的能級躍遷圖可知,樣品在 357nm 激光激發(fā)下,處于基態(tài) 3H6) 的 Tm3+ 通過吸收激發(fā)能被激發(fā)到亞穩(wěn)激發(fā)態(tài) (1D2) ,大部分電子通過輻射躍遷到 3F4 ,能級釋放出 460nm 處的藍光光子[7。通過對發(fā)射光譜進行分析發(fā)現(xiàn),隨 Tm3+ 摻雜量的增加,發(fā)光強度呈現(xiàn)先增強后減弱的特征,并在摻雜濃度為
圖2 BaSiO3:0.5%Tm3+ 的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜

圖3
的發(fā)射光譜

圖4 Tm3+ 離子能級躍遷

0.5% 時達到峰值。超過該閾值后,因激活離子間平均距離縮短引發(fā)交叉弛豫過程,濃度猝滅效應顯著增強,導致發(fā)光效衰退。這說明 Tm3+ 在 BaSiO3 材料中的最佳摻入量為 0.5% 。
2.3濃度猝滅與電多極分析
隨著摻雜濃度的增加,距 Tm3+ 離子之間的相互作用間距減小,從而增強了離子間的相互作用。相鄰的 Tm3+ 離子通過無輻射進行能量傳輸。在此過程中, Tm3+ 離子的發(fā)光壽命和熒光強度會隨之下降,即產(chǎn)生濃度淬滅效應。
通常情況下,能量傳遞方式主要包括交換作用和電多極距作用。根據(jù)G.Blasse的理論可知,當零界距離大于 4AA 時,以電多極距作用為主導。臨界距離 Rc 可以通過(1)式計算[8]。

式中, Xc 為臨界摻雜濃度; V 是單位晶胞體積; N 為單個晶胞中可被取代的陽離子數(shù)。對于BaSiO3 x%Tm3+ Xc=0.5 ,V=335.46 AA3 N=2 。代入式(1)后得 Rc 的值為 6.95AA ,其大于交換作用的臨界距離 4AA 。因此,主導 Tm3+ 濃度猝滅的原因是電多極距作用。
發(fā)光強度與摻雜濃度之間的關系可通過式(2)表述[9]。

式中, I 為熒光粉的發(fā)光強度; x 為 Tm3+ 離子的濃度摻雜量; k 與 β 均為常數(shù); θ 為離子之間相互作用的原因。依據(jù)發(fā)射光譜數(shù)據(jù),計算出 logx-log(I/x) 的雙對數(shù)曲線,并進行了線性擬合,擬合結果如圖5所示。由圖5可知,擬合直線的斜率為-1.86227,近似為-2,對應的 θ 值為6,這表明在 BaSiO3 Tm3+ 中,濃度猝滅主要由電偶極—電偶極(d-d)相互作用引起[10]
圖5 logx-log(I/x) 關系曲線

2.4 CIE色度分析
為了具體分析 BaSiO3:x%Tm3+(x=0.3,0.5,0.7,1 2)熒光粉樣品的發(fā)光效果,將熒光粉的發(fā)射光譜數(shù)據(jù)放入CIE1931進行計算,得到以下色度圖,如圖6所示。
圖6 BaSiO3:x%Tm3+ 熒光粉色度圖

相關色溫(Correlated Color Temperature,CCT)利用式(3)進行計算[]
CCT=-437n3+3601n2-6861n+5514.31
式中: n=(x-xc)/(y-yc),(xc,yc) ,為色度的震中坐標(0.332,0.186)。
色純度[通常通過CIE色度圖來評估,計算公式見式(4)。

式中: (xi,yi)∨(xd,yd) 和 (x,y) 分別為白光中心、主波長和所測樣品的色坐標。 BaSiO3 x%Tm3+ 的色坐標見表1。 BaSiO3 x%Tm3+ 熒光粉樣品具有較好的藍光發(fā)射性能,其藍光發(fā)射的色純度較高,在白光LED的藍色發(fā)光方面具有一定的研究潛力[13]。
表1 BaSiO3:x%Tm3+ 的色坐標

3結語
本研究通過固相反應法成功制備了不同 Tm3+ 摻雜濃度的BaSiO3熒光粉,并對其發(fā)光特性進行了系統(tǒng)表征和分析。XRD結果表明, Tm3+ 離子優(yōu)先取代 Ba2+ 位點,且摻雜未改變 BaSiO3 的立方相結構。激發(fā)光譜和發(fā)射光譜顯示,樣品在 357nm 近紫外光激發(fā)下表現(xiàn)出較強的藍光發(fā)射,最佳摻雜濃度為
0.5% 。濃度猝滅機制分析表明,電偶極一電偶極相互作用是導致濃度猝滅的主要因素。此外,CIE色度分析表明,樣品具有較高的藍光色純度和較低的色溫,顯示出在藍光發(fā)射領域的應用潛力。
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